Продукція > IXYS > IXFN120N65X2
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9EAC65F2DB820&compId=IXFN120N65X2.pdf?ci_sign=073e54168aecec180c88c9f2f85635c9946f2fa1 Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3027.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN120N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN120N65X2 за ціною від 2511.31 грн до 3632.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3221.85 грн
10+2871.66 грн
100+2511.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 Виробник : IXYS media-3320610.pdf MOSFET Modules 650V/108A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3556.70 грн
10+3179.60 грн
100+2689.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9EAC65F2DB820&compId=IXFN120N65X2.pdf?ci_sign=073e54168aecec180c88c9f2f85635c9946f2fa1 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 220ns
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3632.55 грн
100+3424.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2 IXFN120N65X2 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixfn120n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 108A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.