Продукція > IXYS > IXBN75N170A
IXBN75N170A

IXBN75N170A IXYS


98938.pdf Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3543.91 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBN75N170A IXYS

Description: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXBN75N170A за ціною від 4252.69 грн до 4252.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBN75N170A IXBN75N170A Виробник : IXYS 98938.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4252.69 грн
IXBN75N170A IXBN75N170A Виробник : Littelfuse elfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBN75N170A IXBN75N170A Виробник : Littelfuse elfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
товар відсутній
IXBN75N170A IXBN75N170A Виробник : IXYS 98938.pdf Description: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
товар відсутній
IXBN75N170A IXBN75N170A Виробник : IXYS ixys_s_a0008597216_1-2273222.pdf IGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
товар відсутній