IRLR110PBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 50.25 грн |
| 11+ | 39.37 грн |
| 75+ | 36.99 грн |
| 525+ | 34.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR110PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Інші пропозиції IRLR110PBF за ціною від 27.14 грн до 146.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR |
на замовлення 3633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLR110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 212+ | 66.93 грн |
| 525+ | 62.97 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 186+ | 76.45 грн |
| 230+ | 61.55 грн |
| 500+ | 48.39 грн |
| 1000+ | 44.54 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 113.14 грн |
| 10+ | 75.93 грн |
| 100+ | 61.13 грн |
| 500+ | 46.34 грн |
| 1000+ | 40.97 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.34 грн |
| 15+ | 57.56 грн |
| 100+ | 42.68 грн |
| 500+ | 30.08 грн |
| 1000+ | 27.14 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.10 грн |
| 10+ | 68.49 грн |
| 100+ | 47.22 грн |
| 500+ | 37.71 грн |
| 1000+ | 35.66 грн |
| 6000+ | 33.62 грн |
| 9000+ | 32.77 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.69 грн |
| 75+ | 63.78 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






