Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF Китай
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF Китай

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Код товару: 181683
Виробник: Китай
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 2097 шт:
2071 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF Китай

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRLR2905TRPBF Китай

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905 IRLR2905
Код товару: 30677
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
28 шт - склад
Кількість Ціна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.30 грн до 141.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr2905pbf-datashet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1367 шт
1059 шт - склад
142 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
83 шт - РАДІОМАГ-Харків
69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.53 грн
4000+32.65 грн
6000+31.36 грн
10000+28.08 грн
14000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.30 грн
4000+38.85 грн
6000+38.70 грн
10000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.10 грн
4000+41.54 грн
6000+41.39 грн
10000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.17 грн
500+44.14 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+65.33 грн
551+58.80 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.05 грн
5+85.30 грн
10+71.25 грн
20+57.70 грн
40+47.11 грн
50+44.41 грн
100+38.44 грн
200+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.82 грн
10+73.94 грн
100+46.96 грн
500+37.11 грн
1000+33.96 грн
2000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 44431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.93 грн
10+78.73 грн
100+52.84 грн
500+39.18 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.05 грн
50+87.24 грн
100+60.17 грн
500+44.14 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1643 шт
1513 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
47 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM358P
Код товару: 24924
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 1062 шт
1011 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
3+7.00 грн
10+6.00 грн
100+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Запобіжник 6х30мм 5A 250V (GT1-4601B-5A/250V)
Код товару: 22086
Додати до обраних Обраний товар

Запобіжник 6х30мм 5A 250V (GT1-4601B-5A/250V)
Виробник: Global Tone
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 5A 250V 6х30мм F
Номінальний струм: 5 А
Розмір: 6x30 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 3659 шт
2943 шт - склад
189 шт - РАДІОМАГ-Київ
262 шт - РАДІОМАГ-Харків
265 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
300 шт - очікується
Кількість Ціна
8+2.50 грн
12+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UF4007
Код товару: 17804
Додати до обраних Обраний товар

UF4001-4007.pdf
UF4007
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
у наявності: 1126 шт
440 шт - склад
265 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
178 шт - РАДІОМАГ-Харків
81 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується 21.05.2026
Кількість Ціна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2KR-Hitano) (S)
Код товару: 13584
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
2 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2KR-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 512 шт
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
482 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 10.05.2026
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.