IRLZ14SPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.73 грн |
| 50+ | 80.4 грн |
| 100+ | 63.71 грн |
| 500+ | 50.69 грн |
| 1000+ | 41.29 грн |
| 2000+ | 38.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ14SPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLZ14SPBF за ціною від 38.09 грн до 123.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ14SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRLZ14SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRLZ14SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRLZ14SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263 Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRLZ14SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263 Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |