Продукція > IXG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXG-10P-DCHirose Electric Co LtdDescription: Interconnect Interface
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG100IF1200HFIXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG100NA60UIXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXG50I4500KNIXYSDescription: DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE IS
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS264™
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG50I4500KNIXYSIGBTs Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage ISOPLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NAIXYSIXG70IF1200NA IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NAIXYSDescription: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NAIXYSIGBT Modules TO227 1200V 70A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA 15N120CIXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA10N60
Код товару: 98637
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA10N60IXYSArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA120N30TCIXYSDescription: IGBT 300V 120A 250W TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N100IXYSIGBT Transistors 24Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N100IXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N100AIXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A2IXYSDescription: IGBT 1200V 24A 75W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/680ns
Switching Energy: 5.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 12A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A2IXYSIGBTs 24 Amps 1200V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3IXYSIGBTs 1200V, 12A IGBT; G Series
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.27 грн
10+245.50 грн
100+206.59 грн
500+167.57 грн
1000+159.91 грн
2500+159.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 22A 100W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Gate Charge: 20.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3-TRLIXYSDescription: IXGA12N120A3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/62ns
Test Condition: 960V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 20.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N120A3-TRLIXYSIGBTs IXGA12N120A3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A 100W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60CIXYSDescription: IGBT 600V 24A 100W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60CIXYSIGBT Transistors 24 Amps 600V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60CD1IXYSIGBTs 24 Amps 600V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA150N30TCIXYSDescription: IGBT 300V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA15N100CIXYSIGBTs 30 Amps 1000V 3.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA15N100CIXYSDescription: IGBT 1000V 30A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA15N120BLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA16N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA16N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA16N60C2IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA16N60C2IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA16N60C2D1IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA16N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N100IXYSIGBTs 40 Amps 1000V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N100IXYSDescription: IGBT 1000V 40A 150W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N100-TRLLittelfuseIGBTs TO247 1200V 100A GENX4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 150W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120IXYSIGBTs 40 Amps 1200V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+749.84 грн
3+419.14 грн
8+381.62 грн
100+367.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Turn-on time: 66ns
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.87 грн
3+336.34 грн
8+318.01 грн
100+306.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+311.54 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3
Код товару: 56134
Додати до обраних Обраний товар

IXYSТранзистори > IGBT
Корпус: TO-263
Vces: 1200 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 180 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 16/290
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.94 грн
10+347.57 грн
100+262.44 грн
500+258.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRLIXYSIGBTs IXGA20N120A3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120BIXYSIGBTs 40 Amps 1200V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 40A 150W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 36A 180W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 36A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRLIXYSIGBTs IXGA20N120B3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N250HVIXYSDescription: DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+3488.53 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N250HVIXYSIGBTs TO263 2500V 30A IGBT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4827.54 грн
10+4340.62 грн
50+3333.73 грн
250+3257.98 грн
500+3228.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N250HVLittelfuseHigh Voltage IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N250HV-TRLIXYSDescription: DISC IGBT NPT VERY HI VOLTAGE TO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N250HV-TRLIXYSIGBTs TO263 2500V 12A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N60BIXYSIGBT Transistors 40 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 48A 250W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/93ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3IXYSIGBTs 40khz PT IGBTs Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO263
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N120C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO263
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA24N60CIXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA28N60A3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
Switching Energy: 700µJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+491.86 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+945.33 грн
10+642.34 грн
100+544.02 грн
500+516.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 60A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.89 грн
50+473.18 грн
100+438.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3IXYSIXGA30N120B3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+653.19 грн
10+590.53 грн
50+539.89 грн
100+454.30 грн
250+410.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3-TRLIXYSIGBTs IXGA30N120B3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3C1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3C1IXYSIGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3D4IXYSIGBT Transistors 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3D4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3D4IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA36N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/330ns
Switching Energy: 740µJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA36N60A3IXYSIGBT Transistors Disc IGBT PT-Low Frequency TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA36N60A3-TRLLittelfuseIGBTs Disc IGBT PT-Low Frequency TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA42N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 223W TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA42N30C3IXYSIXGA42N30C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+368.22 грн
3+307.65 грн
4+253.45 грн
11+239.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+441.87 грн
3+383.38 грн
4+304.14 грн
11+287.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3IXYSIGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.44 грн
10+248.14 грн
100+197.41 грн
500+185.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+227.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLIXYSIGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.69 грн
10+299.17 грн
100+186.69 грн
500+185.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+403.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.98 грн
10+284.38 грн
100+204.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 840µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60B3IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60B3-TRLIXYSIGBTs IXGA48N60B3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60B3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 840µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60C3IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60C3-TRLIXYSIGBTs IXGA48N60C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA4N100IXYSIGBTs 8 Amps 1000V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA4N100IXYSDescription: IGBT 1000V 8A 40W TO263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA50N60C4IXYSDescription: IGBT 600V 90A 300W TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 14A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/100ns
Switching Energy: 70µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 54 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60BIXYSIGBTs 14 Amps 600V 2.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 14A 80W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/100ns
Switching Energy: 300µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60CIXYSIGBT Transistors 14 Amps 600V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60CIXYSDescription: IGBT 600V 14A 54W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/65ns
Switching Energy: 70µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 54 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60CD1IXYSIGBT Transistors 14 Amps 600V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA7N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 14A 75W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/65ns
Switching Energy: 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA8N100IXYSDescription: IGBT 1000V 16A 54W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/600ns
Switching Energy: 2.3mJ (off)
Test Condition: 800V, 8A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 26.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 54 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA8N100IXYSIGBTs 16 Amps 1000V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA90N33TCIXYSDescription: IGBT 330V 90A 200W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-263AA
Gate Charge: 69 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGB200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 1250mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGB200N60B3IXYSIGBT Transistors GenX3 600V IGBT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGB200N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/310ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 1250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGB75N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 120A 360W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 248 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC12N60CIXYSDescription: IGBT 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 85 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC12N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 85 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC16N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/70ns
Switching Energy: 150mJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 63 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC16N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/70ns
Switching Energy: 150mJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 63 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC16N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/60ns
Switching Energy: 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 63 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC16N60C2IXYSIGBT Transistors 8 Amps 600V 3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC16N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/60ns
Switching Energy: 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 63 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGC16N60C2D1IXYSIGBT Transistors 8 Amps 600V 3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGE200N60BIXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A ISOPLUS227
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS227™
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOPLUS227™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 416 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGE200N60BIXYSIGBTs 175 Amps 600V 2.1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N250IXYSDescription: IGBT 2500V 23A ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N250IXYSIGBT Transistors DiscIGBT NPT-Very Hi Voltage I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300IXYSIXGF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3476.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 22A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 31 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 103 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300IXYSIGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 22A 100W 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 22A 100W 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N250
Код товару: 149950
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 30A 114000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 114 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N250IXYSIGBTs ISOPLUS 2500V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 114000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N300IXYSDescription: IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF25N300IXYSIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400IXYSDescription: IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400IXYSIGBTs ISOPLUS 4KV 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3650.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400
Код товару: 167341
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF30N400LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170LittelfuseTrans IGBT Chip 1700V 44A 200000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170IXYSDescription: IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
Switching Energy: 10.6mJ (off)
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1847.38 грн
25+1474.59 грн
100+1382.44 грн
500+1107.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170IXYSIXGF32N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170IXYSIGBTs 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1953.15 грн
10+1757.19 грн
25+1269.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5
DC-Kollektorstrom: 44
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF36N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 36A 160000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF36N300IXYSDescription: IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF36N300IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH100N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 75A 460W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/105ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 200V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 500 A
Power - Max: 460 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH100N30C3IXYSIGBT Transistors 100 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N100IXYSDescription: IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N100IXYSIGBT Transistors 1000V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N100AIXYSIGBT Transistors 10 Amps 1000V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N100AU1IXYSDescription: IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/550ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 800V, 10A, 150Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N100U1IXYSDescription: IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/550ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 800V, 10A, 150Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170IXYSIGBTs 20 Amps 1700 V 4 V Rds
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1217.60 грн
10+738.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 110W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.85 грн
30+644.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 630ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170AIXYSIGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.56 грн
10+456.68 грн
120+364.97 грн
510+358.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/190ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+455.78 грн
90+392.67 грн
300+369.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 240ns
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+793.10 грн
3+537.33 грн
6+488.74 грн
30+469.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N300IXYSIGBTs Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N300Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 3000V 18A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH10N300IXYSDescription: IGBT 3000V 18A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3IXYSIGBTs 120 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3IXYSIXGH120N30B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3IXYSDescription: IGBT 300V 75A 540W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30C3IXYSIGBTs 120 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30C3IXYSIXGH120N30C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 75A 540W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/109ns
Switching Energy: 230µJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 200V, 60A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N100IXYSIGBTs 24Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N100IXYSDescription: IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A2D1IXYSMOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A2D1IXYSDescription: IGBT 1200V 12A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 22A 100W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 20.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+202.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N120A3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N60CIXYSDescription: IGBT 600V 24A 100W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N90CIXYSDescription: IGBT 900V 24A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 720V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N90CIXYSIGBTs 24 Amps 900V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120B2D1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/165ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120B2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 2.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120BD1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1IXYSMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170IXYSIGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.33 грн
10+769.92 грн
30+507.29 грн
120+501.93 грн
510+491.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170
Код товару: 119539
Додати до обраних Обраний товар

IXYSТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1700 V
Vce: 3,5 V
Ic 25: 32 A
Ic 100: 16 A
у наявності 6 шт:
1 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.08 грн
5+905.54 грн
10+830.01 грн
50+700.58 грн
100+581.95 грн
250+517.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 32A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.20 грн
30+671.36 грн
120+600.68 грн
510+497.39 грн
1020+447.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Collector current: 16A
Pulsed collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1129.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AIXYSIGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AH1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AH1IXYSIGBT Transistors 11 Amps 1700V 5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170AH1IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 230 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N60B2IXYSIGBTs 600V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N60B2D1IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 2.3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N60C2D1IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100IXYSDescription: IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 800V, 17A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1000V 34A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100IXYSIGBT Transistors 17 Amps 1000V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100Aixys07+
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 34A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 800V, 17A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100AIXYSIGBT Transistors 17 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100AU1IXYSIGBT Transistors 17 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100AU1IXYSDescription: IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 800V, 17A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100U1IXYSDescription: IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 800V, 17A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH17N100U1IXYSIGBT Transistors 17 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH1961LittelfuseIXGH1961^IXYS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N100IXYSDescription: IGBT 1000V 40A 150W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120IXYSIGBTs 40 Amps 1200V 3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH20N120A3 - IGBT, 40A, 2.5V, 180W, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 180
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+811.64 грн
3+436.02 грн
8+396.92 грн
120+390.22 грн
300+381.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+676.37 грн
3+349.89 грн
8+330.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.86 грн
10+407.40 грн
510+331.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120BD1IXYSIGBT Transistors 20 Amps 1200V 3.40 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120IHIXYSMOSFETs 20 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120IHIXYSDescription: IGBT 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N140C3H1IXYSDescription: IGBT 1400V 42A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/110ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 700V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N140C3H1IXYSIGBT Transistors GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N160IXYSDescription: IGBT 600V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N160IXYSIGBTs 600V 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N60IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N60AIXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH22N140IHIXYSDescription: IGBT 1400V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH22N140IHIXYSMOSFETs 22 Amps 1400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH240N30PBIXYSIGBTs 240 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH240N30PBIXYSDescription: IGBT 300V 48A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3IXYSIGBTs 48 Amps 1200V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.73 грн
10+503.31 грн
510+420.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 48A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/93ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.92 грн
10+559.91 грн
100+418.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT; Sonic FRD™
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/93ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3H1IXYSIGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT; Sonic FRD™
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 79nC
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120IHIXYSIGBTs 24 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N120IHIXYSDescription: IGBT 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 50A 250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/200ns
Switching Energy: 8mJ (off)
Test Condition: 1360V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 106 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1281.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1305.01 грн
3+1189.87 грн
10+1101.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 560ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1087.51 грн
3+954.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH24N170 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.16 грн
5+1363.03 грн
10+1272.91 грн
50+1097.50 грн
100+935.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170IXYSIGBTs 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1513.96 грн
10+1168.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 456ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 25A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170AIXYSIGBTs 24 Amps 1200 V 5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 25A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 24A 250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/336ns
Switching Energy: 2.97mJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 850V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 456ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170AH1IXYSIGBT Transistors High Voltage IGBT w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N170AH1IXYSDescription: IGBT 1700V 24A 250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/336ns
Switching Energy: 2.97mJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 850V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60AIXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60AIXYSMODULE
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60BIXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 600µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 600µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60CIXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60C4IXYSDescription: IGBT PT 600V 56A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/143ns
Switching Energy: 400µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 360V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60C4D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 56A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/143ns
Switching Energy: 400µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 360V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60CD1
Код товару: 36487
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH24N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100IXYSIGBTs 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100IXYSDescription: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100AU1IXYSIGBTs 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100AU1IXYSDescription: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100U1IXYSIGBTs 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N100U1IXYSDescription: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N120IXYSIGBTs 50 Amps 1200V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N120IXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/650ns
Switching Energy: 11mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N120AIXYSIGBTs 25 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/650ns
Switching Energy: 11mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160IXYSIXGH25N160 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160IXYSIGBTs 75 Amps 1600V 2.5 Rds
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1143.51 грн
10+1026.86 грн
30+843.95 грн
60+814.88 грн
120+759.02 грн
270+684.80 грн
510+657.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.78 грн
10+1045.25 грн
25+908.03 грн
50+824.87 грн
100+672.77 грн
1000+630.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160IXYSDescription: IGBT NPT 1600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH25N160 - TRANSISTOR, IGBT, 1.6KV, 75A, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1069.40 грн
13+975.56 грн
25+847.49 грн
50+769.88 грн
100+627.92 грн
1000+588.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N250IXYSIXGH25N250 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N250IXYSIGBTs TO247 2500V 60A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 60A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH26N50TO-220
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BIxysTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BIXYSIGBT Transistors 28 Amps 1200V 3.50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+227.20 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
Switching Energy: 2.2mJ (off)
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BD1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120BD1IXYSIGBTs 28 Amps 1200V 3.50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N140B3H1IXYSDescription: IGBT 1400V 60A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/190ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N140B3H1IXYSIGBT Transistors Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60A3IXYSIGBT Transistors DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60A3IXYSDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/175ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 28A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 66A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1IXYSIGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.95 грн
10+335.25 грн
510+285.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 66A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 340µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.71 грн
30+294.66 грн
120+247.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1IXYSIXGH28N60B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/175ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 28A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N90BIXYSDescription: IGBT 900V 51A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/100ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N90BIXYSIGBTs 51 Amps 900V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250IXYSIXGH2N250 THT IGBT transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1462.60 грн
2+1024.34 грн
4+968.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1242.35 грн
30+968.25 грн
120+911.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250IXYSIGBTs TO247 2500V 2A IGBT
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1289.01 грн
10+1178.21 грн
30+781.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3IXYSIGBTs TO247 1200V 60A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1IXYSIGBTs 60 Amps 1200V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1131.90 грн
10+794.56 грн
120+593.75 грн
510+563.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1IXYSIXGH30N120B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1IXYSDescription: IGBT PT 1200V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3D1 Транзистор IGBT 1200V 300W TO247AD
Код товару: 162398
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120BD1IXYSMOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120C3H1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/106ns
Switching Energy: 1.45mJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 600V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120C3H1IXYSIGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120C3H1IXYSIXGH30N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120IHIXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60AIXYSDescription: IGBT 600V 50A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60BIXYSDescription: IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/130ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/110ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60B2IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/110ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60B2D1
Код товару: 30215
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60B4IXYSDescription: IGBT 600V 66A 190W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 440µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 156 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 200W TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/130ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60BU1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/130ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C2D1IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/70ns
Switching Energy: 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C2D4IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3IXYSIGBTs 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1IXYSIGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH30N60C3C1 - IGBT, Einzeltransistor, Siliziumkarbid, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-247, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 220
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1IXYSIGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.69 грн
10+611.54 грн
120+443.02 грн
510+394.81 грн
1020+374.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.57 грн
30+427.15 грн
120+363.12 грн
510+315.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+626.30 грн
25+599.40 грн
50+576.56 грн
100+537.10 грн
250+482.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH30N60C3D1 - IGBT, 60 A, 2.6 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.38 грн
5+549.33 грн
10+513.28 грн
50+443.15 грн
100+378.16 грн
250+347.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1
Код товару: 164623
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH31N60IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH31N60IXYSDescription: IGBT 600V 60A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 31A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/400ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH31N60D1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH31N60D1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 31A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/400ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH31N60U1IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N100A3IXYSDescription: IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.17 грн
10+551.74 грн
25+527.82 грн
50+503.88 грн
100+419.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH32N120A3 - IGBT, 75 A, 2.35 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+831.72 грн
5+679.80 грн
10+527.88 грн
50+416.84 грн
100+342.11 грн
250+335.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+576.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3IXYSIGBTs 32 Amps 1200V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+880.17 грн
10+500.67 грн
120+433.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+812.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 89 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.16 грн
30+507.09 грн
120+450.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N120A3IXYSIXGH32N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1830.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170IXYSIGBTs 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1696.96 грн
10+1196.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
Switching Energy: 11mJ (off)
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1631.35 грн
30+999.92 грн
120+923.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170
Код товару: 140302
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2052.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1694.35 грн
2+1544.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH32N170 - IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.96 грн
2+1239.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170A
Код товару: 129525
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1700 V
Vce: 5 V
Ic 25: 32 A
Ic 100: 21 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 46/260
товару немає в наявності
1+690.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170AIXYSIGBTs VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2063.85 грн
10+1447.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/260ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1601.56 грн
30+977.34 грн
120+894.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60AIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60AU1IXYSIGBT Transistors 32 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/120ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BIXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BU1IXYSIGBTs 60 Amps 600V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60CIXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60CIXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/85ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60CD1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/85ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60CD1IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60CD1 (IGBT-транзистор)
Код товару: 49455
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N90B2IXYSDescription: IGBT 900V 64A 300W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N90B2IXYSIGBTs 32 Amps 900V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N90B2D1IXYSIGBT Transistors 32 Amps 900V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N90B2D1IXYSDescription: IGBT 900V 64A 300W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH34N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/150ns
Switching Energy: 640µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH35N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH35N120CIXYSMODULE
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH35N120C транзистор IGBT
Код товару: 109599
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/330ns
Switching Energy: 740µJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60A3IXYSIGBT Transistors GenX3 600V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60A3D4IXYSIGBT Transistors 36 Amps 600V 2 Rds
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60A3D4IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/330ns
Switching Energy: 740µJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+411.14 грн
4+270.19 грн
10+255.05 грн
30+245.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+493.37 грн
4+336.70 грн
10+306.06 грн
30+294.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 92A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 540µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.29 грн
30+229.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 92A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH36N60B3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 92A, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBTs
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.40 грн
10+288.61 грн
120+204.29 грн
510+195.11 грн
1020+191.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 92A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1IXYSIGBT Transistors 75Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2569.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2342.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2810.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/125ns
Switching Energy: 390µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 36A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3D1IXYSDescription: IGBT 600V 250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 540µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3D1IXYSIGBT Transistors 36 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3D4IXYSDescription: IGBT 600V 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 540µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3D4IXYSIGBT Transistors 200 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH38N60IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 38A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/600ns
Switching Energy: 9mJ (off)
Test Condition: 480V, 38A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH38N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 38A
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH39N60BIXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/250ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH39N60BD1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH39N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/250ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH39N60BD1
Код товару: 25259
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 360W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/420ns
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2IXYSIGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1401.49 грн
10+1106.05 грн
120+867.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 380W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/290ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 138 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 380 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1IXYSIGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1384.53 грн
10+1037.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.26 грн
5+989.66 грн
10+969.92 грн
50+881.51 грн
100+796.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 380W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 380 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3IXYSIGBTs 75Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1
Код товару: 182236
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.27 грн
5+911.55 грн
10+909.83 грн
50+842.45 грн
100+776.18 грн
250+774.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.98 грн
30+666.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1IXYSIGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1123.87 грн
10+857.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N30BD1IXYSMODULE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60IXYSIGBTs G-series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60AIXYSIGBT Transistors G-series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60AIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60A3D1Littelfuse- TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60A3D1IXYSDescription: IGBT 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60A3D1IXYSMOSFET 40 Amps 600V 1.25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 2.7mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/130ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60B2D1
Код товару: 67024
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60B2D1IXYSIGBT Transistors 40 Amps 600V 1.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/130ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60CIXYSIGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60CIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60C2IXYSIGBTs 40 Amps 600V 2.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60C2
Код товару: 30177
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 40 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60C2
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60C2D1IXYSIGBT Transistors 75 Amps 600V 2.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH41N60IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 41A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/600ns
Switching Energy: 8mJ (off)
Test Condition: 480V, 41A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH42N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 223W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/113ns
Switching Energy: 120µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 200V, 21A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH42N30C3IXYSIGBT Transistors 42 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH45N120IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 300W TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/370ns
Switching Energy: 14mJ (off)
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH48N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 120A, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3
Код товару: 133424
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+381.50 грн
34+365.11 грн
50+351.21 грн
100+327.17 грн
250+293.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3IXYSIGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.41 грн
10+275.41 грн
510+234.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3IXYSIXGH48N60A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.25 грн
30+221.60 грн
120+185.17 грн
510+172.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1IXYSIXGH48N60A3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.37 грн
30+309.86 грн
120+260.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3IXYSIGBT Modules 48 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 840µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1IXYSIGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 450µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1160.47 грн
3+1033.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1392.56 грн
3+1288.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.82 грн
3+444.74 грн
6+420.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+713.79 грн
3+554.21 грн
6+504.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.07 грн
10+563.42 грн
25+497.58 грн
50+440.76 грн
100+352.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+582.46 грн
24+525.86 грн
27+464.40 грн
50+411.38 грн
100+329.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1IXYSIGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.41 грн
10+351.97 грн
120+296.88 грн
510+276.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH48N60B3D1 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 48A, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 840µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3IXYSIGBTs 48 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3
Код товару: 155510
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 330µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1IXYSIGBT Transistors 75Amps 600V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+761.92 грн
18+677.36 грн
30+586.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1
Код товару: 108583
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1IXYSIGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+769.48 грн
10+464.59 грн
120+361.15 грн
510+351.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.01 грн
30+402.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+733.88 грн
3+463.87 грн
6+438.36 грн
30+422.42 грн
120+421.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+880.65 грн
3+578.05 грн
6+526.04 грн
30+506.91 грн
120+505.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.58 грн
5+575.94 грн
10+428.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250CIXYSIGBT Modules High Voltage IGBTs
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 13A 150W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 1250V, 4A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 46 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Turn-off time: 350ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 460W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3IXYSIGBTs 75Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/123ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 196 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 460 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3IXYSIXGH50N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N60AIXYSDescription: IGBT 600V 75A 250W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/200ns
Switching Energy: 4.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 75A 400W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/190ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/115ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 138 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N60C4IXYSDescription: IGBT 600V 90A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/270ns
Switching Energy: 950µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 113 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2IXYSIGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1058.70 грн
10+918.63 грн
30+777.39 грн
60+733.77 грн
120+722.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2IXYSDescription: IGBT 900V 75A 400W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+716.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2IXYSIXGH50N90B2 THT IGBT transistors
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+824.00 грн
3+520.30 грн
6+491.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1IXYSDescription: IGBT PT 900V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1232.41 грн
30+960.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1IXYSIXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1022.79 грн
2+646.55 грн
5+611.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1409.38 грн
5+1142.44 грн
10+875.50 грн
50+781.08 грн
100+691.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1IXYSIGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1343.46 грн
10+1166.77 грн
30+923.53 грн
60+901.34 грн
120+864.61 грн
270+860.79 грн
510+847.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60A3IXYSIGBT Modules GenX3 600V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 44A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/310ns
Switching Energy: 1mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 480V, 44A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A
Power - Max: 330 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60B3IXYSIGBT Transistors Disc IGBT PT-Mid Frequency TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60B3IXYSDescription: DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60B3D1IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 44A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/155ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 44A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 138 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 330 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH56N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 56A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N30C3IXYSIGBT Transistors 60 Amps 300V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 75A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/108ns
Switching Energy: 150µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 200V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 101 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N30C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N30C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.30 грн
10+219.72 грн
25+215.68 грн
50+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60IXYSIGBTs HIGH SPEED IGBT N-CHAN 600V 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/300ns
Switching Energy: 8mJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/160ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C2
Код товару: 30178
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 480 W
товару немає в наявності
1+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/95ns
Switching Energy: 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C2IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3
Код товару: 113398
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns
Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 380 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.82 грн
5+826.58 грн
10+646.32 грн
50+596.97 грн
100+547.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1
Код товару: 148221
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns
Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 380 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1IXYSIGBTs 60 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH64N60A3IXYSIGBT Modules GenX3 600V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH64N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 64A 460000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH64N60A3IXYSDescription: IGBT 600V 460W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH64N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 460W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/138ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 460 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH64N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 20 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 0.6µs
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.49 грн
10+741.77 грн
30+483.57 грн
120+473.62 грн
1020+434.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 0.6µs
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 18.5nC
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+789.43 грн
17+740.17 грн
25+605.72 грн
50+578.25 грн
100+473.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 6A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 590µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 850V, 6A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 14 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.03 грн
30+503.85 грн
120+429.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.82 грн
10+793.04 грн
25+648.99 грн
50+619.55 грн
100+507.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 18.5nC
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH6N170AIXYSIGBTs 12 Amps 1700 V 7 V Rds
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 540 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.84 грн
30+432.20 грн
120+367.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+953.78 грн
3+568.12 грн
6+517.43 грн
120+513.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3IXYSIGBTs 72 Amps 600V 1.35 Rds
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+813.22 грн
10+475.15 грн
120+394.05 грн
510+381.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.82 грн
3+455.90 грн
6+431.19 грн
120+428.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 540W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 540000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/150ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/77ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 540W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60C3
Код товару: 73163
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH85N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 75A 333W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 200µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 200V, 42.5A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH85N30C3IXYSIGBTs 85 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH90N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH90N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 75A 660W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH90N60B3IXYSIXGH90N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGI48N60C3IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGJ40N60C2D1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGJ40N60C2D1IXYSIGBT Transistors 40 Amps 600V 2.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK 50N60A2D1IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170IXYSIGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4885.56 грн
10+4215.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO264
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Gate charge: 425nC
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170IXYSDescription: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4489.33 грн
25+3254.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Case: TO264
Kind of package: tube
Turn-on time: 285ns
Gate charge: 425nC
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4027.48 грн
25+2800.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3IXYSIGBTs 120 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 200A 830W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/275ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+2010.08 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3IXYSIGBTs 200Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N60BIXYSDescription: IGBT 600V 200A 660W TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/200ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 660 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N60B3IXYSDescription: DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/227ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 465 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 780 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/120ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 500 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK28N140B3H1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK28N140B3H1IXYSDescription: IGBT 1400V 60A 300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/190ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK28N140B3H1IXYSIGBT Transistors 28 Amps 1400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK300N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 1000W TO264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK300N60B3IXYSIGBT Modules 300 Amps 600V 1.6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60A3IXYSIGBT Transistors 320 Amps 600V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 320A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Gate Charge: 560 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1000 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 500A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/250ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 585 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1700 W
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2860.46 грн
25+1869.18 грн
100+1857.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3IXYSIXGK320N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 500A 1700000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK35N120BD1IXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK35N120CD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK35N120CD1IXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 4 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3IXYSIGBTs 400 Amps 300V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3122.55 грн
10+2521.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 300V 400A 1000W 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1252.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 300V 400A 1000000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3IXYSDescription: IGBT PT 300V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Gate Charge: 560 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1000 W
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1763.03 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 300V 400A 1000W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30B3IXYSDescription: IGBT 300V 400A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30B3IXYSIGBT Transistors 400 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30C3IXYSIGBT Transistors 400 Amps 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK400N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 400A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N120C3H1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 95A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/123ns
Switching Energy: 2mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 196 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 460 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N120C3H1IXYSIGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N120C3H1IXYSIXGK50N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60A2U1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/410ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60AU1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/200ns
Switching Energy: 4.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/190ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/200ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60BU1IXYSIGBTs 75 Amps 600V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60C2D1IXYSIGBTs 50 Amps 600V 2.5V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/115ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 138 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N90B2D1IXYSDescription: IGBT 900V 75A 400W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N90B2D1IXYSIGBTs 50 Amps 600V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK55N120A3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Pulsed collector current: 400A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK55N120A3H1IXYSIGBTs Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK55N120A3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Pulsed collector current: 400A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK55N120A3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 125A 460W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/365ns
Switching Energy: 5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 55A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 460 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1476.86 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/300ns
Switching Energy: 8mJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60IXYSIGBTs 75 Amps 600V 1.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1IXYSTO-264 09+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/160ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/95ns
Switching Energy: 400µJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK64N60B3D1IXYSDescription: IGBT 600V 460W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/138ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 460 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK64N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 64A 460000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK64N60B3D1IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60A3H1IXYSIGBT Transistors 75Amps 600V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60A3H1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 540W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1IXYSIGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60C3H1IXYSIGBTs 75Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60C3H1IXYSDescription: IGBT TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK75N250IXYSIXGK75N250 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK75N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK75N250IXYSIGBTs TO264 2500V 75A IGBT
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8292.87 грн
10+8173.52 грн
25+6841.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK75N250IXYSDescription: IGBT NPT 2500V 170A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 410 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 780 W
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8285.06 грн
25+6700.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK75N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK82N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 260A 1250W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/265ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 12.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK82N120A3IXYSIXGK82N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK82N120A3IXYSIGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK82N120B3IXYSIXGK82N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK82N120B3IXYSIGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK82N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 230A 1250W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
Switching Energy: 5mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 500 A
Power - Max: 1250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGL200N60B3IXYSIGBT Transistors 150Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGL200N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/310ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGL50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGL75N250IXYSDescription: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM17N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 34A 150W TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-204AE
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 800V, 17A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM20N60IXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-204AE
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 2mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM20N60AIXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-204AE
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM25N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 50A 200W TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-204AE
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM25N100AIXYSTO-3 9352+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-204AE
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Test Condition: 480V, 40A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60AIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 75A 250W TO204
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: TO-204
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60ALIXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N120IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 160A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N120IXYSIGBTs G-series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N160AIXYSIGBTs 100 Amps 1600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N160AIXYSDescription: IGBT MODULE 1600V 200A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6066.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.22 nF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5013.25 грн
10+3727.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170IXYSIXGN100N170 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4451.45 грн
10+3610.48 грн
25+3575.01 грн
50+3412.29 грн
100+3153.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3296.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN100N170IXYSIGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5494.36 грн
10+4861.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN120N60A3IXYSIGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN120N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN120N60A3D1IXYSIGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN120N60A3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 595000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN120N60A3D1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170IXYSIXGN200N170 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170LittelfuseIGBT Module, High Voltage IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5112.20 грн
5+4956.32 грн
10+4650.11 грн
20+4202.15 грн
50+3947.60 грн
100+3871.96 грн
250+3805.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170IXYSDescription: IGBT 1700V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/320ns
Switching Energy: 28mJ (on), 30mJ (off)
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1050 A
Power - Max: 1250 W
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4881.65 грн
10+3622.55 грн
100+3603.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 280A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6734.48 грн
5+5892.46 грн
10+4882.20 грн
50+4064.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170IXYSIGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4482.08 грн
10+3951.70 грн
20+3390.35 грн
50+3272.52 грн
100+3156.21 грн
200+3099.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170LittelfuseIGBT Module, High Voltage IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60IXYSIGBT Transistors 200 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60AIXYSMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60AIXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60AIXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60A2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 700W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60BIXYSMODULE
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60BIXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60BIXYSTO220
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4063.07 грн
10+2984.22 грн
100+2885.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3539.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4396.08 грн
10+3556.84 грн
25+3521.36 грн
50+3394.77 грн
100+3107.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3
Код товару: 176713
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+6232.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3529.47 грн
3+3240.70 грн
10+3151.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4103.01 грн
10+3319.71 грн
25+3286.61 грн
50+3168.45 грн
100+2900.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5043.57 грн
10+4108.32 грн
100+3273.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4235.36 грн
3+4038.41 грн
10+3781.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN20N90
Код товару: 104856
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3IXYSIGBTs 320 Amps 600V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3317.15 грн
10+2740.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3IXYSIXGN320N60A3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3160.08 грн
10+2286.26 грн
100+2115.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 320A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: 735W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2801.60 грн
5+2698.60 грн
10+2603.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N30A3IXYSIGBT Transistors 400 Amps 300V 1.15 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N30A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 300V 400A 735000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N30A3IXYSDescription: IGBT MOD 300V 400A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 190A
Power dissipation: 830W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 190A
Power dissipation: 830W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3IXYSIGBTs 400 Amps 600V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5721.10 грн
10+4518.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range PT IGBTs
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4390.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 430A 1000000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 430 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 31 nF @ 25 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3871.88 грн
10+3317.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.5kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN400N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GenX3™; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.5kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN40N60CD1IXYSDescription: IGBT MODULE 600V SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 95A 460000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N120C3H1IXYSIXGN50N120C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N120C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 95A 460W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 460 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N120C3H1IXYSIGBT Modules High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BIXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 300W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3IXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60IXYSDescription: IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60IXYSIGBT Transistors ULTRA LOW VCE 600V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60
Код товару: 173038
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.75 nF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2IXYS60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1IXYS60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1
Код товару: 36189
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.75 nF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1IXYSSOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60A3IXYSIGBT Transistors 72 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 160A 360000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 360W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 360 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 78A 360000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 78A 360000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 360 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.78 nF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2205.76 грн
10+1560.89 грн
100+1348.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 78A 360000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 52A
Pulsed collector current: 360A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN72N60C3H1IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2381.63 грн
10+1808.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN80N60A2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN80N60A2D1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120B3H1IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120C3H1IXYSIGBT Transistors 130Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120C3H1
Код товару: 179639
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 130A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP10N60AIXYSDescription: IGBT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N100IXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N100IXYSIGBT Transistors 24Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N100AIXYSIGBT Transistors 24Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N100AU1IXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N100AU1IXYSIGBTs 24Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A2IXYSDescription: IGBT 1200V 24A 75W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/680ns
Switching Energy: 5.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 12A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.10 грн
10+201.50 грн
100+165.27 грн
500+162.21 грн
1000+154.56 грн
2500+151.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 22A 100W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Gate Charge: 20.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.07 грн
30+189.77 грн
120+159.92 грн
510+130.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N60CIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP15N100CIXYSDescription: IGBT 1000V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP15N100CIXYSIGBT Transistors 30 Amps 1000V 3.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP15N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60B2D1IXYSIGBTs 16 Amps 600V 2.3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60B2D1
Код товару: 122366
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60C2IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP16N60C2D1IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N100IXYSDescription: IGBT 1000V 40A 150W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N100IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1000V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 150W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1200V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.62 грн
50+310.20 грн
100+285.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.37 грн
10+315.89 грн
100+254.79 грн
500+250.97 грн
1000+250.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.41 грн
4+271.79 грн
10+256.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.74 грн
5+498.69 грн
10+462.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+724.09 грн
4+338.69 грн
10+307.97 грн
500+296.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+936.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 40A 190W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120BIXYSIGBTs 40 Amps 1200V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+593.11 грн
4+271.79 грн
10+256.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 36A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.03 грн
50+304.03 грн
100+279.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+711.73 грн
4+338.69 грн
10+307.97 грн
500+295.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+723.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 190W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 48A 250W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/93ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3IXYSIGBTs 24 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N60CIXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N60C4IXYSDescription: IGBT 600V 56A 190W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/143ns
Switching Energy: 400µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 360V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP24N60C4D1IXYSDescription: IGBT 600V 56A 190W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/192ns
Switching Energy: 350µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 360V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP28N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 50A 250W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP28N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
Switching Energy: 700µJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP28N60A3IXYSIGBT Transistors DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP28N60A3MIXYSIGBT Transistors DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP28N60A3MIXYSDescription: IGBT PT 600V 38A TO220 ISOLATED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 64 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP2N100IXYSDescription: IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/300ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 800V, 2A, 150Ohm, 15V
Gate Charge: 7.8 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 8 A
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP2N100IXYSIGBTs 4 Amps 1000V 2.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.