Продукція > ONSEMI > ISL9V3040D3ST
ISL9V3040D3ST

ISL9V3040D3ST onsemi


ISL9V3040P3-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISL9V3040D3ST onsemi

Description: IGBT 430V 21A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs, Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 17 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції ISL9V3040D3ST за ціною від 61.92 грн до 207.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+107.55 грн
500+103.49 грн
1000+94.97 грн
2500+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+132.59 грн
500+119.66 грн
1000+109.96 грн
10000+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : onsemi ISL9V3040P3-D.PDF Description: IGBT 430V 21A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.69 грн
10+124.69 грн
100+86.10 грн
500+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : onsemi ISL9V3040P3-D.PDF Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 17a 400V Logic Level
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.90 грн
10+133.41 грн
25+109.02 грн
100+79.67 грн
250+70.58 грн
500+63.10 грн
1000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor ISL9V3040P3-D.PDF
на замовлення 29990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST
Код товару: 127230
Додати до обраних Обраний товар
ISL9V3040P3-D.PDF Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST ISL9V3040D3ST Виробник : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST Виробник : ONS/FAI ISL9V3040P3-D.PDF Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A DPAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST Виробник : ONSEMI ISL9V3040P3-D.PDF Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Power dissipation: 150W
Collector current: 17A
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector-emitter voltage: 400V
Application: ignition systems
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.