Продукція > IXYS > IXFB52N90P
IXFB52N90P

IXFB52N90P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB52N90P IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFB52N90P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFB52N90P DS100064A%28IXFB52N90P%29.pdf TO-264AA (PLUS264), N-Channel MOSFET, Id=52A, Vdss=900V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB52N90P_Datasheet.PDF MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS IXFB52N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 308nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P DS100064A%28IXFB52N90P%29.pdf
TO-264AA (PLUS264), N-Channel MOSFET, Id=52A, Vdss=900V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB52N90P_Datasheet.PDF
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P.pdf
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 308nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXYS-S-A0008597145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB52N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFB52N90P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.