
у наявності 635 шт:
635 шт - склад
очікується 1500 шт:
1500 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.50 грн |
10+ | 24.80 грн |
100+ | 21.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR2905TRPBF Китай
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:36A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:110W
Можливі заміни IRLR2905TRPBF Китай
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR2905 Код товару: 30677
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
|
|
Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.30 грн до 142.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR2905TRPBF Код товару: 86018
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 2850 шт
2450 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Київ 100 шт - РАДІОМАГ-Львів 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
100 шт
100 шт - очікується
|
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 494 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 8280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRLU2905Z Код товару: 182753
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 55.00 грн |
10+ | 49.50 грн |
Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W) Код товару: 8283
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
у наявності: 848 шт
62 шт - РАДІОМАГ-Київ
267 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
231 шт - РАДІОМАГ-Одеса
286 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
267 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
231 шт - РАДІОМАГ-Одеса
286 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
91 шт
91 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 5.00 грн |
10+ | 4.50 грн |
100+ | 4.10 грн |
1000+ | 3.60 грн |
MPX (class X2) 680nF 310VAC K (+/-10%), P = 27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano) (конденсатор плівковий) Код товару: 6562
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 680 nF
Ном.напруга: 310 VAC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліпропілен X2
Розмір корпуса: 11x20x32 mm
Part Number: MPX684K2FB
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 680 nF
Ном.напруга: 310 VAC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліпропілен X2
Розмір корпуса: 11x20x32 mm
Part Number: MPX684K2FB
у наявності: 723 шт
621 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
10+ | 18.00 грн |
100+ | 16.20 грн |
1000+ | 14.50 грн |
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3314
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 8381 шт
500 шт - РАДІОМАГ-Київ
1800 шт - РАДІОМАГ-Львів
3400 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2681 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1800 шт - РАДІОМАГ-Львів
3400 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2681 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.20 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82) Код товару: 3269
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,82 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,82 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 83 шт
2 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 7.00 грн |
10+ | 6.30 грн |
100+ | 5.50 грн |
1000+ | 5.00 грн |