Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > IRLZ14SPBF
IRLZ14SPBF

IRLZ14SPBF Vishay Semiconductors

sihlz14s.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.10 грн
10+53.21 грн
100+45.80 грн
500+45.57 грн
1000+43.71 грн
2000+41.61 грн
5000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ14SPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLZ14SPBF за ціною від 45.12 грн до 157.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.04 грн
50+73.31 грн
100+65.70 грн
500+49.15 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0011155875-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.15 грн
10+96.67 грн
100+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Виробник : Vishay sihlz14s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Виробник : Vishay sihlz14s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Виробник : Vishay sihlz14s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF Виробник : VISHAY sihlz14s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.2A
Gate-source voltage: ±10V
Power dissipation: 43W
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.