на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRLR110PBF за ціною від 17.76 грн до 82.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR110 |
на замовлення 5144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|