IXFH88N20Q
Виробник:
TO-247AD Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH88N20Q
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH88N20Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH88N20Q | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFH88N20Q | Виробник : IXYS |
MOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds |
товару немає в наявності |