Продукція > IXYS > IXFH14N100Q2
IXFH14N100Q2

IXFH14N100Q2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh14n100q2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH14N100Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFH14N100Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH14N100Q2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh14n100q2_datasheet.pdf.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 IXFH14N100Q2 IXYS media-3319789.pdf MOSFETs 14 Amps 1000V 0.90 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 IXFH14N100Q2 IXYS SEMICONDUCTOR 2044164.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 Ixys Corporation littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh14n100q2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh14n100q2_datasheet.pdf.pdf
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 media-3319789.pdf
IXFH14N100Q2
Виробник: IXYS
MOSFETs 14 Amps 1000V 0.90 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 2044164.pdf
IXFH14N100Q2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh14n100q2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.