Продукція > IXB

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXB027WJW1Q
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB027WJZZQ
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB033WJZZQ
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB078WJZZQ
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB119WJZZQPANAQFP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB144WJZZQSHARPQFP
на замовлення 21106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB200I600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB246WJZZQ
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB249WJZZQ
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB251WJZZQ
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB326SHARPQFP
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB611P1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXB611S1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXB611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXB80IF600NAIXYSIGBTs XPT Single IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB80IF600NAIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
IGBT Type: NPT, PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Input Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA10N300HVIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVIXYSIGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVIXYSDescription: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2688.71 грн
50+1643.91 грн
100+1631.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Collector current: 38A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 3kV
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVIXYSMOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2138.07 грн
10+1898.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410IXYSDIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PCIXYS COR..DIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PIDIXYS1995 DIP
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410SIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411IXYSDIP
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411PIIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411PIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411SIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4412PI96/97
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF 40N140/160IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF10N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/390ns
Switching Energy: 7.2mJ (on), 1.04mJ (off)
Test Condition: 1500V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF10N300CIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF14N250IXYSDescription: IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF14N250IXYS Integrated CircuitsGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF14N250IXYSGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF15N300CIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF15N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF1958LittelfuseLittelfuse Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360IXYSDescription: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4790.28 грн
25+3560.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 20A; 230W
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Power dissipation: 230W
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Collector-emitter voltage: 3.6kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBF20N360 - IGBT, 45 A, 2.9 V, 230 W, 3.6 kV, ISOPLUS i4-PAK, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: -
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360IXYSIGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4945.95 грн
10+4332.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300IXYSIGBT Transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF40N160Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF40N160IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2185.85 грн
10+1986.32 грн
25+1649.22 грн
100+1475.26 грн
500+1384.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300IXYSMOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300IXYSDescription: IGBT 3000V TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360IXYSIGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360IXYSDescription: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF55N300IXYSIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.12 грн
10+453.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V 1600V 9A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH 40N140/160IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+679.22 грн
10+567.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSIGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+845.67 грн
10+508.09 грн
120+389.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.78 грн
30+476.27 грн
120+406.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6394.86 грн
3+5242.56 грн
10+4711.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 10A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 180 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV
Код товару: 161629
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300IXYSIGBTs TO247 3KV 12A IGBT
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3331.12 грн
10+2511.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300BIMOSFET IGBT 3000V, Ic25=30A, Ic90=12A, 300Вт, TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3199.73 грн
30+2080.47 грн
120+2026.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2499.95 грн
5+2324.38 грн
10+2150.41 грн
25+1834.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250IXYS Integrated CircuitsGate Drivers 2500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250IXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250AIXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250AIXYS Integrated CircuitsGate Drivers 14 Amps 2500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 200W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 14A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSIGBTs 1700V 25A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1473.88 грн
10+1064.61 грн
120+783.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1196.79 грн
30+717.58 грн
120+632.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IGBT 1700V 40A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1181.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1248.37 грн
5+1053.66 грн
10+972.23 грн
30+835.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.44 грн
10+970.93 грн
120+841.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1497.35 грн
30+910.53 грн
120+794.41 грн
510+732.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+904.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]