Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU110PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLU110PBF за ціною від 37.74 грн до 147.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.54Ω Pulsed drain current: 17A Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube |
на замовлення 1409 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 4811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
на замовлення 5497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 76.60 грн |
| 8+ | 58.74 грн |
| 10+ | 54.47 грн |
| 25+ | 51.38 грн |
| 50+ | 48.53 грн |
| 75+ | 46.36 грн |
| 150+ | 42.68 грн |
| 1050+ | 37.74 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 170+ | 83.11 грн |
| 185+ | 76.52 грн |
| 1050+ | 67.70 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.83 грн |
| 75+ | 76.64 грн |
| 150+ | 64.86 грн |
| 525+ | 56.46 грн |
| 1050+ | 51.76 грн |
| 2025+ | 49.20 грн |
| 5025+ | 46.45 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.03 грн |
| 75+ | 63.70 грн |
| 150+ | 57.27 грн |
| 525+ | 45.13 грн |
| 1050+ | 41.41 грн |
| 2025+ | 38.43 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






