IRLU110PBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.1nC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 53.46 грн |
| 10+ | 51.52 грн |
| 25+ | 47.91 грн |
| 75+ | 36.23 грн |
| 150+ | 34.97 грн |
| 1050+ | 32.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU110PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLU110PBF за ціною від 37.50 грн до 152.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 4811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU110PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU |
на замовлення 5737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 190+ | 74.64 грн |
| 1050+ | 58.92 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 85.85 грн |
| 75+ | 73.42 грн |
| 150+ | 65.65 грн |
| 525+ | 55.05 грн |
| 1050+ | 50.16 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 164+ | 86.52 грн |
| 192+ | 73.99 грн |
| 215+ | 66.17 грн |
| 525+ | 55.48 грн |
| 1050+ | 50.56 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.69 грн |
| 75+ | 63.99 грн |
| 150+ | 57.52 грн |
| 525+ | 45.34 грн |
| 1050+ | 41.59 грн |
| 2025+ | 38.60 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.34 грн |
| 10+ | 67.85 грн |
| 100+ | 53.07 грн |
| 500+ | 44.62 грн |
| 1000+ | 37.99 грн |
| 3000+ | 37.50 грн |





