Технічний опис IRLZ34 IR
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLZ34
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ34 | Виробник : IR |
 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRLZ34 Код товару: 17390 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 30 A |
товар відсутній
|
|
 |
IRLZ34 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IRLZ34 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLZ34 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLZ34PBF |
товар відсутній |