Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF Китай
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF Китай

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Китай
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,025 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2021 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF Китай

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.30 грн до 123.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
3 Додати до обраних Обраний товар
IR irlr2905pbf-datashet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1024 шт
  • 802 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.62 грн
6000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.46 грн
4000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.46 грн
4000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.29 грн
4000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.43 грн
10+63.46 грн
50+47.36 грн
100+39.55 грн
500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.90 грн
10+84.04 грн
50+64.28 грн
100+55.29 грн
500+42.18 грн
2000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.90 грн
168+84.04 грн
220+64.28 грн
247+55.29 грн
500+42.18 грн
2000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.07 грн
10+50.37 грн
20+47.32 грн
40+44.44 грн
50+43.68 грн
100+41.23 грн
200+38.85 грн
500+36.06 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon_irlr2905_datasheet_en.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF International Rectifier/Infineon irlr2905pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
3 Додати до обраних Обраний товар
description irlr2905pbf-datashet.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1024 шт
  • 802 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.62 грн
6000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
362+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.46 грн
4000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.46 грн
4000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.29 грн
4000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.43 грн
10+63.46 грн
50+47.36 грн
100+39.55 грн
500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.90 грн
10+84.04 грн
50+64.28 грн
100+55.29 грн
500+42.18 грн
2000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+121.90 грн
168+84.04 грн
220+64.28 грн
247+55.29 грн
500+42.18 грн
2000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.07 грн
10+50.37 грн
20+47.32 грн
40+44.44 грн
50+43.68 грн
100+41.23 грн
200+38.85 грн
500+36.06 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineon_irlr2905_datasheet_en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Бокорізи 1PK-037S
Код товару: 22867
1 Додати до обраних Обраний товар
product_detail.asp?catid=2&itemid=1PK-037S
Бокорізи 1PK-037S
Виробник: Pro'sKit
Інструмент > Бокорізи, кусачки, кліщі, щипці, плоскогубці, круглогубці, пасатижі, затискачі
Тип: Бокорізи, кусачки
Опис: Бокорізи (кусачки), довжина 110мм, для дроту 1,6мм
8203 20 1000
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+210.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Запобіжник 6х30мм 5A 250V (GT1-4601B-5A/250V)
Код товару: 22086
Додати до обраних Обраний товар
Запобіжник 6х30мм 5A 250V (GT1-4601B-5A/250V)
Виробник: Global Tone
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 5A 250V 6х30мм F
Номінальний струм: 5 А
Розмір: 6x30 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 3674 шт
  • 2857 шт - склад
  • 175 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 216 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 224 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 202 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
12+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF4007
Код товару: 17804
3 Додати до обраних Обраний товар
UF4001-4007.pdf
UF4007
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 1 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 75 ns
Примітка: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Монтаж: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
у наявності: 417 шт
  • 192 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 87 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 138 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 924 шт
  • 924 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2KR-Hitano) (S)
Код товару: 13584
1 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
2 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2KR-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8344 шт
  • 7392 шт - склад
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 340 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 112 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1177 шт
  • 1177 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7912CV
Код товару: 3263
4 Додати до обраних Обраний товар
description L7900 series.pdf
L7912CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: -35 В
Напруга виходу Uout, В: -12 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: THT
у наявності: 456 шт
  • 364 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.50 грн
100+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.