Продукція > VISHAY > IRLU014PBF
IRLU014PBF

IRLU014PBF VISHAY


IRLU014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 1820 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.13 грн
10+42.47 грн
11+38.44 грн
50+33.57 грн
75+32.90 грн
150+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLU014PBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLU014PBF за ціною від 32.35 грн до 144.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLU014PBF IRLU014PBF Виробник : Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+68.47 грн
197+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF IRLU014PBF Виробник : Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.62 грн
75+60.37 грн
150+54.21 грн
525+42.65 грн
1050+39.09 грн
2025+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF IRLU014PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.79 грн
10+63.99 грн
100+49.92 грн
500+41.90 грн
1000+38.35 грн
3000+35.56 грн
6000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF IRLU014PBF Виробник : Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF IRLU014PBF Виробник : Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.