Продукція > IXB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXB027WJW1Q
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB027WJZZQ
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB033WJZZQ
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB078WJZZQ
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB119WJZZQPANAQFP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB144WJZZQPANAQFP
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB144WJZZQSHARPQFP
на замовлення 21106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB200I600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB246WJZZQ
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB249WJZZQ
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB251WJZZQ
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB326SHARPQFP
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXB611P1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB611S1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB80IF600NAIXYSIGBTs XPT Single IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXB80IF600NAIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT, PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA10N300HVIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVIXYSDescription: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVIXYSIGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Power dissipation: 150W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1553.95 грн
2+1364.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2248.09 грн
10+1996.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVIXYSMOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Power dissipation: 150W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1864.74 грн
2+1700.15 грн
50+1585.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHVLittelfuseHigh Voltage, High Gain BIMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410IXYSDIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PCIXYS COR..DIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PIIXYSDIP16
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PIDIXYS1995 DIP
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410PIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4410SIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411IXYSDIP
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411PIIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411PIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4411SIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBD4412PI96/97
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF 40N140/160IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF10N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/390ns
Switching Energy: 7.2mJ (on), 1.04mJ (off)
Test Condition: 1500V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF10N300CIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF14N250IXYSGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF14N250IXYSDescription: IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF15N300CIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF15N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF1958LittelfuseLittelfuse Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Power dissipation: 150W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5249.72 грн
3+4630.09 грн
10+4293.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Power dissipation: 150W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4374.77 грн
3+3715.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360IXYSDescription: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4999.19 грн
25+3715.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 45A 230000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBF20N360 - IGBT, 45 A, 2.9 V, 230 W, 3.6 kV, ISOPLUS i4-PAK, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: -
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360IXYSIGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5408.46 грн
10+4784.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF22N300LittelfuseBipolar MOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300IXYSIGBT Transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF40N160IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2390.25 грн
10+2172.06 грн
25+1803.45 грн
100+1613.21 грн
500+1514.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 60A 240000mW ISOPLUS I4-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300IXYSMOSFET IGBT DISC IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300IXYSDescription: IGBT 3000V TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360IXYSDescription: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360IXYSIGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF55N300IXYSIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V 1600V 9A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.94 грн
10+476.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH 40N140/160IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+863.78 грн
30+717.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSIGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.07 грн
10+472.26 грн
120+370.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.39 грн
30+421.96 грн
120+358.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7261.81 грн
3+6182.28 грн
10+5350.33 грн
30+5263.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV
Код товару: 161629
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6051.51 грн
3+4961.09 грн
10+4458.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 10A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2628.59 грн
5+2443.98 грн
10+2261.06 грн
25+1928.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™; FRED
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300IXYSIGBTs TO247 3KV 12A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250IXYSGate Drivers 2500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250IXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250AIXYSGate Drivers 14 Amps 2500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N250AIXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 14A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.55 грн
5+822.52 грн
10+749.39 грн
30+614.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.01 грн
30+755.37 грн
120+665.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1157.46 грн
5+1024.99 грн
10+899.27 грн
30+736.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170IXYSIGBTs 1700V 25A
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1363.34 грн
10+856.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1031.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+789.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.87 грн
30+802.42 грн
120+714.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6354.34 грн
10+5121.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Gate charge: 105nC
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5085.75 грн
30+3793.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3300.13 грн
5+3033.38 грн
10+2765.78 грн
50+2482.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7974.85 грн
10+6826.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7371.40 грн
30+5927.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2173.60 грн
10+1550.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1602.16 грн
30+979.14 грн
120+898.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1526.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1832.22 грн
2+1670.75 грн
10+1547.54 грн
30+1546.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170(транзистор )
Код товару: 43528
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH28N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/265ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH28N170AIXYSIGBT Transistors 30Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5332.72 грн
10+4962.24 грн
30+3999.44 грн
60+3901.31 грн
120+3714.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1888.78 грн
30+1270.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250
Код товару: 131686
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300IXYSIGBTs TO247 3KV 32A IGBT
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5385.56 грн
10+4257.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 80A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 80A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247HV
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160IXYSIGBTs 1600V 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2060.27 грн
30+1289.96 грн
120+1243.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2385.55 грн
5+2293.24 грн
10+2200.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170
Код товару: 40513
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170IXYSIGBTs 1700V 75A
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2315.39 грн
10+1907.28 грн
120+1450.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170AIXYSIGBTs BIMOSET 42A 1700V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2828.85 грн
10+2105.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1585.83 грн
30+1096.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 188nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Power dissipation: 357W
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 265A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N250IXYSDescription: IGBT 2500V 104A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3367.64 грн
30+2299.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N250IXYSIGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2993.54 грн
10+2629.57 грн
30+2243.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH42N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1117.10 грн
30+662.76 грн
120+572.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170
Код товару: 83906
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 36A
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1209.22 грн
10+733.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH9N160G
Код товару: 60732
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO264
Gate charge: 335nC
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 637ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6761.16 грн
10+6133.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7863.81 грн
25+6272.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO264
Gate charge: 335nC
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 637ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+8113.40 грн
10+7643.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 130A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300IXYSIGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250IXYSIGBTs BIMOSFET 2500V 75A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8200.32 грн
10+6787.05 грн
100+5899.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 64A
Gate-emitter voltage: ±25V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Turn-off time: 397ns
Turn-on time: 632ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7581.27 грн
25+6128.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4666.02 грн
10+4246.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.35µC
Turn-on time: 277ns
Turn-off time: 840ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 580A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3714.69 грн
25+2543.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBK75N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 200A, TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 1.04
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6
Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BiMOSFET Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL20N300CLittelfuseMonolithic Bipolar MOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL20N300CIXYSDescription: IGBT 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360IXYSDescription: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360IXYSIGBT Transistors 3600V/92A Rev Conducting IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 92A 417000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 116A 500mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL64N250IXYSIGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 313W
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 265A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3091.30 грн
10+2932.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIxys CorporationTrans IGBT Module N-CH 1700V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4188.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSIGBTs 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 313W
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 265A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2576.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170IXYSIGBT Modules 145Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 625W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6755.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 625W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+8106.28 грн
10+7689.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4484.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5381.83 грн
3+4586.00 грн
10+3963.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170AIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.26 грн
10+1105.43 грн
25+1088.00 грн
50+996.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06IXYSSidacs 1 Amps 600V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1224.19 грн
10+1063.46 грн
20+917.95 грн
50+875.68 грн
100+813.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-06IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Breakover-Diode
Sperrspannung Vrwm: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1128.84 грн
5+1051.77 грн
10+974.71 грн
50+827.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-07IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-07LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-07IXYSSidacs 1 Amps 700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.84 грн
10+1147.84 грн
25+1122.62 грн
50+1045.57 грн
100+773.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1132.62 грн
10+960.92 грн
100+831.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08IXYSSidacs 1 Amps 800V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1230.36 грн
10+1066.93 грн
20+904.37 грн
50+853.79 грн
100+736.78 грн
200+730.74 грн
500+693.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1242.29 грн
12+1076.32 грн
25+1052.67 грн
50+980.42 грн
100+725.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-09LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-09IXYSSidacs 1 Amps 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-09IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.05 грн
10+970.44 грн
100+839.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1242.32 грн
12+1075.22 грн
25+1052.52 грн
50+979.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10IXYSSidacs 1 Amps 1000V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1230.36 грн
10+1068.67 грн
20+904.37 грн
50+853.79 грн
100+850.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1347.49 грн
10+1188.58 грн
25+1157.23 грн
50+1104.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RIXYSSidacs 1 Amps 1200V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5520.31 грн
10+4800.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RIXYSIXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5754.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-12RDIXYSSidacs 1 Amps 1200V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7019.28 грн
10+6312.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-13RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-13RIXYSIXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5869.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-13RIXYSSidacs 1 Amps 1300V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-13RDIXYSSidacs 1 Amps 1300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-13RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-14RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-14RIXYSSidacs 1 Amps 1400V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5635.68 грн
10+5034.29 грн
20+4346.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-14RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-14RDIXYSSidacs 1 Amps 1400V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6711.91 грн
10+6147.24 грн
20+4980.81 грн
60+4886.45 грн
100+4873.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-15RLittelfuseSCR 2A(RMS) 200A 2-Pin BOD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4704.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-15RIXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 1500V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 1500V (1.5kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 2
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4405.53 грн
20+3567.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-15RIXYSSidacs 1 Amps 1500V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5753.70 грн
10+5668.03 грн
20+4466.72 грн
60+4351.98 грн
100+4174.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-15RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-15RDIXYSSidacs 1 Amps 1500V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6171.15 грн
10+5604.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-16RIXYSSidacs 1 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5636.56 грн
10+4958.76 грн
60+4174.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-16RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-16RDIXYSIXBOD1-16RD Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6761.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-16RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-16RDIXYSSidacs 1 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6599.18 грн
10+6280.06 грн
20+4873.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-16RDLittelfuseSCR 0.3A(RMS) 50A 2-Pin BOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-17RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1700V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-17RIXYSSidacs 1 Amps 1700V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-17RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-17RDIXYSSidacs 1 Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18RIXYSSidacs 1 Amps 1800V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5636.56 грн
10+4974.39 грн
20+4227.42 грн
60+4174.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18RIXYSIXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5754.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18RDIXYSIXBOD1-18RD Thyristors - others
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5941.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18RDIXYSSidacs 1 Amps 1800V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5928.96 грн
10+5604.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-19RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-19RIXYSSidacs 1 Amps 1900V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-19RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-19RDIXYSSidacs 1 Amps 1900V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6579.80 грн
10+5877.25 грн
20+4934.76 грн
60+4873.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-20RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-20RIXYSSidacs 1 Amps 2000V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5635.68 грн
10+5034.29 грн
20+4347.45 грн
60+4174.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-20RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-20RDIXYSSidacs 1 Amps 2000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21RIXYSIXBOD1-21R Thyristors - others
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5869.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21RIXYSSidacs 1 Amps 2100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21RDIXYSSidacs 1 Amps 2100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-22RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-22RIXYSSidacs 1 Amps 2200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6580.68 грн
10+5878.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-22RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-22RDIXYSSidacs 1 Amps 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-23RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2300V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-23RIXYSSidacs 1 Amps 2300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-23RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-23RDIXYSSidacs 1 Amps 2300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-24RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-24RIXYSSidacs 1 Amps 2400V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7019.28 грн
10+6439.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-24RDIXYSSidacs 1 Amps 2400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-24RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-25RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-25RIXYSSidacs 1 Amps 2500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-25RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-25RDIXYSSidacs 1 Amps 2500V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7724.73 грн
10+7068.32 грн
20+5784.02 грн
100+5696.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-26RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-26RIXYSSidacs 1 Amps 2600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-26RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-26RDIXYSIXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7839.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-26RDIXYSSidacs 1 Amps 2600V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7075.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-28RIXYSSidacs 1 Amps 2800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-28RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-28RDIXYSSidacs 1 Amps 2800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-28RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-30RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-30RIXYSSidacs 1 Amps 3000V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5685.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-30RDIXYSSidacs 1 Amps 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-30RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-32RIXYSSidacs 1 Amps 3200V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6721.60 грн
10+6004.86 грн
20+5122.73 грн
60+4967.97 грн
100+4873.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-32RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-32RDIXYSSidacs 1 Amps 3200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-32RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-34RIXYSSidacs 1 Amps 3400V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-34RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-36RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.6kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+10426.28 грн
3+8819.22 грн
10+7660.31 грн
20+7379.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-36RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-36RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.6kV
Kind of package: bulk
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8688.57 грн
3+7077.16 грн
10+6383.59 грн
20+6149.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-36RIXYSSidacs 1 Amps 3600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-38RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.8kV
Kind of package: bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8612.35 грн
3+7077.16 грн
10+6369.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-38RIXYSSidacs 1 Amps 3800V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7281.73 грн
10+6727.15 грн
20+5645.87 грн
60+5568.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-38RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Mounting: THT
Max. load current: 0.7A
Case: BOD
Breakover voltage: 3.8kV
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+10334.82 грн
3+8819.22 грн
10+7643.33 грн
20+7360.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-38RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-40RIXYSSidacs 1 Amps 4000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-40RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-42RLittelfuseSCR 1.1A(RMS) 200A 2-Pin BOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-42RIXYSSidacs 1 Amps 4200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-42RIXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 4200V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 4200V (4.2kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04IXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 400V
Supplier Device Package: FP-Case
Current - Hold (Ih): 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-05IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-05IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-06IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-06LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-06IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-07LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-07IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-07IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-08IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-08IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-09LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-10IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 1206-1215 дні (днів)
1+1432.04 грн
10+1244.03 грн
20+1052.33 грн
50+993.44 грн
100+935.32 грн
200+905.88 грн
500+847.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-11LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-12IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-12IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-13IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-13IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-14IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-14LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-15RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-15RIXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-17RIXYSDescription: POWER DIODE DISC-OTHERS FP-CASE
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-17RIXYSDiscrete Semiconductor Modules PWR DISC FP-CASE OILPR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-32RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-36RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-50RIXYSSidacs Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56RIXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-56RIXYSSidacs Breakover Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160G
Код товару: 194939
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBP5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBR42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBR42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBR42N170IXYSIGBT Transistors 57Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+750.98 грн
2+715.34 грн
3+626.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Power dissipation: 140W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.81 грн
2+574.04 грн
3+522.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300IXYSIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160W 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3247.60 грн
30+2191.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3510.52 грн
10+2820.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HVIXYSIGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3481.46 грн
10+2496.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HVLittelfuseIXBA14N300HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3218.20 грн
30+2167.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1056.86 грн
3+861.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1619.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1498.09 грн
10+1264.87 грн
30+1034.21 грн
60+994.20 грн
120+957.96 грн
270+912.67 грн
510+877.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1268.23 грн
3+1073.99 грн
10+928.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIxys CorporationIXBT16N170AHV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1619.62 грн
10+1454.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1251.97 грн
3+1073.99 грн
10+928.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVLittelfuseTrans IGBTChip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1043.31 грн
3+861.84 грн
10+773.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HVIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HV
Код товару: 129397
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT22N300HVIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Turn-on time: 190ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1295.66 грн
3+1080.45 грн
10+1009.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSIGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Turn-on time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1554.80 грн
3+1346.40 грн
10+1211.61 грн
30+1166.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1671.57 грн
30+1024.75 грн
120+947.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1750.86 грн
10+1597.36 грн
30+1240.30 грн
60+1204.81 грн
120+1166.32 грн
510+1059.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-off time: 252ns
Turn-on time: 310ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1673.69 грн
3+1463.99 грн
10+1349.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.6nC
Turn-off time: 252ns
Turn-on time: 310ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: BiMOSFET™
Case: TO268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250-TRLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250-TRIXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 10.6 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250-TRIXYSMOSFET IXBT2N250 TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170IXYSIGBTs BIMOSFET 1700V 75A
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2743.42 грн
10+2075.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2582.86 грн
5+2423.65 грн
10+2265.29 грн
50+1955.65 грн
100+1668.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1546.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2537.16 грн
30+1617.44 грн
120+1613.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170
Код товару: 37260
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170-TRLIXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/340ns
Test Condition: 850V, 42A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170-TRLIXYSMOSFET IXBT42N170 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A 357W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 42A IGBT
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4178.10 грн
10+3458.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 104A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3838.81 грн
30+2696.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT42N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 104A 500000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT6N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Power dissipation: 75W
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1271.75 грн
10+892.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.90 грн
30+700.69 грн
120+608.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250IXYSIGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3127.41 грн
10+2995.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3441.13 грн
30+2356.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4968.16 грн
30+3667.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4799.88 грн
5+4706.73 грн
10+4612.73 грн
50+4196.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HVIXYSIGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10570.31 грн
10+9892.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250IXYSGate Drivers 2500V 64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 156A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/232ns
Test Condition: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 156 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 735 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5225.27 грн
10+4607.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4706.85 грн
30+3457.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 358nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2007.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 358nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.04kW
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2409.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.