IRLR2905TRPBF Китай
Код товару: 181683
Виробник: КитайКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 2087 шт:
2081 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 27.50 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| 100+ | 21.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR2905TRPBF Китай
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:36A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:110W
Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.30 грн до 154.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR2905TRPBF Код товару: 86018
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 1432 шт
1062 шт - склад
179 шт - РАДІОМАГ-Київ 22 шт - РАДІОМАГ-Львів 100 шт - РАДІОМАГ-Харків 69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 13921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 13921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 44713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
на замовлення 5559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 74HC373D.653 Код товару: 25623
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-20
Опис: Octal D-type transparent latch; 3-state
Монтаж: SMD
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40...+125°C
Тип логіч. елем.: D-type transparent latch
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-20
Опис: Octal D-type transparent latch; 3-state
Монтаж: SMD
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40...+125°C
Тип логіч. елем.: D-type transparent latch
у наявності: 95 шт
76 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 2266 шт
2225 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Львів
41 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
250 шт
250 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| LM358P Код товару: 24924
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 191 шт
149 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.00 грн |
| 100+ | 5.40 грн |
| Запобіжник 6х30мм 5A 250V (GT1-4601B-5A/250V) Код товару: 22086
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 5A 250V 6х30мм F
Номінальний струм: 5 А
Розмір: 6x30 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 5A 250V 6х30мм F
Номінальний струм: 5 А
Розмір: 6x30 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 4359 шт
3371 шт - склад
191 шт - РАДІОМАГ-Київ
249 шт - РАДІОМАГ-Львів
280 шт - РАДІОМАГ-Харків
268 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
191 шт - РАДІОМАГ-Київ
249 шт - РАДІОМАГ-Львів
280 шт - РАДІОМАГ-Харків
268 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.50 грн |
| 30+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 0.95 грн |
| UF4007 Код товару: 17804
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
у наявності: 1895 шт
1105 шт - склад
305 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
125 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
305 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
125 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2.00 грн |
| 36+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |









