Продукція > IXF > IXFH75N10

IXFH75N10


67N10%2C%2075N10.pdf
Виробник:
( N-CH U=100В I= 75 A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH75N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH75N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH75N10 IXFH75N10 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh75n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 IXFH75N10 IXYS ixys_s_a0008595649_1-2272873.pdf MOSFET 100V 75A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 IXFH75N10 IXYS SEMICONDUCTOR 123266.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 IXFH75N10 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 IXFH75N10 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh75n10_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 ixys_s_a0008595649_1-2272873.pdf
Виробник: IXYS
MOSFET 100V 75A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 123266.pdf
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.