Продукція > IXYS > IXFP16N50P3
IXFP16N50P3

IXFP16N50P3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.68 грн
5+204.64 грн
13+193.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP16N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP16N50P3 за ціною від 191.24 грн до 439.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.62 грн
5+255.01 грн
13+231.61 грн
250+223.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 Виробник : IXYS media-3322777.pdf MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.29 грн
10+356.00 грн
50+212.82 грн
100+197.20 грн
500+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3
Код товару: 202044
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_16n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.