Продукція > IXYS > IXBN75N170
IXBN75N170

IXBN75N170 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2D74FFDFA3820&compId=IXBN75N170.pdf?ci_sign=c30080eb6a1443654b906ca9270234eddb862b5e Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 625W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6801.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBN75N170 IXYS

Description: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXBN75N170 за ціною від 7741.84 грн до 8161.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBN75N170 IXBN75N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2D74FFDFA3820&compId=IXBN75N170.pdf?ci_sign=c30080eb6a1443654b906ca9270234eddb862b5e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 625W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8161.58 грн
10+7741.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170 IXBN75N170 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170 IXBN75N170 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170 IXBN75N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170 IXBN75N170 Виробник : IXYS ixyss04226_1-2272004.pdf IGBT Modules 145Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.