Продукція > IXYS > IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV

IXFA8N85XHV IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284EDE0DB0C5820&compId=IXFP(Q)8N85X_HV.pdf?ci_sign=a8e6404908a41fd6ea4d855574b806b2f1938c58 Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Mounting: SMD
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Reverse recovery time: 125ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.01 грн
3+356.27 грн
8+338.06 грн
10+332.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA8N85XHV IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA8N85XHV за ціною від 390.47 грн до 513.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA8N85XHV IXFA8N85XHV Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284EDE0DB0C5820&compId=IXFP(Q)8N85X_HV.pdf?ci_sign=a8e6404908a41fd6ea4d855574b806b2f1938c58 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Mounting: SMD
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 850V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Reverse recovery time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.62 грн
3+443.97 грн
8+405.67 грн
10+399.02 грн
50+390.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV IXFA8N85XHV Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHV IXFA8N85XHV Виробник : IXYS media-3321477.pdf MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.