Продукція > Транзистори > IGBT > IXGH60N60C3D1

IXGH60N60C3D1

media?resourcetype=datasheets&itemid=64908B29-8BC6-4143-8C9A-E74C4FABB908&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-60N60C3D1-Datasheet.PDF
Код товару: 148221
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXGH60N60C3D1 за ціною від 754.52 грн до 1615.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1168.69 грн
2+829.71 грн
4+784.43 грн
30+754.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Ixys Corporation littelfusediscreteigbtsptixg60n60c3d1datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1615.26 грн
11+1345.86 грн
13+1204.79 грн
30+1107.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1168.69 грн
2+829.71 грн
4+784.43 грн
30+754.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 littelfusediscreteigbtsptixg60n60c3d1datasheet.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1615.26 грн
11+1345.86 грн
13+1204.79 грн
30+1107.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.