на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 42.09 грн |
| 15+ | 39.96 грн |
| 100+ | 37.59 грн |
| 500+ | 34.96 грн |
| 1000+ | 30.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR120PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLR120PBF за ціною від 35.34 грн до 105.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR120PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR120PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120 |
на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRLR120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRLR120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRLR120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |