IXFN120N65X2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3089.62 грн |
| 10+ | 2532.33 грн |
| 100+ | 2244.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN120N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN120N65X2 за ціною від 2815.13 грн до 3263.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN120N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 650V/108A Ultra Junction X2-Class |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN120N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 108A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN120N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 108A Power dissipation: 890W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 24mΩ Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFN120N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 108A Power dissipation: 890W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 24mΩ Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns |
товару немає в наявності |