IRLU014PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.26 грн |
| 75+ | 40.65 грн |
| 150+ | 38.62 грн |
| 525+ | 35.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU014PBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLU014PBF за ціною від 21.91 грн до 83.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLU014PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLU014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |