IRLZ34PBF

IRLZ34PBF Vishay


irlz34.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.

Інші пропозиції IRLZ34PBF за ціною від 57.01 грн до 212.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ34PBF IRLZ34PBF Виробник : Vishay irlz34.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+129.74 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34PBF IRLZ34PBF Виробник : Vishay Semiconductors IRLZ34%2CSiHLZ34.pdf MOSFETs TO220 60V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.35 грн
10+104.06 грн
100+80.19 грн
500+65.62 грн
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34PBF IRLZ34PBF Виробник : Vishay Siliconix IRLZ34%2CSiHLZ34.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.48 грн
50+101.52 грн
100+91.49 грн
500+69.34 грн
1000+64.03 грн
2000+59.57 грн
5000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34PBF IRLZ34PBF Виробник : VISHAY 2046271.pdf Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34PBF IRLZ34PBF Виробник : Vishay sihlz34.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34PBF Виробник : VISHAY IRLZ34%2CSiHLZ34.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34PBF Виробник : VISHAY IRLZ34%2CSiHLZ34.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.