
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 55.01 грн |
13+ | 47.33 грн |
25+ | 47.16 грн |
100+ | 36.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR024TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLR024TRPBF за ціною від 44.58 грн до 168.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IRLR024TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.14Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 56A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IRLR024TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.14Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 56A |
товару немає в наявності |