IXFX140N25T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 140A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX140N25T IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 140A, Power dissipation: 960W, Case: PLUS247™, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 255nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFX140N25T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXFX140N25T") |
IXFX140N25T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247-3 |
товар відсутній |
|
 |
IXFX140N25T | Виробник : IXYS |
MOSFET 140A 250V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFX140N25T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 140A Power dissipation: 960W Case: PLUS247™ On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товар відсутній |