Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Можливі заміни IRLR2905TRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905 IRLR2905
Код товару: 30677
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 161 шт
118 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1500 шт
1500 шт - очікується 20.06.2025
Кількість Ціна
1+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 12.71 грн до 138.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.65 грн
50+87.48 грн
100+64.70 грн
500+49.89 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr2905pbf-datashet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується 20.06.2025
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
625+19.52 грн
798+15.29 грн
829+14.72 грн
926+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.63 грн
4000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.56 грн
4000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.54 грн
4000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+61.61 грн
551+55.44 грн
1000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.70 грн
500+49.89 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.91 грн
10+61.54 грн
36+25.75 грн
97+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 16673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+73.49 грн
100+52.69 грн
500+39.39 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.89 грн
10+76.68 грн
36+30.90 грн
97+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905_DataSheet_v01_01_EN-3363438.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
10+83.59 грн
25+67.54 грн
100+54.96 грн
250+53.48 грн
500+45.91 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.