на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 21.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ14PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLZ14PBF за ціною від 19.00 грн до 161.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ14PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLZ14PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IRLZ14PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IRLZ14PBF Код товару: 40553
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 400/8,4 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
|
|
IRLZ14PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRLZ14PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRLZ14PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRLZ14PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |