Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3114ZPBF
IRLR3114ZPBF

IRLR3114ZPBF

irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
Код товару: 36781
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3114ZPBF IR

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0049ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Pulse Current Idm:500A
  • Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:40nC
  • Transistor Case Style:D-PAK

Можливі заміни IRLR3114ZPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
Додати до обраних Обраний товар
IR irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
  • 30 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
Додати до обраних Обраний товар
irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
  • 30 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR3114ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d description Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN-3363483.pdf description MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBF description irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
IRLR3114ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBF description Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN-3363483.pdf
IRLR3114ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.