Продукція > IXF > IXFK120N20

IXFK120N20


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20_datasheet.pdf.pdf
Виробник:

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK120N20

Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 560W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFK120N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK120N20 IXFK120N20 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20 IXFK120N20 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-120N20-Datasheet.PDF MOSFETs 200V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.