IRLR3114ZPBF
Код товару: 36781
Виробник: IRUds,V: 40 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR3114ZPBF IR
- MOSFET, N D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0049ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2.5V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Max Voltage Vds:40V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:140W
- Pulse Current Idm:500A
- Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:40nC
- Transistor Case Style:D-PAK
Можливі заміни IRLR3114ZPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR3114ZTRPBF Код товару: 122894 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 49 шт
|
|
Інші пропозиції IRLR3114ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR3114ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLR3114ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC |
товар відсутній |