на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 15.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU110PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLU110PBF за ціною від 19.16 грн до 110.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLU110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Pulsed drain current: 17A |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLU110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Pulsed drain current: 17A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLU110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 6341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLU110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLU110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRLU110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
товару немає в наявності |