IXFN64N50PD3
Виробник:
SOT-227B, N-Ch, Id=50A, Vdss=500V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN64N50PD3
Description: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN64N50PD3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN64N50PD3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN64N50PD3 | Виробник : IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini |
товару немає в наявності |