Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXF1002ECLEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1002ECLEVEL ONE09+ .
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1002EDRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13392.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1002ED-GRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12593.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1024ECINTEL
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1024ECA2INTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF102AIconDescription: HEADLIGHT LED 5/50LM AA(1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CEINTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CEMOTBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CEINTELTO92
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF1104CE.BOINTELBGA 0612+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF150N10IXYSMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF18203EC B1INTELBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF30003INTEL02+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF3208BE COINTELBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6012EE B1LEVELONEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6012EE B1INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6012EEB1INTEL04+ BGA
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6151BE A2INTEL01+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6401BEC-7LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6401BEC7A1835148IntelDescription: IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6402BEC B4LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXF6402BEC B4INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PIXYSMOSFETs 600V 10A
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.75 грн
10+212.63 грн
100+169.69 грн
500+161.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.97 грн
50+191.25 грн
100+174.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P-TRLIXYSMOSFETs 600V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.97 грн
10+243.96 грн
100+174.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PIXYSIXFA10N80P SMD N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+439.62 грн
5+255.14 грн
13+241.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 9039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.55 грн
10+200.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 29606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.45 грн
50+167.06 грн
100+165.61 грн
500+148.09 грн
1000+141.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA10N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSIXFA110N15T2 SMD N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+637.88 грн
4+343.18 грн
10+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSMOSFETs 110Amps 150V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.51 грн
10+495.23 грн
50+365.00 грн
100+326.57 грн
250+313.77 грн
500+305.76 грн
1000+302.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA110N15T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA110N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSMOSFETs 500V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PIXYSIXFA12N50P SMD N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+296.31 грн
6+234.13 грн
14+222.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P-TRLIXYSMOSFETs IXFA12N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.77 грн
50+195.15 грн
100+177.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Reverse recovery time: 155ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA12N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.96 грн
50+237.74 грн
100+217.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA130N10T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N10T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.66 грн
10+771.37 грн
50+656.35 грн
100+593.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.69 грн
50+577.51 грн
100+516.73 грн
500+427.88 грн
1000+385.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P
Код товару: 213226
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.76 грн
10+257.74 грн
100+204.11 грн
500+194.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.99 грн
50+223.62 грн
100+204.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P-TRLIXYSMOSFETs IXFA14N60P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+339.24 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.09 грн
10+349.79 грн
50+235.33 грн
500+230.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA16N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.96 грн
3+265.14 грн
10+234.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+380.36 грн
3+330.41 грн
10+281.15 грн
50+253.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+231.66 грн
3+214.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSMOSFETs 600V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+399.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.78 грн
10+337.82 грн
100+278.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.91 грн
50+306.85 грн
100+281.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRLLittelfuseN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA180N10T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA180N10T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Gate charge: 35nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Gate charge: 35nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+251.06 грн
3+233.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60XLittelfuseX-CLASS HIPER FET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X3LittelfuseMOSFETs TO263 650V 18A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+273.68 грн
3+237.94 грн
10+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.07 грн
3+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N60X3LittelfuseMOSFETs TO263 600V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 20A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.61 грн
10+486.94 грн
100+391.41 грн
500+360.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV-TRLIXYSMOSFET IXFA20N85XHV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N85XHV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
на замовлення 294 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+414.62 грн
10+343.34 грн
50+281.75 грн
100+240.93 грн
250+228.12 грн
500+214.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3
Код товару: 147921
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3IXYSMOSFETs TO263 600V 22A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+365.45 грн
3+305.16 грн
10+269.31 грн
50+241.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+438.54 грн
3+380.28 грн
10+323.17 грн
50+290.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.85 грн
10+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.14 грн
50+247.80 грн
100+226.83 грн
500+178.42 грн
1000+175.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA22N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.14 грн
10+313.00 грн
100+228.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2IXYSIXFA230N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+588.32 грн
6+229.12 грн
15+216.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7IXYSIXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+791.96 грн
4+357.19 грн
10+337.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.94 грн
50+313.05 грн
100+290.17 грн
500+254.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+492.42 грн
3+427.04 грн
10+363.19 грн
50+326.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+410.35 грн
3+342.68 грн
10+302.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.09 грн
10+413.30 грн
50+205.71 грн
100+204.11 грн
500+200.11 грн
1000+184.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3IXYSIXFA26N50P3 SMD N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+201.49 грн
7+175.09 грн
19+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA26N65X3LittelfuseMOSFETs TO263 650V 26A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA28N60X3LittelfuseMOSFETs TO263 600V 28A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO263; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3IXYSMOSFETs TO263 250V 30A N-CH HIPER
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.05 грн
10+342.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.35 грн
50+323.72 грн
100+297.62 грн
500+241.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2IXYSMOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA34N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.87 грн
5+579.16 грн
10+496.55 грн
50+385.21 грн
100+331.72 грн
250+324.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3IXYSDescription: MOSFET 34A 650V X3 TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3LittelfuseDiscrete MOSFET 34A 650V X3 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X3IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.27 грн
10+412.38 грн
100+336.98 грн
500+323.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.70 грн
10+257.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3IXYSMOSFETs TO263 300V 36A N-CH POLAR
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.73 грн
10+383.85 грн
50+237.73 грн
100+224.12 грн
250+222.52 грн
500+210.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.95 грн
50+281.95 грн
100+258.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N55X2Littelfuse Inc.Description: IXFA36N55X2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N55X2IXYSMOSFETs TO263 550V 36A N-CH HIPER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3IXYSMOSFETs TO263 600V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.05 грн
10+353.47 грн
100+282.55 грн
500+254.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA36N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.15 грн
50+320.76 грн
100+294.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3IXYSIXFA38N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+438.54 грн
4+349.19 грн
10+330.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA38N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+910.47 грн
25+875.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120
Код товару: 83348
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120IXYSIXFA3N120 SMD N channel transistors
на замовлення 319 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+956.82 грн
2+602.32 грн
6+570.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+840.45 грн
10+543.09 грн
100+413.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.21 грн
5+1018.91 грн
10+975.50 грн
25+938.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXFA3N120 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXFA3N120 TRR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N80IXYSMOSFETs 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3IXYSMOSFET MOSFET DISC X3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+316.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.62 грн
10+208.95 грн
100+166.49 грн
500+158.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.06 грн
50+194.30 грн
100+178.67 грн
500+143.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA4N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.92 грн
50+406.58 грн
100+378.24 грн
500+344.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.61 грн
10+603.84 грн
50+474.65 грн
100+419.42 грн
250+395.41 грн
500+381.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N100QTRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N60P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSIXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+522.59 грн
9+136.07 грн
24+129.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.45 грн
10+321.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA50N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.59 грн
10+423.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3IXYSIXFA56N30X3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+779.03 грн
3+494.26 грн
7+467.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.40 грн
50+399.73 грн
100+371.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA56N30X3-TRLLittelfuse DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.65 грн
10+370.96 грн
100+216.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA5N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N100PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.57 грн
50+326.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3IXYSIXFA60N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+602.32 грн
3+482.26 грн
7+455.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.06 грн
50+405.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.24 грн
10+503.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.59 грн
50+425.58 грн
100+409.88 грн
500+354.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFETs IXFA6N120P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.78 грн
50+427.31 грн
100+394.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+814.30 грн
10+724.43 грн
50+601.12 грн
100+521.08 грн
500+454.64 грн
1000+385.81 грн
2500+373.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N20X3IXYSIXFA72N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+948.20 грн
3+456.24 грн
8+431.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+795.55 грн
5+687.80 грн
10+579.16 грн
50+437.73 грн
100+397.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.71 грн
50+454.29 грн
100+447.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.85 грн
10+765.85 грн
50+441.84 грн
100+429.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.08 грн
5+490.26 грн
10+409.45 грн
50+305.16 грн
100+273.22 грн
250+263.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSIXFA7N100P SMD N channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+617.41 грн
4+358.19 грн
10+338.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.89 грн
50+301.21 грн
100+278.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.77 грн
10+307.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+407.30 грн
50+207.80 грн
100+182.10 грн
500+179.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.19 грн
50+179.63 грн
100+163.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+574.70 грн
25+550.01 грн
50+529.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+696.21 грн
50+474.79 грн
100+466.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.12 грн
50+467.53 грн
100+430.55 грн
500+367.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSIXFA80N25X3 SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+829.68 грн
3+547.29 грн
6+518.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.56 грн
50+518.68 грн
100+510.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.87 грн
10+676.56 грн
50+447.44 грн
100+411.42 грн
500+409.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+719.06 грн
20+646.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+809.02 грн
5+703.97 грн
10+599.81 грн
50+459.41 грн
100+391.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+407.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.75 грн
10+807.27 грн
25+669.96 грн
100+581.11 грн
500+506.67 грн
800+430.63 грн
2400+415.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.74 грн
10+531.87 грн
100+408.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+460.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+884.45 грн
25+670.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.81 грн
5+73.77 грн
10+68.04 грн
50+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.34 грн
8+59.20 грн
10+56.70 грн
50+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N85XHVIXYSIXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+568.92 грн
3+452.24 грн
8+427.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSIXFA90N20X3 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+711.15 грн
3+553.30 грн
6+523.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2485.43 грн
5+2273.52 грн
10+2060.72 грн
50+1853.49 грн
100+1655.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PIXYSMOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2535.36 грн
10+2131.86 грн
100+1660.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50P                                       497         
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50 IXYS08+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSMOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1865.90 грн
25+1175.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB120N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB120N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB120N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3
Код товару: 94706
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYSMOSFETs 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2154.35 грн
10+1530.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2021.76 грн
25+1282.02 грн
100+1198.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2413.60 грн
10+2292.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2640.77 грн
5+2370.50 грн
10+2099.33 грн
50+1889.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2784.33 грн
10+2552.02 грн
25+2228.72 грн
100+1962.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2484.12 грн
25+1602.82 грн
100+1552.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3071.91 грн
5+2983.21 грн
10+2734.31 грн
25+2387.91 грн
100+2102.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2011.33 грн
10+1839.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2151.55 грн
10+2100.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2981.73 грн
10+2611.44 грн
25+2117.93 грн
50+2081.11 грн
100+2045.10 грн
250+1833.78 грн
500+1786.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1844.09 грн
10+1746.50 грн
25+1684.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PIXYSIXFB170N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1498.80 грн
3+1416.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20PIXYSMOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2535.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2466.80 грн
25+2044.79 грн
100+1790.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2481.20 грн
10+1874.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2653.34 грн
10+2447.72 грн
25+2269.93 грн
100+1941.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PIXYSMOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2999.47 грн
10+2727.42 грн
100+2210.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PIXYSIXFB300N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2248.20 грн
2+2125.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2707.51 грн
25+1747.10 грн
100+1693.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22500 pF @ 25 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3470.32 грн
25+2342.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120PIXYSMOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3726.93 грн
10+3111.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 1000V 0.25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB38N100Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3962.12 грн
25+3197.35 грн
100+2984.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q3 3&44
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4458.12 грн
10+4101.72 грн
25+3416.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2405.52 грн
5+2264.55 грн
10+2123.57 грн
50+1840.15 грн
100+1577.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYSMOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2659.56 грн
25+1945.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2701.20 грн
25+2496.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2336.92 грн
25+1500.10 грн
100+1438.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PIXYSIXFB44N100P THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2087.12 грн
2+1973.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P
Код товару: 199488
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3571.91 грн
10+2952.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYSMOSFETs 50 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB50N80Q2IXYS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P
Код товару: 154209
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PIXYSMOSFETs 60 Amps 800V 0.14 Rds
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2423.30 грн
10+1950.52 грн
500+1663.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2203.58 грн
25+1412.96 грн
100+1335.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3IXYSIXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3022.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100XIXYSMOSFETs 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3472.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100XLittelfuseX-Class Hiperfet Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2949.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60Q2IXYSMOSFETs 70 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60Q2IXYS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB70N60QZIXYS09+
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB72N55Q2IXYSMOSFETs 72 Amps 550V 0.07 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2IXYSMOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2
Код товару: 22118
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2754.39 грн
25+2603.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSMOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2264.19 грн
25+1449.01 грн
100+1380.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2380.20 грн
5+2057.26 грн
25+1952.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1983.50 грн
5+1650.88 грн
25+1626.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1299.46 грн
5+1165.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1082.89 грн
5+935.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3482.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XIXYSMOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3513.61 грн
10+3156.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4137.44 грн
10+3828.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC30N60PIXYSMOSFET 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N08IXYSDescription: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N10IXYSMOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC80N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC96N15PIXYSMOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFC96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD15N100-8XIXYSDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD23N60Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD24N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD26N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD26N60Q-8XQIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFD40N30Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE180N20IXYSMOSFET Modules 180 Amps 200V 0.01 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE23N100IXYSMOSFET Modules 21 Amps 1000V 0.43 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE24N100IXYSMOSFET Modules 22 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE24N100IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE36N100IXYSMOSFET Modules 33 Amps 1000V 0.24 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE39N90IXYSMOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QD2IXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE44N60IXYSMOSFET Modules 41 Amps 600V 0.13 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QIXYSMOSFET Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QD2IXYSMOSFET Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE48N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE55N50IXYSMOSFET Modules 52 Amps 500V 0.08 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE73N30QIXYSMOSFET Modules 66 Amps 300V 0.046 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFE80N50IXYSMOSFET Modules 72 Amps 500V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFF24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFF24N100IXYSMOSFETs 22 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFG55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFG55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISO264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.90 грн
30+602.16 грн
120+517.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1164.49 грн
10+744.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3IXYSIXFH100N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1217.58 грн
2+943.51 грн
4+891.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.76 грн
30+648.07 грн
120+558.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 0V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100IXYSMOSFETs 1KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYSIXFH10N100P THT N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+725.16 грн
3+491.26 грн
7+464.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.87 грн
5+535.16 грн
10+409.45 грн
50+365.20 грн
100+322.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.15 грн
30+326.65 грн
120+317.89 грн
510+271.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100PIXYSMOSFETs 10 Amps 1000V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.48 грн
10+386.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100QIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.57 грн
10+261.42 грн
120+224.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYSIXFH10N80P THT N channel transistors
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+434.23 грн
4+328.18 грн
10+310.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.57 грн
10+263.99 грн
100+258.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N90IXYSMOSFETs 10 Amps 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.14 грн
5+433.57 грн
10+394.38 грн
20+353.52 грн
30+329.34 грн
120+327.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+652.96 грн
5+540.29 грн
10+473.25 грн
20+424.23 грн
30+395.21 грн
120+393.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+766.59 грн
19+698.51 грн
21+625.38 грн
30+553.44 грн
120+494.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+631.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSIXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+646.50 грн
3+514.28 грн
7+486.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2IXYSMOSFETs 110 Amps 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TIXYSIXFH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 256 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+995.61 грн
2+599.32 грн
6+567.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25TIXYSMOSFET 110 Amps 0V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH11N80IXYSMOSFETs 11 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYSIXFH120N15P THT N channel transistors
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+896.48 грн
3+583.31 грн
6+552.30 грн
30+550.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+482.05 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.08 грн
30+458.94 грн
120+421.63 грн
510+373.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+823.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.51 грн
10+478.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.94 грн
30+613.25 грн
120+526.96 грн
510+481.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1112.20 грн
10+625.01 грн
120+541.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.10 грн
5+898.81 грн
10+803.64 грн
50+724.55 грн
100+648.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PIXYSIXFH120N20P THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1205.72 грн
2+816.44 грн
5+772.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25TIXYSMOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.90 грн
30+800.26 грн
120+753.21 грн
510+640.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3IXYSMOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1102.86 грн
10+833.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.90 грн
5+1257.98 грн
10+1178.07 грн
50+1020.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3IXYSIXFH120N30X3 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1618.40 грн
2+1087.58 грн
4+1028.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.20 грн
30+803.82 грн
120+707.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100IXYSMOSFETs 1KV 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+966.41 грн
30+777.35 грн
120+725.06 грн
510+628.13 грн
1020+528.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1035.43 грн
30+832.87 грн
120+776.85 грн
510+673.00 грн
1020+566.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100FLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.38 грн
30+587.23 грн
120+503.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+519.19 грн
300+403.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.70 грн
30+437.68 грн
120+371.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.27 грн
300+432.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYSIXFH12N100P THT N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+880.32 грн
3+579.31 грн
6+548.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+807.77 грн
10+505.35 грн
120+397.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+870.08 грн
5+693.19 грн
10+516.30 грн
50+443.57 грн
100+375.59 грн
250+367.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1421.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1088.15 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1628.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.30 грн
5+1257.08 грн
10+1179.86 грн
50+1023.05 грн
100+878.16 грн
250+811.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.15 грн
10+849.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FIXYSMOSFET IXFH12N50F 500V 12A HIPERFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80PIXYSMOSFETs DIODE Id12 BVdass800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90IXYSMOSFETs 900V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.98 грн
10+491.54 грн
120+424.23 грн
510+422.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.97 грн
30+462.44 грн
120+393.53 грн
510+343.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90QIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 130A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.96 грн
30+468.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3IXYSIXFH130N15X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+936.35 грн
2+669.36 грн
5+632.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100IXYSMOSFETs 13 Amps 1000V 0.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N50IXYSMOSFETs 500V 13A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N50 транзистор
Код товару: 79556
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80IXYSMOSFETs 800V 13A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80QIXYSMOSFETs 13 Amps 800V 0.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80QIXYS09+ SOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N90IXYSMOSFETs 13 Amps 900V 0.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+770.41 грн
3+668.09 грн
10+569.30 грн
30+511.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.01 грн
3+536.12 грн
10+474.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+785.35 грн
10+502.59 грн
120+416.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.73 грн
30+448.57 грн
120+381.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1155.15 грн
10+744.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1077.50 грн
10+968.36 грн
30+856.46 грн
120+781.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+897.92 грн
10+777.08 грн
30+713.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.90 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.41 грн
10+307.44 грн
120+228.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.27 грн
30+273.34 грн
120+228.45 грн
510+183.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PIXYSMOSFETs DIODE Id14 BVdass800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.78 грн
30+372.84 грн
120+315.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.08 грн
30+366.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XIXYSMOSFETs TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.76 грн
10+459.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PIXYSMOSFETs 170 Amps 150V 0.013 Rds
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1014.14 грн
10+649.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.18 грн
30+733.28 грн
120+690.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17TIXYSMOSFETs 150 Amps 175V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T(транзистор)
Код товару: 48320
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+770.41 грн
5+694.99 грн
10+620.46 грн
50+506.10 грн
100+465.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2
Код товару: 177347
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2IXYSMOSFETs 175V 150A
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.05 грн
10+515.48 грн
120+447.44 грн
510+429.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TIXYSMOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.24 грн
30+749.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3IXYSIXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1551.60 грн
2+1004.54 грн
4+949.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3IXYSMOSFETs TO247 250V 150A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1591.25 грн
10+1322.75 грн
30+1098.99 грн
60+1064.57 грн
270+1041.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100IXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1052.72 грн
3+907.06 грн
10+772.41 грн
30+693.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.13 грн
30+535.70 грн
120+458.47 грн
510+411.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.26 грн
3+727.89 грн
10+643.68 грн
30+577.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100PIXYSMOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1091.84 грн
60+1017.36 грн
120+960.92 грн
180+884.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1395.15 грн
10+953.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1882.65 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1361.24 грн
5+1231.94 грн
10+1101.74 грн
50+993.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N60IXYSMOSFETs 15 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80IXYSMOSFETs 800V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QIXYSMOSFETs 800V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80Q
Код товару: 104305
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.17 грн
10+1402.90 грн
25+1159.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1309.38 грн
25+1082.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH1606
Код товару: 128639
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15TIXYSMOSFETs 160 Amps 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+789.09 грн
10+461.17 грн
120+374.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2
Код товару: 126302
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.98 грн
30+411.00 грн
120+348.53 грн
510+298.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+694.99 грн
30+544.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.16 грн
30+436.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1545.54 грн
30+939.45 грн
120+852.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120PIXYSMOSFETs 1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 528-537 дні (днів)
1+1777.08 грн
10+1543.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.48 грн
10+290.88 грн
120+228.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.71 грн
30+273.32 грн
120+228.45 грн
510+183.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.32 грн
30+312.05 грн
120+262.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3LittelfuseMOSFETs IXFH16N60P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYSMOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.34 грн
10+432.63 грн
510+352.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.14 грн
30+388.51 грн
120+359.52 грн
510+310.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.23 грн
5+607.89 грн
10+451.65 грн
50+387.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N90QIXYSMOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N90Q
Код товару: 157422
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+770.29 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.22 грн
5+843.14 грн
10+658.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.71 грн
10+896.56 грн
30+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1069.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.42 грн
30+640.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 170A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1586.23 грн
30+963.74 грн
120+873.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3IXYSIXFH170N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1283.69 грн
3+1213.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3IXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 256 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+1575.38 грн
10+1487.52 грн
30+994.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1629.72 грн
5+1370.22 грн
10+1110.72 грн
50+1022.21 грн
100+935.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH1799IXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH17N80QIXYSMOSFETs 17 Amps 800V 0.60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.32 грн
30+799.48 грн
120+784.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1282.15 грн
10+1111.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1296.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3IXYSIXFH180N20X3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1357.65 грн
2+1087.58 грн
4+1028.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1711.43 грн
5+1548.91 грн
10+1385.49 грн
50+1249.00 грн
100+1118.29 грн
250+1095.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1456.36 грн
30+886.06 грн
120+868.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.21 грн
10+1153.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+431.00 грн
10+271.81 грн
30+270.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.01 грн
30+309.11 грн
120+259.49 грн
510+211.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+517.20 грн
10+338.72 грн
30+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PIXYSMOSFETs 600V 18A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.39 грн
10+347.03 грн
120+264.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X3LittelfuseMOSFETs TO247 650V 18A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.46 грн
30+546.13 грн
120+517.41 грн
510+471.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+993.60 грн
10+667.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.92 грн
30+631.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PIXYSMOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.03 грн
10+720.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.75 грн
30+302.08 грн
120+253.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+592.62 грн
10+421.84 грн
30+368.20 грн
120+324.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.71 грн
10+307.44 грн
120+244.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.85 грн
10+338.51 грн
30+306.83 грн
120+270.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60IXYSMOSFETs 600V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.40 грн
10+794.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIXYSMOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.52 грн
10+585.43 грн
120+439.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+791.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.84 грн
30+423.70 грн
120+421.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1023.00 грн
15+903.56 грн
30+812.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P (TO-247-3)
Код товару: 107942
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80Q
Код товару: 129296
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYSMOSFET 800V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+859.13 грн
10+494.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.07 грн
30+594.85 грн
120+532.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50IXYSMOSFETs 500V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50
Код товару: 188991
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FIXYSMOSFETs IXFH21N50F F-Class HiPerRF Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1035.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1431.57 грн
10+1215.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.44 грн
5+1143.05 грн
10+1138.56 грн
50+1052.23 грн
100+967.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+297.89 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+704.81 грн
23+556.03 грн
30+506.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P
Код товару: 214500
Додати до обраних Обраний товар

IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 270 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/50
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSMOSFETs 500V 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+517.20 грн
10+393.79 грн
30+351.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+431.00 грн
10+316.00 грн
30+292.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIxys Semiconductor GmbH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSMOSFETs 600V 22A
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.59 грн
10+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+618.48 грн
3+526.78 грн
10+456.24 грн
30+449.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.40 грн
3+422.73 грн
10+380.20 грн
30+374.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.47 грн
30+310.58 грн
120+260.76 грн
510+212.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSMOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.23 грн
10+314.81 грн
120+266.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+534.44 грн
10+370.93 грн
30+328.18 грн
120+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+445.37 грн
10+297.66 грн
30+273.48 грн
120+270.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.13 грн
10+334.14 грн
120+272.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+530.13 грн
5+417.69 грн
10+347.19 грн
30+329.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+441.78 грн
5+335.18 грн
10+289.32 грн
30+274.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+488.44 грн
30+463.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.00 грн
30+316.45 грн
120+265.87 грн
510+217.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 транзистор
Код товару: 203348
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.51 грн
30+395.29 грн
120+340.04 грн
510+310.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2IXYSMOSFET 230 Amps 75V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+756.40 грн
10+674.72 грн
30+559.50 грн
120+485.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2IXYSIXFH230N075T2 THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+914.80 грн
3+502.27 грн
7+475.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.14 грн
30+438.90 грн
120+373.03 грн
510+323.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSMOSFETs 230Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+791.96 грн
10+631.72 грн
30+495.27 грн
120+490.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N80QIXYSMOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSMOSFETs 500V 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.34 грн
5+660.87 грн
10+647.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50
Код товару: 76962
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50QIXYSMOSFETs 500V 24A Q-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60FAIRCHILD2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSMOSFETs DIODE Id24 BVdass800
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.56 грн
10+626.86 грн
120+543.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+520.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.67 грн
5+519.89 грн
10+509.12 грн
50+463.58 грн
100+418.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.23 грн
30+559.77 грн
120+479.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+486.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P транизстор
Код товару: 55518
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+793.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+952.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1022.55 грн
10+868.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1252.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1261.54 грн
30+751.96 грн
120+654.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XIXYSMOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1486.66 грн
10+1167.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.48 грн
30+930.00 грн
120+882.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 26A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.