IXFK120N20
Виробник: на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK120N20
Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 560W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK120N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK120N20 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |
|
 |
IXFK120N20 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFK120N20 | Виробник : IXYS |
MOSFET 200V 120A |
товар відсутній |