Продукція > IXB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXB027WJW1Q
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB027WJZZQ
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB033WJZZQ
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB078WJZZQ
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB119WJZZQPANAQFP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB144WJZZQSHARPQFP
на замовлення 21106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB144WJZZQPANAQFP
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB200I600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
товар відсутній
IXB246WJZZQ
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB249WJZZQ
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB251WJZZQ
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB326SHARPQFP
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXB611P1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8DIP
товар відсутній
IXB611S1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
товар відсутній
IXB611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
товар відсутній
IXB80IF600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
товар відсутній
IXB80IF600NAIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT, PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товар відсутній
IXBA10N300HVIXYSIGBT Transistors
товар відсутній
IXBA14N300HVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IXBA14N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товар відсутній
IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXBA16N170AHVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2152.5 грн
10+ 1911.43 грн
IXBA16N170AHVIXYSMOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товар відсутній
IXBA16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1934.32 грн
2+ 1763.91 грн
3+ 1697.68 грн
IXBA16N170AHVLittelfuseHigh Voltage, High Gain BIMOSFET
товар відсутній
IXBA16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1611.94 грн
2+ 1415.48 грн
3+ 1414.73 грн
IXBD4410IXYSDIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBD4410PCIXYS COR..DIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBD4410PIDIXYS1995 DIP
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBD4410PIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXBD4410PIIXYSDIP16
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBD4410SIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXBD4411IXYSDIP
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBD4411PIIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBD4411PIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXBD4411SIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXBD4412PI96/97
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXBF 40N140/160IXYSLittelfuse
товар відсутній
IXBF10N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/390ns
Switching Energy: 7.2mJ (on), 1.04mJ (off)
Test Condition: 1500V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 240 W
товар відсутній
IXBF10N300CIXYSMOSFETs
товар відсутній
IXBF12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBF14N250IXYSGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
товар відсутній
IXBF14N250IXYSDescription: IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IXBF15N300CIXYSMOSFET
товар відсутній
IXBF15N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
товар відсутній
IXBF1958LittelfuseLittelfuse Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товар відсутній
IXBF20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товар відсутній
IXBF20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4633.43 грн
10+ 4367.55 грн
IXBF20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3861.19 грн
10+ 3504.83 грн
IXBF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 34A ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IXBF20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товар відсутній
IXBF20N360IXYSDescription: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5125.19 грн
25+ 4318.64 грн
100+ 4010.16 грн
IXBF20N360IXYSIGBT Transistors 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5064.66 грн
10+ 4689.74 грн
25+ 3945.77 грн
IXBF20N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 45A 230000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товар відсутній
IXBF20N360LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBF20N360 - IGBT, 45 A, 2.9 V, 230 W, 3.6 kV, ISOPLUS i4-PAK, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: -
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
IXBF20N360IXYSIXBF20N360 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBF22N300LittelfuseBipolar MOS Transistor
товар відсутній
IXBF32N300IXYSIGBT Transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBF32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товар відсутній
IXBF40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBF40N160IXYSIXBF40N160 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBF40N160IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2288.63 грн
10+ 2079.71 грн
25+ 1726.77 грн
100+ 1544.62 грн
500+ 1449.94 грн
IXBF42N300IXYSMOSFET IGBT DISC IGBT
товар відсутній
IXBF42N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 60A 240000mW ISOPLUS I4-Pak
товар відсутній
IXBF42N300IXYSDescription: IGBT 3000V TO247
товар відсутній
IXBF42N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 240W
Turn-off time: 950ns
Turn-on time: 652ns
Pulsed collector current: 380A
Kind of package: tube
Collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
товар відсутній
IXBF42N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 240W
Turn-off time: 950ns
Turn-on time: 652ns
Pulsed collector current: 380A
Kind of package: tube
Collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBF50N360IXYSDescription: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBF50N360IXYSIGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBF55N300IXYSIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
товар відсутній
IXBF9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.64 грн
10+ 456.64 грн
IXBF9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V 1600V 9A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBH 40N140/160IXYSIGBT Transistors
товар відсутній
IXBH10N170IXYSIGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.81 грн
10+ 690.74 грн
30+ 544.99 грн
120+ 500.9 грн
270+ 471.27 грн
510+ 442.35 грн
1020+ 398.26 грн
IXBH10N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.61 грн
2+ 565.44 грн
5+ 534.57 грн
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+845.54 грн
2+ 704.63 грн
5+ 641.48 грн
30+ 639.68 грн
120+ 617.09 грн
IXBH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.4 грн
30+ 563.71 грн
120+ 504.38 грн
IXBH10N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4689.86 грн
30+ 4205.79 грн
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5627.83 грн
30+ 5241.06 грн
IXBH10N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
товар відсутній
IXBH10N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 10A IGBT
товар відсутній
IXBH10N300HV
Код товару: 161629		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBH12N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2760.89 грн
5+ 2643.32 грн
10+ 2523.31 грн
25+ 2234.66 грн
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
товар відсутній
IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A 160W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2339.37 грн
30+ 1867.69 грн
120+ 1750.95 грн
IXBH12N300IXYSIGBTs TO247 3KV 12A IGBT
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2571.96 грн
10+ 2388.93 грн
30+ 1856.87 грн
120+ 1741.23 грн
510+ 1740.5 грн
1020+ 1731.83 грн
2520+ 1730.38 грн
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH14N250IXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
товар відсутній
IXBH14N250IXYSGate Drivers 2500V
товар відсутній
IXBH14N250AIXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
товар відсутній
IXBH14N250AIXYSGate Drivers 14 Amps 2500V
товар відсутній
IXBH14N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IXBH14N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 14A IGBT
товар відсутній
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.21 грн
30+ 725.99 грн
120+ 683.27 грн
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH16N170IXYSIGBTs 1700V 25A
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1039.75 грн
10+ 957.57 грн
30+ 721.35 грн
60+ 720.63 грн
120+ 678.71 грн
270+ 677.26 грн
510+ 628.11 грн
IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
товар відсутній
IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 940ns
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.92 грн
30+ 749.13 грн
120+ 705.05 грн
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1072.64 грн
10+ 965.05 грн
30+ 744.48 грн
120+ 701.12 грн
270+ 700.39 грн
1020+ 581.85 грн
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector current: 10A
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
товар відсутній
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector current: 10A
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2148.59 грн
30+ 2034.61 грн
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2488.48 грн
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
товар відсутній
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH20N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3159.82 грн
5+ 2904.4 грн
10+ 2648.18 грн
50+ 2376.96 грн
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH20N360HVIXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8565.9 грн
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH20N360HVIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7376.21 грн
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1583.56 грн
2+ 1390.64 грн
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1900.27 грн
2+ 1732.95 грн
30+ 1639.85 грн
IXBH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.11 грн
30+ 912.54 грн
IXBH24N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH24N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.56 грн
10+ 1470.43 грн
30+ 1129.74 грн
60+ 1129.01 грн
510+ 1029.27 грн
IXBH24N170(транзистор )
Код товару: 43528		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBH28N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/265ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
IXBH28N170AIXYSIGBT Transistors 30Amps 1700V
товар відсутній
IXBH2N250
Код товару: 131686		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.65 грн
30+ 1225.9 грн
IXBH2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5105.98 грн
10+ 4751.25 грн
30+ 3829.39 грн
60+ 3735.43 грн
120+ 3556.9 грн
IXBH32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6748.36 грн
30+ 5659.98 грн
120+ 5366.49 грн
IXBH32N300IXYSIGBTs TO247 3KV 32A IGBT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7534.59 грн
10+ 7068.69 грн
30+ 5624.83 грн
60+ 5555.44 грн
120+ 5363.18 грн
IXBH32N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 80A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH32N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 80A IGBT
товар відсутній
IXBH32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH32N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247HV
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товар відсутній
IXBH40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 350 W
товар відсутній
IXBH40N160IXYSIGBTs 1600V 33A
товар відсутній
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1598.15 грн
30+ 1276.24 грн
120+ 1196.49 грн
510+ 958.17 грн
IXBH42N170IXYSIGBTs 1700V 75A
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1764.96 грн
10+ 1637.5 грн
30+ 1246.11 грн
60+ 1231.65 грн
120+ 1189.73 грн
510+ 1034.33 грн
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH42N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2284.12 грн
5+ 2195.74 грн
10+ 2106.54 грн
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.26 грн
IXBH42N170
Код товару: 40513		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1631.4 грн
2+ 1432.05 грн
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1957.68 грн
2+ 1784.55 грн
30+ 1691.35 грн
IXBH42N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH42N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1679.24 грн
2+ 1474.21 грн
10+ 1452.38 грн
30+ 1420 грн
IXBH42N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2015.08 грн
2+ 1837.09 грн
10+ 1742.85 грн
30+ 1704 грн
IXBH42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1776.42 грн
30+ 1418.09 грн
120+ 1329.46 грн
510+ 1064.66 грн
IXBH42N170AIXYSIGBTs BIMOSET 42A 1700V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1983.36 грн
10+ 1834.5 грн
30+ 1409.46 грн
60+ 1384.88 грн
120+ 1321.28 грн
270+ 1289.48 грн
510+ 1200.57 грн
IXBH42N250IXYSDescription: BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2711.54 грн
10+ 2326.59 грн
100+ 2042.13 грн
IXBH42N250IXYSIGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2866.26 грн
10+ 2520.26 грн
IXBH42N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBH42N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
товар відсутній
IXBH42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товар відсутній
IXBH5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
товар відсутній
IXBH5N160GIXYSIGBT Transistors 5 Amps 1600V
товар відсутній
IXBH5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.95 грн
30+ 644.9 грн
120+ 577.01 грн
IXBH6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.87 грн
10+ 850.34 грн
30+ 631.73 грн
120+ 573.18 грн
270+ 563.06 грн
510+ 500.9 грн
1020+ 455.36 грн
IXBH6N170
Код товару: 83906		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBH6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
товар відсутній
IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBH9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
товар відсутній
IXBH9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V
товар відсутній
IXBH9N160G
Код товару: 60732		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXBK55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7359.01 грн
25+ 6172.11 грн
100+ 5852.09 грн
IXBK55N300IXYSIGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8167.04 грн
10+ 7668 грн
25+ 6134.4 грн
50+ 6066.46 грн
100+ 5932.02 грн
IXBK55N300IXYSIXBK55N300 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7939.96 грн
IXBK55N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 130A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBK64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
товар відсутній
IXBK64N250IXYSDescription: BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10356.72 грн
IXBK64N250IXYSIGBTs BIMOSFET 2500V 75A
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11562.87 грн
10+ 10677.02 грн
25+ 9118.12 грн
50+ 9115.95 грн
100+ 9112.34 грн
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXBK75N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBK75N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 200A, TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 1.04
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6
Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BiMOSFET Series
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXBK75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3562.22 грн
25+ 2874.21 грн
100+ 2682.59 грн
IXBK75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3881.56 грн
10+ 3598.35 грн
25+ 2837.71 грн
50+ 2761.82 грн
100+ 2647.62 грн
250+ 2571.72 грн
IXBK75N170IXYSIXBK75N170 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4519.31 грн
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXBK75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W TO264
товар відсутній
IXBK75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
товар відсутній
IXBK75N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXBL20N300CIXYSDescription: IGBT 3000V
товар відсутній
IXBL20N300CLittelfuseMonolithic Bipolar MOS Transistor
товар відсутній
IXBL60N360IXYSDescription: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товар відсутній
IXBL60N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 92A 417000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
товар відсутній
IXBL60N360IXYSIGBT Transistors 3600V/92A Rev Conducting IGBT
товар відсутній
IXBL64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 116A 500mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
товар відсутній
IXBL64N250IXYSIGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
товар відсутній
IXBL64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 500 W
товар відсутній
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2460.88 грн
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2953.06 грн
10+ 2808.18 грн
IXBN42N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товар відсутній
IXBN42N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBN42N170AIXYSIGBT Transistors 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3491.12 грн
10+ 3210.17 грн
30+ 2674.36 грн
100+ 2423.55 грн
500+ 2286.22 грн
1000+ 2281.88 грн
IXBN75N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
товар відсутній
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBN75N170IXYSIGBT Modules 145Amps 1700V
товар відсутній
IXBN75N170IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Power dissipation: 625W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6468.02 грн
10+ 5908.14 грн
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBN75N170IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Power dissipation: 625W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7761.62 грн
10+ 7362.45 грн
IXBN75N170AIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
товар відсутній
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: BiMOSFET™
Application: for UPS; motors
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 500W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3836.86 грн
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: BiMOSFET™
Application: for UPS; motors
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 500W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4604.24 грн
IXBN75N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
товар відсутній
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBOD1-06IXYSIXBOD1-06 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-06IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.12 грн
10+ 948.93 грн
25+ 933.97 грн
50+ 855.35 грн
IXBOD1-06IXYSSidacs 1 Amps 600V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1172.14 грн
10+ 1018.24 грн
20+ 878.92 грн
50+ 838.45 грн
100+ 779.18 грн
IXBOD1-06IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spitzenimpulsstrom Ippm: -A
Sperrspannung Vrwm: -V
usEccn: EAR99
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1060.57 грн
5+ 997.32 грн
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBOD1-07IXYSSidacs 1 Amps 700V
товар відсутній
IXBOD1-07LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD1-07IXYSIXBOD1-07 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-07IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
товар відсутній
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1230.49 грн
12+ 1066.1 грн
25+ 1042.67 грн
50+ 971.1 грн
100+ 718.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXBOD1-08LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.82 грн
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD1-08IXYSIXBOD1-08 Thyristors - others
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1381.66 грн
2+ 968.55 грн
3+ 916.15 грн
IXBOD1-08IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.46 грн
10+ 920.06 грн
100+ 795.73 грн
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1137.29 грн
10+ 985.34 грн
25+ 963.69 грн
50+ 897.55 грн
100+ 663.96 грн
IXBOD1-08IXYSSidacs 1 Amps 800V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.04 грн
10+ 1021.57 грн
20+ 865.91 грн
50+ 817.49 грн
100+ 705.45 грн
200+ 699.67 грн
500+ 664.25 грн
IXBOD1-09IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1095.41 грн
10+ 929.17 грн
100+ 803.57 грн
IXBOD1-09IXYSSidacs 1 Amps 900V
товар відсутній
IXBOD1-09LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD1-09IXYSIXBOD1-09 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD1-10IXYSSidacs 1 Amps 1000V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.04 грн
10+ 1023.23 грн
20+ 865.91 грн
50+ 817.49 грн
100+ 814.6 грн
IXBOD1-10LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.82 грн
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1156.73 грн
10+ 1020.31 грн
25+ 993.4 грн
50+ 948.17 грн
IXBOD1-10IXYSIXBOD1-10 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-10IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1230.52 грн
12+ 1065.01 грн
25+ 1042.52 грн
50+ 970.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXBOD1-12RIXYSIXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5509.54 грн
IXBOD1-12RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
товар відсутній
IXBOD1-12RIXYSSidacs 1 Amps 1200V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5396.06 грн
10+ 4918.33 грн
60+ 4082.37 грн
IXBOD1-12RDIXYSSidacs 1 Amps 1200V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.89 грн
10+ 5741.24 грн
20+ 4841.31 грн
60+ 4739.4 грн
100+ 4666.4 грн
IXBOD1-12RDIXYSIXBOD1-12RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-12RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V
товар відсутній
IXBOD1-13RIXYSIXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5618.87 грн
IXBOD1-13RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1300V
товар відсутній
IXBOD1-13RIXYSSidacs 1 Amps 1300V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBOD1-13RDIXYSSidacs 1 Amps 1300V
товар відсутній
IXBOD1-13RDIXYSIXBOD1-13RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-13RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1300V
товар відсутній
IXBOD1-14RIXYSSidacs 1 Amps 1400V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5396.06 грн
10+ 4820.24 грн
20+ 4161.88 грн
IXBOD1-14RIXYSIXBOD1-14R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-14RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
товар відсутній
IXBOD1-14RDIXYSIXBOD1-14RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-14RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
товар відсутній
IXBOD1-14RDIXYSSidacs 1 Amps 1400V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6426.54 грн
10+ 5885.87 грн
20+ 4769.03 грн
60+ 4678.68 грн
100+ 4666.4 грн
IXBOD1-15RIXYSSidacs 1 Amps 1500V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5509.06 грн
10+ 5427.04 грн
20+ 4276.81 грн
60+ 4166.94 грн
100+ 3997.08 грн
IXBOD1-15RIXYSIXBOD1-15R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-15RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1500V
товар відсутній
IXBOD1-15RLittelfuseSCR 2A(RMS) 200A 2-Pin BOD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4504.73 грн
IXBOD1-15RDIXYSIXBOD1-15RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-15RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1500V
товар відсутній
IXBOD1-15RDIXYSSidacs 1 Amps 1500V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.89 грн
10+ 5528.44 грн
20+ 4766.87 грн
60+ 4666.4 грн
IXBOD1-16RIXYSSidacs 1 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5396.91 грн
10+ 4747.93 грн
60+ 3997.08 грн
IXBOD1-16RIXYSIXBOD1-16R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-16RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1600V
товар відсутній
IXBOD1-16RDIXYSSidacs 1 Amps 1600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6301.73 грн
10+ 5741.24 грн
20+ 4858.66 грн
IXBOD1-16RDIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.6kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Case: BOD
Breakover voltage: 1.6kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Max. load current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6982.25 грн
IXBOD1-16RDLittelfuseSCR 0.3A(RMS) 50A 2-Pin BOD
товар відсутній
IXBOD1-16RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1600V
товар відсутній
IXBOD1-16RDIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.6kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Case: BOD
Breakover voltage: 1.6kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Max. load current: 0.2A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5818.54 грн
IXBOD1-17RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1700V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBOD1-17RIXYSSidacs 1 Amps 1700V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBOD1-17RIXYSIXBOD1-17R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-17RDIXYSSidacs 1 Amps 1700V
товар відсутній
IXBOD1-17RDIXYSIXBOD1-17RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-17RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1700V
товар відсутній
IXBOD1-18RIXYSIXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5509.54 грн
IXBOD1-18RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1800V
товар відсутній
IXBOD1-18RIXYSSidacs 1 Amps 1800V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5396.91 грн
10+ 4762.89 грн
20+ 4047.68 грн
60+ 3997.08 грн
IXBOD1-18RDIXYSSidacs 1 Amps 1800V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.89 грн
10+ 5486.05 грн
20+ 4745.9 грн
60+ 4721.33 грн
100+ 4666.4 грн
IXBOD1-18RDIXYSIXBOD1-18RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-18RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBOD1-19RIXYSIXBOD1-19R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-19RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
товар відсутній
IXBOD1-19RIXYSSidacs 1 Amps 1900V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBOD1-19RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1900V
товар відсутній
IXBOD1-19RDIXYSSidacs 1 Amps 1900V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.05 грн
10+ 5627.36 грн
20+ 4724.94 грн
60+ 4666.4 грн
IXBOD1-19RDIXYSIXBOD1-19RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20RIXYSSidacs 1 Amps 2000V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5396.06 грн
10+ 4820.24 грн
20+ 4162.61 грн
60+ 3997.08 грн
IXBOD1-20RIXYSIXBOD1-20R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2000V
товар відсутній
IXBOD1-20RDIXYSIXBOD1-20RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2000V
товар відсутній
IXBOD1-20RDIXYSSidacs 1 Amps 2000V
товар відсутній
IXBOD1-21RIXYSSidacs 1 Amps 2100V
товар відсутній
IXBOD1-21RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2.1kV
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 2.1kV
Type of thyristor: BOD x3
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5024.73 грн
IXBOD1-21RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2.1kV
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 2.1kV
Type of thyristor: BOD x3
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6029.68 грн
20+ 5740.21 грн
IXBOD1-21RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
товар відсутній
IXBOD1-21RDIXYSIXBOD1-21RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-21RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2100V
товар відсутній
IXBOD1-21RDIXYSSidacs 1 Amps 2100V
товар відсутній
IXBOD1-22RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
товар відсутній
IXBOD1-22RIXYSSidacs 1 Amps 2200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.89 грн
10+ 5628.19 грн
IXBOD1-22RIXYSIXBOD1-22R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-22RDIXYSSidacs 1 Amps 2200V
товар відсутній
IXBOD1-22RDIXYSIXBOD1-22RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-22RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2200V
товар відсутній
IXBOD1-23RIXYSIXBOD1-23R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-23RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2300V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBOD1-23RIXYSSidacs 1 Amps 2300V
товар відсутній
IXBOD1-23RDIXYSSidacs 1 Amps 2300V
товар відсутній
IXBOD1-23RDIXYSIXBOD1-23RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-23RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2300V
товар відсутній
IXBOD1-24RIXYSIXBOD1-24R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-24RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2400V
товар відсутній
IXBOD1-24RIXYSSidacs 1 Amps 2400V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6682.89 грн
10+ 6258.26 грн
20+ 5298.12 грн
IXBOD1-24RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2400V
товар відсутній
IXBOD1-24RDIXYSSidacs 1 Amps 2400V
товар відсутній
IXBOD1-25RIXYSSidacs 1 Amps 2500V
товар відсутній
IXBOD1-25RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2500V
товар відсутній
IXBOD1-25RIXYSIXBOD1-25R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-25RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2500V
товар відсутній
IXBOD1-25RDIXYSIXBOD1-25RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-25RDIXYSSidacs 1 Amps 2500V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7396.29 грн
10+ 6767.79 грн
20+ 5538.09 грн
100+ 5454.25 грн
IXBOD1-26RIXYSIXBOD1-26R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-26RIXYSSidacs 1 Amps 2600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBOD1-26RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V
товар відсутній
IXBOD1-26RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2600V
товар відсутній
IXBOD1-26RDIXYSIXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7404.18 грн
IXBOD1-26RDIXYSSidacs 1 Amps 2600V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6972.13 грн
10+ 6274.05 грн
20+ 5397.87 грн
60+ 5331.37 грн
IXBOD1-28RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
товар відсутній
IXBOD1-28RIXYSIXBOD1-28R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-28RIXYSSidacs 1 Amps 2800V
товар відсутній
IXBOD1-28RDIXYSSidacs 1 Amps 2800V
товар відсутній
IXBOD1-28RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
товар відсутній
IXBOD1-28RDIXYSIXBOD1-28RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
товар відсутній
IXBOD1-30RIXYSIXBOD1-30R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30RIXYSSidacs 1 Amps 3000V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.89 грн
10+ 5432.85 грн
20+ 4719.16 грн
60+ 4666.4 грн
IXBOD1-30RDIXYSIXBOD1-30RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30RDIXYSSidacs 1 Amps 3000V
товар відсутній
IXBOD1-30RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
товар відсутній
IXBOD1-32RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
товар відсутній
IXBOD1-32RIXYSIXBOD1-32R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-32RIXYSSidacs 1 Amps 3200V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6300.89 грн
10+ 5628.19 грн
20+ 4841.31 грн
IXBOD1-32RDIXYSIXBOD1-32RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-32RDIXYSSidacs 1 Amps 3200V
товар відсутній
IXBOD1-32RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
товар відсутній
IXBOD1-34RIXYSSidacs 1 Amps 3400V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBOD1-34RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
товар відсутній
IXBOD1-34RIXYSIXBOD1-34R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-36RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
товар відсутній
IXBOD1-36RIXYSIXBOD1-36R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7347.26 грн
IXBOD1-36RIXYSSidacs 1 Amps 3600V
товар відсутній
IXBOD1-38RIXYSIXBOD1-38R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-38RIXYSSidacs 1 Amps 3800V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6972.13 грн
10+ 6441.12 грн
20+ 5405.82 грн
60+ 5331.37 грн
IXBOD1-38RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
товар відсутній
IXBOD1-40RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
товар відсутній
IXBOD1-40RIXYSIXBOD1-40R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-40RIXYSSidacs 1 Amps 4000V
товар відсутній
IXBOD1-42RLittelfuseSCR 1.1A(RMS) 200A 2-Pin BOD
товар відсутній
IXBOD1-42RIXYSIXBOD1-42R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-42RIXYSSidacs 1 Amps 4200V
товар відсутній
IXBOD1-42RIXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 4200V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 4200V (4.2kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 4
товар відсутній
IXBOD2-04IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-04IXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 400V
Supplier Device Package: FP-Case
Current - Hold (Ih): 20 mA
товар відсутній
IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-04IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 400V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
товар відсутній
IXBOD2-04IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 400V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
товар відсутній
IXBOD2-05IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-05IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-06IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-06LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-06IXYSIXBOD2-06 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-06IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-07IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-07IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-07LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-07IXYSIXBOD2-07 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-08IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-08IXYSIXBOD2-08 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-08IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-09IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 900V
Kind of package: bulk
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 900V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBOD2-09LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-09IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-09IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 900V
Kind of package: bulk
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 900V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
товар відсутній
IXBOD2-09IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-10LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-10IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-10IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 1206-1215 дні (днів)
1+1371.15 грн
10+ 1191.14 грн
20+ 1007.58 грн
50+ 951.2 грн
100+ 895.55 грн
200+ 867.36 грн
500+ 811.7 грн
IXBOD2-10IXYSIXBOD2-10 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-11IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-11IXYSIXBOD2-11 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-11LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-11IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-12IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-12IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-12IXYSIXBOD2-12 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-13IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.3kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.3kV
товар відсутній
IXBOD2-13IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-13IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.3kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBOD2-13IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-14IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.4kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.4kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBOD2-14LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товар відсутній
IXBOD2-14IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.4kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.4kV
товар відсутній
IXBOD2-14IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXBOD2-15RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-15RIXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-15RIXYSIXBOD2-15R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD2-17RIXYSDescription: POWER DIODE DISC-OTHERS FP-CASE
товар відсутній
IXBOD2-17RIXYSDiscrete Semiconductor Modules PWR DISC FP-CASE OILPR
товар відсутній
IXBOD2-50RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBOD2-50RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5kV
товар відсутній
IXBOD2-50RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товар відсутній
IXBOD2-50RIXYSSidacs Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-56RIXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
товар відсутній
IXBOD2-56RIXYSSidacs Breakover Diodes
товар відсутній
IXBOD2-56RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBOD2-56RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5.6kV
товар відсутній
IXBP5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXBP5N160G
Код товару: 194939		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBP5N160GIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.6kV; 3.5A; 68W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Gate charge: 26nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 340ns
Turn-off time: 190ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.5A
Collector-emitter voltage: 1.6kV
товар відсутній
IXBP5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
товар відсутній
IXBP5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
товар відсутній
IXBR42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
товар відсутній
IXBR42N170IXYSIGBT Transistors 57Amps 1700V
товар відсутній
IXBR42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товар відсутній
IXBT10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO268
товар відсутній
IXBT10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
товар відсутній
IXBT10N170IXYSIXBT10N170 SMD IGBT transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+899.05 грн
2+ 714.67 грн
5+ 675.82 грн
IXBT12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A 160W TO268
товар відсутній
IXBT12N300LittelfuseIGBT Transistors
товар відсутній
IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 98A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 98A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товар відсутній
IXBT12N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2638.83 грн
30+ 2129.62 грн
120+ 1987.66 грн
IXBT12N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
1+2867.11 грн
10+ 2634.14 грн
30+ 2059.98 грн
60+ 2002.16 грн
120+ 1958.79 грн
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
IXBT14N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 38A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2824.71 грн
90+ 2538.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXBT14N300HVIXYSIGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3674.96 грн
10+ 3228.46 грн
30+ 2639.67 грн
60+ 2463.3 грн
120+ 2462.58 грн
270+ 2375.12 грн
510+ 2344.04 грн
IXBT14N300HVLittelfuseIXBA14N300HV
товар відсутній
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXBT16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IXBT16N170AIXYSIGBT Transistors 1700V 16A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1495.11 грн
10+ 1354.06 грн
30+ 1128.29 грн
120+ 994.57 грн
510+ 884.71 грн
1020+ 834.11 грн
2520+ 805.92 грн
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1141.33 грн
3+ 1040.52 грн
30+ 987.53 грн
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.11 грн
3+ 834.98 грн
IXBT16N170AHVIXYSDescription: IGBT
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBT16N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товар відсутній
IXBT16N170AHVLittelfuseTrans IGBTChip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1141.33 грн
3+ 1040.52 грн
30+ 987.53 грн
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.11 грн
3+ 834.98 грн
IXBT20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товар відсутній
IXBT20N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IXBT20N300HVIXYSIGBT Transistors
товар відсутній
IXBT20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товар відсутній
IXBT20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товар відсутній
IXBT20N360HV
Код товару: 129397		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBT22N300HVIXYSIGBT Transistors
товар відсутній
IXBT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A 250W TO268
товар відсутній
IXBT24N170IXYSIGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
товар відсутній
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2118.22 грн
2+ 1931.86 грн
3+ 1859.4 грн
10+ 1836.82 грн
30+ 1791.64 грн
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1765.18 грн
2+ 1550.26 грн
3+ 1549.5 грн
10+ 1530.68 грн
IXBT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1676.41 грн
10+ 1529.44 грн
30+ 1187.56 грн
60+ 1153.59 грн
120+ 1116.73 грн
510+ 1014.09 грн
IXBT2N250IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.6nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1534.42 грн
3+ 1398.93 грн
10+ 1330.86 грн
30+ 1292 грн
IXBT2N250IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.6nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1278.68 грн
3+ 1122.6 грн
10+ 1109.05 грн
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXBT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1645.06 грн
10+ 1144.43 грн
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXBT2N250-TRLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товар відсутній
IXBT2N250-TRIXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 10.6 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
товар відсутній
IXBT2N250-TRIXYSMOSFET IXBT2N250 TR
товар відсутній
IXBT32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товар відсутній
IXBT32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товар відсутній
IXBT32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXBT32N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товар відсутній
IXBT42N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBT42N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товар відсутній
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXBT42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
товар відсутній
IXBT42N170
Код товару: 37260		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXBT42N170IXYSIGBTs BIMOSFET 1700V 75A
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
1+2151.17 грн
10+ 1566.85 грн
30+ 1355.25 грн
60+ 1205.63 грн
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1480.78 грн
IXBT42N170-TRLIXYSMOSFET IXBT42N170 TRL
товар відсутній
IXBT42N170-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товар відсутній
IXBT42N170-TRLIXYSDescription: IXBT42N170 TRL
товар відсутній
IXBT42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A 357W TO268
товар відсутній
IXBT42N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBT42N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товар відсутній
IXBT42N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 42A IGBT
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4207.06 грн
10+ 3936.66 грн
30+ 3168.76 грн
60+ 3107.32 грн
120+ 2957.7 грн
IXBT42N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 104A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3871.84 грн
30+ 3276.44 грн
120+ 3050.48 грн
IXBT42N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 104A 500000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товар відсутній
IXBT42N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Turn-off time: 950ns
Turn-on time: 652ns
Pulsed collector current: 400A
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4231.58 грн
30+ 3923.76 грн
IXBT42N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Turn-off time: 950ns
Turn-on time: 652ns
Pulsed collector current: 400A
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3526.31 грн
IXBT6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.13 грн
10+ 610.12 грн
IXBT6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.36 грн
10+ 433.45 грн
IXBT6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBT6N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 75W
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 36A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 104ns
Kind of package: tube
Case: D3PAK
Turn-off time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBT6N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 75W
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 36A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 104ns
Kind of package: tube
Case: D3PAK
Turn-off time: 700ns
товар відсутній
IXBX25N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3804.82 грн
10+ 3498.6 грн
30+ 2915.05 грн
IXBX25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3325.31 грн
10+ 2987.05 грн
100+ 2593.51 грн
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX25N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 694ns
Turn-off time: 650ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBX25N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 694ns
Turn-off time: 650ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товар відсутній
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX50N360HVIXYSIXBX50N360HV THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBX50N360HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4980.95 грн
5+ 4669.59 грн
10+ 4358.23 грн
50+ 3949.05 грн
IXBX50N360HVIXYSIGBT Transistors 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5346.31 грн
10+ 5090.39 грн
30+ 4033.22 грн
60+ 4028.89 грн
120+ 3761.45 грн
IXBX50N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5075.15 грн
10+ 4429.33 грн
100+ 3971.1 грн
IXBX50N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV
товар відсутній
IXBX55N300IXYSIGBT Transistors Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7365.93 грн
10+ 6628.15 грн
30+ 5498.34 грн
60+ 5376.19 грн
120+ 5243.19 грн
IXBX55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товар відсутній
IXBX64N250IXYSDescription: IGBT 2500V
товар відсутній
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX64N250IXYSGate Drivers 2500V 64A
товар відсутній
IXBX75N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 350nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 580A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 277ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 840ns
товар відсутній
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXBX75N170IXYSIGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 200A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 476-485 дні (днів)
1+5586.64 грн
10+ 5172.68 грн
30+ 4352.7 грн
IXBX75N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 350nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 580A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 277ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 840ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBX75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4557.55 грн
30+ 3857.19 грн
IXBX75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
товар відсутній
IXBX75N170AIXYSIXBX75N170A THT IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4538.28 грн
IXBX75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
товар відсутній