на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 65.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ44STRRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLZ44STRRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ44STRRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRLZ44STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
товару немає в наявності |
|
| IRLZ44STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRLZ44STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLZ44STRRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 N CHAN 60V |
товару немає в наявності |
|
| IRLZ44STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |