Продукція > IXF > IXFH88N20Q

IXFH88N20Q


88N20Q.pdf
Виробник:
TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH88N20Q

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA.

Інші пропозиції IXFH88N20Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH88N20Q IXFH88N20Q IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N20Q IXFH88N20Q IXYS ixys_98969-1547065.pdf MOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N20Q
IXFH88N20Q
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N20Q ixys_98969-1547065.pdf
IXFH88N20Q
Виробник: IXYS
MOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.