Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXF1002ECLEVEL ONE09+ .
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1002ECLEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1002EDRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12309.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1002ED-GRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10284.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1024ECINTEL
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1024ECA2INTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF102AIconDescription: HEADLIGHT LED 5/50LM AA(1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CEINTELTO92
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CEINTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CEMOTBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CE.BOINTELBGA 0612+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF150N10IXYSMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF18203EC B1INTELBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF30003INTEL02+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF3208BE COINTELBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6012EE B1INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6012EE B1LEVELONEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6012EEB1INTEL04+ BGA
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6151BE A2INTEL01+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6401BEC-7LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6401BEC7A1835148IntelDescription: IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6402BEC B4INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6402BEC B4LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PIXYSMOSFETs 600V 10A
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.19 грн
10+350.26 грн
50+171.41 грн
100+158.17 грн
250+157.44 грн
500+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.65 грн
50+179.54 грн
100+165.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.78 грн
10+245.00 грн
100+175.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P-TRLIXYSMOSFETs 600V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 29842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.54 грн
50+179.54 грн
100+168.72 грн
500+146.36 грн
1000+139.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.80 грн
10+313.88 грн
50+183.92 грн
100+169.21 грн
500+160.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.98 грн
3+244.46 грн
5+195.42 грн
13+184.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.57 грн
3+304.64 грн
5+234.50 грн
13+221.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA10N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSMOSFETs 110Amps 150V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.28 грн
10+455.17 грн
50+335.47 грн
100+300.16 грн
250+288.39 грн
500+281.03 грн
1000+278.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.37 грн
3+411.59 грн
4+315.42 грн
10+297.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+395.31 грн
3+330.29 грн
4+262.85 грн
10+248.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA110N15T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.84 грн
3+280.76 грн
5+215.19 грн
14+204.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.87 грн
3+225.30 грн
5+179.32 грн
14+170.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSMOSFETs 500V 12A
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.05 грн
10+263.96 грн
50+194.22 грн
100+177.30 грн
250+149.34 грн
500+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P-TRLIXYSMOSFETs IXFA12N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.36 грн
50+195.08 грн
100+177.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA12N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+404.06 грн
5+268.35 грн
12+243.69 грн
100+242.78 грн
500+234.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.62 грн
50+266.01 грн
100+232.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.30 грн
10+333.34 грн
50+258.96 грн
100+225.85 грн
250+206.73 грн
500+203.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.72 грн
5+215.34 грн
12+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA130N10T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.97 грн
50+530.79 грн
100+474.93 грн
500+393.27 грн
1000+353.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+795.64 грн
10+708.98 грн
50+603.26 грн
100+545.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3IXYSIXFA130N15X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.06 грн
10+245.35 грн
50+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PIXYSIXFA14N60P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P-TRLIXYSMOSFETs IXFA14N60P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVIXYSIXFA14N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+423.87 грн
4+336.57 грн
9+317.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+311.80 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.41 грн
10+339.26 грн
50+178.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA16N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.32 грн
3+327.56 грн
5+251.05 грн
12+237.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO263
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.43 грн
3+262.85 грн
5+209.21 грн
12+197.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSMOSFETs 600V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.33 грн
3+341.79 грн
8+323.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+615.99 грн
3+425.92 грн
8+388.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.55 грн
3+312.66 грн
8+295.04 грн
50+290.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+507.05 грн
3+389.63 грн
8+354.05 грн
50+348.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.45 грн
50+312.59 грн
100+287.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.74 грн
10+426.40 грн
50+314.87 грн
100+286.92 грн
250+256.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRLLittelfuseN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA180N10T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+573.41 грн
3+497.54 грн
7+453.36 грн
10+446.01 грн
50+436.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.84 грн
3+399.26 грн
7+377.80 грн
10+371.67 грн
50+364.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XLittelfuseX-CLASS HIPER FET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X3LittelfuseMOSFETs TO263 650V 18A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.34 грн
3+235.88 грн
10+211.51 грн
50+206.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.95 грн
3+189.28 грн
10+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 20A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N60X3LittelfuseMOSFETs TO263 600V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVIXYSIXFA20N85XHV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.91 грн
50+534.69 грн
100+415.66 грн
250+407.57 грн
500+379.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV-TRLIXYSMOSFET IXFA20N85XHV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
на замовлення 294 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+381.08 грн
10+315.57 грн
50+258.96 грн
100+221.44 грн
250+209.67 грн
500+197.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3
Код товару: 147921
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+362.30 грн
3+302.70 грн
4+248.29 грн
10+234.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+434.76 грн
3+377.21 грн
4+297.95 грн
10+281.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3IXYSMOSFETs TO263 600V 22A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.57 грн
50+297.52 грн
100+266.01 грн
500+216.83 грн
1000+186.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.04 грн
10+349.41 грн
50+222.18 грн
500+213.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2IXYSIXFA22N65X2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.06 грн
10+312.89 грн
100+226.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+193.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA22N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2IXYSIXFA230N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.73 грн
4+341.17 грн
9+322.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.48 грн
50+287.73 грн
100+266.70 грн
500+233.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7IXYSIXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+446.64 грн
4+354.97 грн
9+335.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+488.24 грн
3+424.01 грн
4+324.62 грн
10+307.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+406.87 грн
3+340.25 грн
4+270.52 грн
10+255.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3IXYSIXFA26N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.95 грн
10+379.87 грн
50+189.07 грн
100+187.60 грн
500+183.92 грн
1000+169.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3IXYSIXFA26N50P3 SMD N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+479.32 грн
4+336.57 грн
9+317.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N65X3LittelfuseMOSFETs TO263 650V 26A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA28N60X3LittelfuseMOSFETs TO263 600V 28A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.21 грн
10+494.59 грн
100+409.45 грн
500+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3IXYSMOSFETs TO263 250V 30A N-CH HIPER
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.33 грн
10+430.63 грн
50+281.03 грн
100+273.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3IXYSIXFA30N25X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2IXYSMOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA34N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.56 грн
5+407.69 грн
10+359.00 грн
50+288.91 грн
100+248.29 грн
250+243.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3LittelfuseDiscrete MOSFET 34A 650V X3 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3IXYSIXFA34N65X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.34 грн
50+460.24 грн
100+371.52 грн
500+310.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET 34A 650V X3 TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3IXYSIXFA36N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.71 грн
10+371.41 грн
50+305.31 грн
100+264.85 грн
500+225.12 грн
1000+190.54 грн
2500+178.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.54 грн
50+259.14 грн
100+237.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3IXYSIXFA36N30P3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3IXYSMOSFETs TO263 300V 36A N-CH POLAR
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.47 грн
10+352.80 грн
50+218.50 грн
100+205.99 грн
250+204.52 грн
500+193.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N55X2IXYSMOSFETs TO263 550V 36A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N55X2Littelfuse Inc.Description: IXFA36N55X2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3IXYSMOSFETs TO263 600V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+573.34 грн
50+381.56 грн
100+300.89 грн
250+299.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Case: TO263
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.84 грн
50+322.81 грн
100+290.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Case: TO263
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.93 грн
10+450.94 грн
50+232.48 грн
100+226.59 грн
500+221.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.41 грн
50+250.38 грн
100+231.47 грн
500+197.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3IXYSIXFA38N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+403.07 грн
4+320.94 грн
10+302.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.87 грн
5+850.27 грн
10+814.05 грн
25+782.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 350 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
1+684.06 грн
10+631.14 грн
50+465.69 грн
100+449.50 грн
250+424.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120
Код товару: 83348
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120IXYSIXFA3N120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+876.67 грн
25+843.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXFA3N120 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXFA3N120 TRR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N80IXYSMOSFETs 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+291.20 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3IXYSMOSFET MOSFET DISC X3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.76 грн
10+346.87 грн
50+169.21 грн
100+155.96 грн
1000+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PIXYSIXFA4N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.85 грн
50+178.59 грн
100+164.22 грн
500+131.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA4N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QIXYSIXFA4N100Q SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.52 грн
10+555.00 грн
50+436.26 грн
100+385.50 грн
250+363.43 грн
500+350.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.93 грн
50+373.70 грн
100+347.64 грн
500+316.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QTRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSIXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.50 грн
6+203.23 грн
15+192.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.40 грн
10+295.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSIXFA50N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3IXYSIXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+645.70 грн
3+453.36 грн
7+428.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.18 грн
50+367.40 грн
100+341.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.33 грн
50+469.55 грн
500+400.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3-TRLLittelfuse DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.46 грн
10+358.72 грн
50+264.11 грн
250+214.82 грн
500+200.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA5N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.18 грн
50+373.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3IXYSIXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+545.68 грн
3+435.89 грн
7+411.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.06 грн
50+299.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.45 грн
50+407.61 грн
100+379.86 грн
500+352.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808.51 грн
10+734.36 грн
50+544.40 грн
100+495.11 грн
250+478.19 грн
500+437.00 грн
1000+402.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PIXYSIXFA6N120P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFETs IXFA6N120P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.43 грн
10+665.83 грн
50+552.50 грн
100+478.93 грн
500+417.87 грн
1000+354.60 грн
2500+342.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.92 грн
50+392.75 грн
100+362.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+827.92 грн
3+470.80 грн
7+429.45 грн
100+412.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.94 грн
3+377.80 грн
7+357.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3IXYSIXFA72N30X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+790.62 грн
5+752.66 грн
10+713.87 грн
50+606.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.32 грн
10+654.83 грн
50+396.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.35 грн
50+417.55 грн
100+411.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSIXFA76N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.53 грн
4+282.32 грн
11+266.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.88 грн
5+450.61 грн
10+376.33 грн
50+280.48 грн
100+251.12 грн
250+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSIXFA7N100P SMD N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+519.93 грн
4+328.30 грн
10+310.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.43 грн
10+434.02 грн
50+262.64 грн
100+245.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.97 грн
50+276.85 грн
100+256.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.72 грн
6+150.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.71 грн
50+179.55 грн
100+163.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+404.06 грн
6+188.13 грн
17+171.05 грн
500+168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.49 грн
3+421.48 грн
6+398.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.69 грн
50+432.83 грн
100+425.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+692.37 грн
20+622.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.55 грн
10+681.90 грн
50+412.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+677.39 грн
3+525.23 грн
6+478.19 грн
60+465.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+553.36 грн
25+529.60 грн
50+509.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.96 грн
50+429.71 грн
100+395.72 грн
500+338.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.58 грн
5+647.02 грн
10+551.29 грн
50+422.25 грн
100+360.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+670.36 грн
50+457.16 грн
100+449.60 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.40 грн
10+741.97 грн
25+615.77 грн
100+534.10 грн
500+465.69 грн
800+395.80 грн
2400+381.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+374.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.47 грн
10+488.85 грн
100+375.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.07 грн
10+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
10+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVIXYSIXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+522.90 грн
3+414.74 грн
8+391.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.45 грн
2+450.61 грн
3+431.45 грн
6+426.08 грн
10+409.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+620.94 грн
2+561.52 грн
3+517.74 грн
6+511.30 грн
10+491.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PIXYSMOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+2519.10 грн
10+1907.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2284.39 грн
5+2089.62 грн
10+1894.03 грн
50+1703.56 грн
100+1521.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50P                                       497         
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50 IXYS08+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1771.47 грн
25+1308.59 грн
100+1124.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSMOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1853.06 грн
10+1779.21 грн
25+1177.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB120N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB120N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB120N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3
Код товару: 94706
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYSIXFB132N50P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1938.59 грн
25+1287.78 грн
100+1238.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYSMOSFETs 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2069.35 грн
10+1680.22 грн
25+1411.77 грн
50+1381.61 грн
100+1352.18 грн
250+1290.39 грн
500+1237.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2563.49 грн
5+2489.47 грн
10+2281.76 грн
25+1992.70 грн
100+1754.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2179.58 грн
5+2068.99 грн
10+1958.40 грн
50+1715.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2403.56 грн
2+2191.66 грн
25+2067.27 грн
100+2028.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2361.96 грн
25+1808.74 грн
100+1623.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2253.03 грн
10+1930.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2002.96 грн
2+1758.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2680.97 грн
10+2457.28 грн
25+2145.98 грн
100+1889.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PIXYSIXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2233.71 грн
2+2112.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2740.54 грн
10+2400.20 грн
25+1946.61 грн
50+1912.77 грн
100+1879.67 грн
250+1685.45 грн
500+1642.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.88 грн
10+1457.44 грн
25+1405.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5kW
Polarisation: unipolar
Case: PLUS264™
Kind of package: tube
Gate charge: 255nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5kW
Polarisation: unipolar
Case: PLUS264™
Kind of package: tube
Gate charge: 255nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2316.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20PIXYSMOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3IXYSIXFB210N30P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2267.26 грн
25+1879.39 грн
100+1645.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2253.88 грн
10+1923.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2438.71 грн
10+2249.72 грн
25+2086.32 грн
100+1784.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PIXYSIXFB300N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2233.71 грн
2+2112.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2488.50 грн
25+1605.78 грн
100+1556.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PIXYSMOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2756.84 грн
10+2506.80 грн
100+2031.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22500 pF @ 25 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3139.47 грн
25+2299.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYSMOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3420.31 грн
10+3236.08 грн
25+2486.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 1000V 0.25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3641.62 грн
25+2938.71 грн
100+2742.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q3 3&44
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4097.50 грн
10+3769.93 грн
25+3139.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1.1kV; 40A; 1560W; 434ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 434ns
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 0.26Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1.1kV; 40A; 1560W; 434ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 434ns
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 0.26Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1876.70 грн
2+1648.39 грн
5+1647.62 грн
25+1584.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2252.04 грн
2+2054.14 грн
5+1977.14 грн
25+1901.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2340.48 грн
25+1549.96 грн
100+1486.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P
Код товару: 199488
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2866.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYSMOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2444.43 грн
25+1788.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2470.90 грн
5+2276.13 грн
10+2081.37 грн
50+1751.08 грн
100+1449.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3622.01 грн
10+2961.97 грн
25+2360.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.22Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.22Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYSMOSFET 50 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PIXYSIXFB60N80P THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2024.96 грн
2+1914.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P
Код товару: 154209
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PIXYSMOSFETs 60 Amps 800V 0.14 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2328.56 грн
10+2154.00 грн
25+1397.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2138.34 грн
25+1362.48 грн
100+1314.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 62A
On-state resistance: 0.14Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2989.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 62A
On-state resistance: 0.14Ω
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2491.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2711.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100XLittelfuseX-Class Hiperfet Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100XIXYSMOSFETs 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3192.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60Q2IXYSMOSFET 70 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60Q2IXYS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60QZIXYS09+
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB72N55Q2IXYSMOSFETs 72 Amps 550V 0.07 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2IXYSMOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2
Код товару: 22118
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2125.27 грн
2+1937.64 грн
25+1834.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2252.14 грн
25+1441.32 грн
100+1373.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1771.06 грн
2+1554.89 грн
25+1528.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSMOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3200.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2494.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2992.81 грн
25+2839.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XIXYSMOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XIXYSIXFB90N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3452.67 грн
10+3194.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3229.40 грн
10+2901.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC30N60PIXYSMOSFET 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N08IXYSDescription: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N10IXYSMOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC96N15PIXYSMOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD15N100-8XIXYSDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD23N60Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD24N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD26N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD26N60Q-8XQIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD40N30Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE180N20IXYSMOSFET Modules 180 Amps 200V 0.01 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE23N100IXYSMOSFET Modules 21 Amps 1000V 0.43 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE24N100IXYSMOSFET Modules 22 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE24N100IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE36N100IXYSMOSFET Modules 33 Amps 1000V 0.24 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE39N90IXYSMOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QD2IXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N60IXYSMOSFET Modules 41 Amps 600V 0.13 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QIXYSMOSFET Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QD2IXYSMOSFET Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE55N50IXYSMOSFET Modules 52 Amps 500V 0.08 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE73N30QIXYSMOSFET Modules 66 Amps 300V 0.046 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE80N50IXYSMOSFET Modules 72 Amps 500V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFF24N100IXYSMOSFETs 22 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFF24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFG55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFG55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISO264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.59 грн
30+601.96 грн
120+517.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1298.34 грн
2+901.49 грн
4+820.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1081.95 грн
2+723.42 грн
4+683.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.43 грн
30+684.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 0V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100IXYSMOSFETs 1KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.00 грн
5+522.40 грн
10+463.81 грн
50+408.46 грн
100+355.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+628.87 грн
3+468.89 грн
7+426.70 грн
120+410.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYSMOSFETs 10 Amps 1000V
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.71 грн
10+537.23 грн
30+339.15 грн
120+308.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.06 грн
3+376.27 грн
7+355.58 грн
120+341.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.29 грн
30+352.57 грн
120+302.82 грн
510+268.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100QIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.93 грн
30+225.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+471.40 грн
4+313.23 грн
10+285.08 грн
510+274.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+392.84 грн
4+251.36 грн
10+237.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.35 грн
10+268.22 грн
100+228.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.43 грн
10+387.48 грн
30+242.04 грн
120+218.50 грн
270+217.03 грн
510+216.29 грн
1020+206.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N90IXYSMOSFET 10 Amps 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.95 грн
3+331.06 грн
8+312.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.04 грн
10+595.61 грн
30+361.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.05 грн
30+380.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+601.14 грн
3+412.55 грн
8+375.20 грн
510+361.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+564.49 грн
3+488.95 грн
7+446.01 грн
10+439.57 грн
30+429.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.41 грн
3+392.36 грн
7+371.67 грн
10+366.31 грн
30+357.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSMOSFET 110 Amps 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+580.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 157nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+658.58 грн
3+571.07 грн
6+520.49 грн
10+513.14 грн
30+501.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 157nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.81 грн
3+458.27 грн
6+433.75 грн
10+427.62 грн
30+417.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TIXYSMOSFET 110 Amps 0V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH11N80IXYSMOSFETs 11 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+805.94 грн
10+753.82 грн
30+409.77 грн
120+382.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+402.27 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.77 грн
30+421.82 грн
120+387.52 грн
510+343.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+818.02 грн
3+547.20 грн
6+498.42 грн
120+479.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.68 грн
3+439.11 грн
6+415.35 грн
120+399.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+793.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.02 грн
10+770.74 грн
30+557.65 грн
60+551.03 грн
120+543.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.38 грн
30+581.29 грн
120+534.64 грн
510+488.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+988.36 грн
2+763.98 грн
5+695.22 грн
510+668.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+823.63 грн
2+613.07 грн
5+579.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.76 грн
5+826.11 грн
10+738.63 грн
50+665.95 грн
100+595.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+846.74 грн
2+733.38 грн
3+705.03 грн
4+692.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1031.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1016.09 грн
2+913.91 грн
3+846.03 грн
4+831.32 грн
10+800.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3IXYSMOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1047.12 грн
10+915.41 грн
30+595.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.83 грн
30+735.53 грн
120+692.28 грн
510+588.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1072.54 грн
2+876.66 грн
4+798.21 грн
10+788.10 грн
30+767.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+893.78 грн
2+703.50 грн
4+665.18 грн
10+656.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1486.50 грн
2+1038.05 грн
3+944.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.67 грн
5+1156.22 грн
10+1082.77 грн
50+937.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1238.75 грн
2+833.01 грн
3+787.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1360.83 грн
30+815.53 грн
120+717.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100IXYSMOSFETs 1KV 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1024.21 грн
30+598.84 грн
120+513.90 грн
510+466.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+930.53 грн
30+748.49 грн
120+698.14 грн
510+604.81 грн
1020+509.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.06 грн
30+695.03 грн
120+648.27 грн
510+561.61 грн
1020+472.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+499.92 грн
300+388.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+800.20 грн
3+552.93 грн
6+503.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.04 грн
10+664.98 грн
30+426.70 грн
120+365.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.33 грн
30+446.31 грн
120+379.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.83 грн
3+443.71 грн
6+419.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+464.21 грн
300+360.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+799.70 грн
5+637.12 грн
10+474.54 грн
50+407.69 грн
100+345.20 грн
250+338.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYSIXFH12N120P THT N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1101.68 грн
3+1041.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+908.05 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.37 грн
5+1155.40 грн
10+1084.42 грн
50+940.29 грн
100+807.13 грн
250+746.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1568.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1339.80 грн
10+1164.14 грн
30+984.34 грн
60+929.90 грн
120+874.73 грн
270+847.51 грн
510+793.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FIXYSMOSFET IXFH12N50F 500V 12A HIPERFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.31 грн
10+708.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PIXYSMOSFETs DIODE Id12 BVdass800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90IXYSMOSFETs 900V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.25 грн
30+446.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.14 грн
30+531.33 грн
120+482.83 грн
510+419.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90QIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 130A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.86 грн
30+430.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3IXYSIXFH130N15X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+860.61 грн
2+605.10 грн
5+571.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100IXYSMOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N50IXYSMOSFETs 500V 13A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N50 транзистор
Код товару: 79556
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80IXYSMOSFETs 800V 13A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80QIXYS09+ SOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80QIXYSMOSFETs 13 Amps 800V 0.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N90IXYSMOSFETs 13 Amps 900V 0.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.69 грн
30+374.92 грн
120+367.71 грн
510+332.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+517.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.12 грн
3+423.78 грн
6+400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+694.36 грн
10+662.44 грн
30+382.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+764.54 грн
3+528.10 грн
6+480.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
On-state resistance: 9.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+943.30 грн
2+659.05 грн
4+622.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1069.44 грн
30+813.04 грн
60+706.25 грн
120+651.81 грн
270+595.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
On-state resistance: 9.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1131.96 грн
2+821.28 грн
4+746.72 грн
120+718.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.90 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+469.49 грн
10+445.86 грн
30+281.77 грн
120+248.66 грн
270+244.98 грн
510+225.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PIXYSIXFH14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PIXYSMOSFETs DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 251 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+628.27 грн
10+549.92 грн
30+418.60 грн
120+360.48 грн
270+331.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.73 грн
30+372.72 грн
120+314.98 грн
510+265.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XIXYSIXFH14N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.49 грн
30+337.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XIXYSMOSFETs TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.06 грн
30+384.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.05 грн
30+673.97 грн
120+634.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PIXYSMOSFETs 170 Amps 150V 0.013 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+989.61 грн
10+787.66 грн
30+545.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PIXYSIXFH150N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17TIXYSMOSFETs 150 Amps 175V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T(транзистор)
Код товару: 48320
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.15 грн
5+599.16 грн
10+462.16 грн
50+419.95 грн
100+379.87 грн
250+371.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2IXYSMOSFETs 175V 150A
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.31 грн
10+614.22 грн
30+420.07 грн
120+395.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2
Код товару: 177347
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TIXYSMOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1215.15 грн
3+1107.77 грн
30+1048.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.62 грн
3+888.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1329.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.36 грн
30+688.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3IXYSMOSFETs TO247 250V 150A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3IXYSIXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1426.09 грн
2+997.77 грн
3+943.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1462.54 грн
10+1215.75 грн
30+1010.09 грн
60+978.46 грн
270+957.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 890W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 167ns
Gate charge: 254nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 890W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 167ns
Gate charge: 254nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100IXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.85 грн
2+575.52 грн
5+544.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSMOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1043.82 грн
2+717.18 грн
5+652.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.34 грн
30+535.49 грн
120+458.30 грн
510+411.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1571.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1330.36 грн
10+1207.29 грн
30+901.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1051.31 грн
60+979.59 грн
120+925.25 грн
180+851.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.13 грн
5+1132.29 грн
10+1012.62 грн
50+912.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1332.19 грн
30+799.13 грн
120+705.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N60IXYSMOSFETs 15 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80IXYSMOSFETs 800V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1260.77 грн
25+1041.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80Q
Код товару: 104305
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1240.20 грн
10+1170.72 грн
25+967.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QIXYSMOSFETs 800V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH1606
Код товару: 128639
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15TIXYSMOSFETs 160 Amps 150V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.69 грн
10+795.27 грн
30+587.07 грн
120+491.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.79 грн
10+544.85 грн
30+360.48 грн
120+344.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2
Код товару: 126302
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYSIXFH160N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+161.24 грн
10+150.49 грн
100+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.67 грн
30+424.14 грн
120+359.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PIXYSIXFH16N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PIXYSMOSFETs 1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 528-537 дні (днів)
1+1633.34 грн
10+1418.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.63 грн
30+266.05 грн
120+225.06 грн
510+189.63 грн
1020+187.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.49 грн
10+401.02 грн
30+244.98 грн
120+211.88 грн
510+209.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 36nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 36nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.55 грн
30+322.42 грн
120+270.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3LittelfuseMOSFETs IXFH16N60P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 347W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 470mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 347W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 470mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYSMOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.53 грн
10+684.44 грн
30+381.08 грн
120+345.77 грн
510+338.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.26 грн
5+547.99 грн
10+420.89 грн
50+376.27 грн
100+333.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.01 грн
30+409.12 грн
120+356.97 грн
510+319.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N90Q
Код товару: 157422
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N90QIXYSMOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIXYSIXFH170N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+952.58 грн
30+588.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.12 грн
5+774.94 грн
10+604.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.17 грн
10+931.48 грн
30+599.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+642.80 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1029.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3IXYSIXFH170N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 170A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3IXYSIXFH170N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1403.01 грн
30+892.53 грн
120+872.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3IXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 256 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+1447.94 грн
10+1367.19 грн
30+914.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1497.89 грн
5+1259.38 грн
10+1020.88 грн
50+939.53 грн
100+860.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH1799IXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH17N80QIXYSMOSFETs 17 Amps 800V 0.60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1110.01 грн
2+833.01 грн
3+787.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1248.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1031.67 грн
30+863.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.82 грн
30+734.81 грн
120+720.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1332.01 грн
2+1038.05 грн
3+945.35 грн
510+908.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.99 грн
5+1423.62 грн
10+1273.41 грн
50+1147.97 грн
100+1027.83 грн
250+1007.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.66 грн
30+935.26 грн
120+881.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3IXYSIXFH18N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1519.18 грн
10+1396.80 грн
30+921.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+554.59 грн
4+341.88 грн
9+310.83 грн
30+298.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSMOSFETs 600V 18A
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.28 грн
10+422.17 грн
30+277.35 грн
120+242.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.26 грн
30+271.10 грн
120+242.26 грн
510+211.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.16 грн
4+274.35 грн
9+259.02 грн
30+249.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.84 грн
2+455.20 грн
3+454.44 грн
6+429.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+737.80 грн
2+567.25 грн
3+545.32 грн
6+515.90 грн
30+507.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+315.53 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X3LittelfuseMOSFETs TO247 650V 18A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.96 грн
30+573.83 грн
120+519.43 грн
510+478.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.87 грн
10+839.27 грн
30+537.78 грн
120+533.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PIXYSMOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.55 грн
30+662.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.60 грн
30+553.73 грн
120+542.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.13 грн
10+406.94 грн
30+315.61 грн
120+275.88 грн
270+258.22 грн
510+249.40 грн
1020+234.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.04 грн
30+305.49 грн
120+266.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.38 грн
4+242.16 грн
11+228.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+547.66 грн
4+301.77 грн
11+274.04 грн
2010+263.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60IXYSMOSFETs 600V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIXYSMOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.26 грн
30+491.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+881.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIXYSIXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+931.91 грн
2+588.55 грн
6+556.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.23 грн
30+389.43 грн
120+387.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P (TO-247-3)
Код товару: 107942
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80Q
Код товару: 129296
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYSMOSFET 800V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.45 грн
30+546.73 грн
120+489.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XIXYSIXFH20N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50
Код товару: 188991
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50IXYSMOSFETs 500V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FIXYSMOSFETs IXFH21N50F F-Class HiPerRF Power MOSFETs
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+909.79 грн
10+769.04 грн
30+606.20 грн
120+556.91 грн
270+523.81 грн
510+492.17 грн
1020+442.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+398.61 грн
3+332.59 грн
4+267.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.