
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 19.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU024PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLU024PBF за ціною від 25.96 грн до 178.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLU024PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLU024PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLU024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLU024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|