Продукція > IXYS > IXTA50N25T
IXTA50N25T

IXTA50N25T IXYS


media-3323165.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.46 грн
10+ 324.34 грн
50+ 265.53 грн
100+ 231.84 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA50N25T IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 50A, Power dissipation: 400W, Case: TO263, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 78nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 166ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTA50N25T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA50N25T IXTA50N25T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_50n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA50N25T IXTA50N25T Виробник : IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA50N25T IXTA50N25T Виробник : IXYS DS99346A(IXTA-TH-TP-TQ50N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
товар відсутній
IXTA50N25T IXTA50N25T Виробник : IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
товар відсутній