IXGH60N60C3D1

IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR


LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+968.06 грн
5+794.75 грн
10+621.44 грн
50+573.99 грн
100+526.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns, Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXGH60N60C3D1 за ціною від 673.88 грн до 1192.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Виробник : IXYS media-3321016.pdf IGBTs 60 Amps 600V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1192.17 грн
30+843.50 грн
120+712.88 грн
270+673.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1
Код товару: 148221
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsptixg60n60c3d1datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Виробник : IXYS Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns
Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 380 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.