Продукція > VISHAY > IRLR120TRPBF
IRLR120TRPBF

IRLR120TRPBF Vishay

sihlr120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120TRPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLR120TRPBF за ціною від 22.36 грн до 113.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : VISHAY IRLR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.22 грн
13+30.89 грн
25+27.29 грн
38+23.65 грн
104+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : VISHAY IRLR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.06 грн
8+38.49 грн
25+32.75 грн
38+28.38 грн
104+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.88 грн
10+92.00 грн
100+60.69 грн
500+50.57 грн
1000+42.86 грн
4000+41.54 грн
10000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120#TRPBF Виробник : IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Виробник : Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.