IRLR8743PBF

IRLR8743PBF


irlr8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356719c7e26ff
Код товару: 31850
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 113 A
Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4880/39
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 27 шт:

10 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+53.00 грн
100+48.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8743PBF IR

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:160A
  • On State Resistance:0.0031ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1.9V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Max Voltage Vds:30V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:135W
  • Pulse Current Idm:640A
  • Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:39nC
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRLR8743PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Виробник : INFINEON 28241.pdf Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Виробник : Infineon Technologies irlr8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356719c7e26ff Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR8743-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Код товару: 33178
Додати до обраних Обраний товар

MOR_080911.pdf
0,22 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 0,22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 674 шт
458 шт - склад
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна
17+3.00 грн
19+2.70 грн
100+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Код товару: 48855
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 93814 шт
90670 шт - склад
1127 шт - РАДІОМАГ-Київ
617 шт - РАДІОМАГ-Львів
1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
60+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3112
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4329 шт
3699 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
400 шт - РАДІОМАГ-Львів
208 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 400 шт
400 шт - очікується
Кількість Ціна
25+2.00 грн
42+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 450V ELP 30x45mm (ELP331M2WBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2515
Додати до обраних Обраний товар

ELP_080522.pdf
330uF 450V ELP 30x45mm (ELP331M2WBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 450 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 30х45mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 29 шт
23 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
1+140.00 грн
10+132.00 грн
100+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2431
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 9 шт
5 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 30.04.2026
Кількість Ціна
10+5.00 грн
12+4.50 грн
100+4.00 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.