Продукція > IXYS > IXGK120N120B3

IXGK120N120B3 IXYS

Name: IXGK120N120B3
Brand: IXYS
SKU: 2354446-3
Price: 594720 UAH
Availability: InStock

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_120n120b3_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 200A 830W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/275ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A
Power - Max: 830 W

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
300+	1982.40 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXGK120N120B3 IXYS

Description: IGBT 1200V 200A 830W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-264 (IXGK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/275ns, Switching Energy: 5.5mJ (on), 5.8mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXGK120N120B3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXGK120N120B3	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 885ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 370A Turn-on time: 122ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGK120N120B3	Виробник : IXYS	IGBTs 200Amps 1200V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGK120N120B3	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 830W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 885ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 370A Turn-on time: 122ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.