Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF Китай
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF Китай

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Код товару: 181683
Виробник: Китай
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 2109 шт:
2101 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
2+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF Китай

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.30 грн до 150.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr2905pbf-datashet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1920 шт
1551 шт - склад
179 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
74 шт - РАДІОМАГ-Харків
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
447+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.33 грн
4000+31.58 грн
6000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.64 грн
4000+40.16 грн
6000+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.37 грн
500+46.84 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+62.51 грн
551+56.26 грн
1000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.95 грн
10+70.59 грн
20+61.01 грн
50+50.46 грн
100+44.27 грн
500+34.13 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 42234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.71 грн
10+78.47 грн
100+52.69 грн
500+39.07 грн
1000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.14 грн
10+87.96 грн
20+73.21 грн
50+60.56 грн
100+53.12 грн
500+40.95 грн
1000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 8459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.92 грн
10+75.62 грн
100+46.05 грн
500+37.94 грн
1000+34.85 грн
2000+31.37 грн
4000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.82 грн
50+89.28 грн
100+61.37 грн
500+46.84 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLU2905Z
Код товару: 182753
Додати до обраних Обраний товар

irlr2905z-datasheet.pdf
IRLU2905Z
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
Код товару: 8283
Додати до обраних Обраний товар

YH-012 8P8C.pdf
Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
+1
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
у наявності: 9250 шт
9250 шт - склад
очікується: 500 шт
500 шт - очікується
Кількість Ціна
8+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MPX (class X2) 680nF 310VAC K (+/-10%), P = 27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 6562
Додати до обраних Обраний товар

MPX_081006.pdf
MPX (class X2) 680nF 310VAC K (+/-10%), P = 27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 680 nF
Ном.напруга: 310 VAC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліпропілен X2
Розмір корпуса: 11x20x32 mm
Part Number: MPX684K2FB
у наявності: 569 шт
493 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3314
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 4922 шт
3150 шт - РАДІОМАГ-Київ
391 шт - РАДІОМАГ-Львів
1381 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
20000 шт - очікується
Кількість Ціна
200+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82)
Код товару: 3269
Додати до обраних Обраний товар

SQP_080911.pdf
0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,82 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 43 шт
42 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
5+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.