Продукція > VISHAY > IRLR110PBF
IRLR110PBF

IRLR110PBF Vishay

sihlr110.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
380+37.18 грн
412+34.32 грн
500+31.00 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

Інші пропозиції IRLR110PBF за ціною від 27.23 грн до 149.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.13 грн
21+37.37 грн
100+34.50 грн
500+30.05 грн
1000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.51 грн
525+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.39 грн
11+39.33 грн
75+36.90 грн
525+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.40 грн
11+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.48 грн
246+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
75+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY VISH-S-A0013857023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay Semiconductors sihlr110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.13 грн
21+37.37 грн
100+34.50 грн
500+30.05 грн
1000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+66.51 грн
525+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.39 грн
11+39.33 грн
75+36.90 грн
525+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.40 грн
11+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+115.48 грн
246+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.38 грн
75+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF VISH-S-A0013857023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR110PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.