Продукція > ONSEMI > ISL9V3040D3ST
ISL9V3040D3ST

ISL9V3040D3ST onsemi


isl9v3040d-f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+63.24 грн
5000+ 58.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISL9V3040D3ST onsemi

Description: IGBT 430V 21A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs, Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 17 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції ISL9V3040D3ST за ціною від 58.11 грн до 140.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040d-f085jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : onsemi / Fairchild ISL9V3040P3_D-2314348.pdf Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 17a 400V Logic Level
на замовлення 6616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.74 грн
10+ 105.44 грн
100+ 81.13 грн
250+ 79.81 грн
500+ 74.54 грн
1000+ 60.35 грн
2500+ 58.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : onsemi isl9v3040d-f085-d.pdf Description: IGBT 430V 21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.56 грн
10+ 112.13 грн
100+ 89.29 грн
500+ 70.9 грн
1000+ 60.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040d-f085-d.pdf
на замовлення 29990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISL9V3040D3ST
Код товару: 127230
isl9v3040d-f085-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
ISL9V3040D3ST Виробник : ONSEMI isl9v3040d-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; ignition systems
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 17nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 17A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
ISL9V3040D3ST Виробник : ONSEMI isl9v3040d-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; ignition systems
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 17nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 17A
товар відсутній