Продукція > VISHAY > IRLZ24PBF

IRLZ24PBF Vishay

Name: IRLZ24PBF
Brand: Vishay
SKU: 107581-7
Price: 21030 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLZ24PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції IRLZ24PBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRLZ24PBF	Виробник : VISHAY	Description: VISHAY - IRLZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRLZ24PBF	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRLZ24PBF	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRLZ24PBF	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRLZ24PBF	Виробник : Vishay Semiconductors	MOSFETs TO220 60V 17A N-CH MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRLZ24PBF	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.