IRLZ14SPBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ14SPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLZ14SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ14SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IRLZ14SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLZ14SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLZ14SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLZ14SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.