Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXT-1-1N100S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1IXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1 T/RIxys Corporation- 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-705ATPlanetDescription: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24943.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.26 грн
50+533.66 грн
100+515.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.72 грн
5+776.02 грн
10+660.51 грн
50+506.83 грн
100+460.87 грн
250+453.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.20 грн
10+1185.82 грн
25+1174.16 грн
50+1069.05 грн
100+854.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSMOSFETs SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+805.31 грн
10+554.86 грн
500+472.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+163.07 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.41 грн
50+198.47 грн
100+181.24 грн
500+141.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.47 грн
3+284.51 грн
10+241.71 грн
50+188.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.59 грн
10+276.63 грн
100+194.53 грн
500+172.91 грн
1000+161.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.66 грн
50+201.09 грн
100+183.44 грн
500+143.15 грн
1000+136.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.39 грн
10+332.76 грн
50+229.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.09 грн
10+238.01 грн
100+170.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSMOSFETs IXTA06N120P TRL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
1+338.39 грн
10+279.84 грн
25+229.39 грн
100+197.32 грн
250+186.16 грн
500+175.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.63 грн
1600+135.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA06N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.44 грн
10+368.49 грн
25+298.53 грн
50+213.01 грн
100+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.38 грн
10+145.93 грн
100+118.53 грн
500+115.04 грн
1000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.09 грн
50+140.45 грн
100+127.32 грн
500+97.89 грн
1000+90.95 грн
2000+85.12 грн
5000+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.80 грн
10+268.44 грн
25+221.26 грн
50+162.40 грн
100+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.49 грн
50+194.89 грн
100+177.70 грн
500+138.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.32 грн
10+232.53 грн
100+175.01 грн
500+152.00 грн
1000+145.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.70 грн
10+248.91 грн
100+244.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLMOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263HV Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.66 грн
50+220.21 грн
100+188.75 грн
500+157.46 грн
1000+134.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.36 грн
10+304.69 грн
50+152.69 грн
100+143.63 грн
500+136.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.16 грн
50+138.70 грн
100+125.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2
Код товару: 118357
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.65 грн
10+149.14 грн
100+117.14 грн
500+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA100N04T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.86 грн
50+231.12 грн
100+206.80 грн
500+168.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.34 грн
10+236.54 грн
100+182.68 грн
500+173.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA102N15T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+159.99 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSMOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA10P15T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+614.72 грн
10+528.25 грн
25+522.99 грн
50+499.96 грн
100+458.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+573.74 грн
27+488.13 грн
50+466.63 грн
100+427.68 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.10 грн
10+536.31 грн
25+536.12 грн
50+507.22 грн
100+469.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+532.34 грн
29+457.30 грн
50+432.64 грн
100+400.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.98 грн
5+487.25 грн
10+394.52 грн
50+336.88 грн
100+283.08 грн
250+255.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.42 грн
10+339.17 грн
500+274.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+690.98 грн
25+659.08 грн
50+632.55 грн
100+588.46 грн
250+527.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+322.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+562.81 грн
27+478.83 грн
30+443.64 грн
100+378.26 грн
250+341.26 грн
500+260.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.74 грн
10+433.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSMOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.42 грн
10+384.07 грн
100+264.95 грн
500+249.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 56532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.28 грн
10+353.65 грн
100+273.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.01 грн
10+513.04 грн
25+475.33 грн
100+405.28 грн
250+365.63 грн
500+279.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.41 грн
10+173.19 грн
100+122.02 грн
500+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA110N055T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSMOSFETs 120 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.72 грн
5+439.26 грн
10+361.98 грн
50+265.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.66 грн
50+301.68 грн
100+276.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.84 грн
10+333.19 грн
50+275.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.51 грн
10+292.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+392.95 грн
35+376.07 грн
50+361.75 грн
100+336.99 грн
250+302.56 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+604.72 грн
50+466.19 грн
100+440.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSMOSFETs IXTA120P065T TRL
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.99 грн
10+370.44 грн
100+268.44 грн
500+263.55 грн
800+236.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.93 грн
50+167.49 грн
100+152.50 грн
500+118.47 грн
1000+110.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSMOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.71 грн
10+229.32 грн
100+159.67 грн
500+152.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N70X2IXYSMOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSMOSFETs 130 Amps 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.15 грн
50+188.91 грн
100+172.41 грн
500+134.66 грн
1000+128.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA130N10T TRL
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.75 грн
10+255.78 грн
100+198.01 грн
500+172.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+167.77 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.87 грн
50+569.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.60 грн
50+498.39 грн
100+461.62 грн
500+404.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.13 грн
10+752.91 грн
50+555.70 грн
100+544.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+662.09 грн
100+570.45 грн
250+536.90 грн
500+472.37 грн
1250+425.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSMOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSMOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+377.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.43 грн
50+358.38 грн
100+330.09 грн
500+272.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.47 грн
10+546.04 грн
50+329.10 грн
100+302.60 грн
250+296.32 грн
500+292.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLIXYSDescription: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.51 грн
50+210.92 грн
100+192.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.25 грн
50+651.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.53 грн
50+530.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.12 грн
50+573.36 грн
100+533.28 грн
500+485.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSMOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.42 грн
10+763.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA15N50L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+537.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15T-A2IXYSMOSFET -150V -15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSMOSFETs 160Amps 40V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.68 грн
10+226.92 грн
100+147.81 грн
500+141.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7IXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+188.12 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7IXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.15 грн
10+275.02 грн
100+160.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+164.30 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXTA16N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSMOSFET 170 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO263
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+443.78 грн
10+348.29 грн
25+277.80 грн
50+254.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.42 грн
10+280.64 грн
100+229.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.24 грн
10+318.07 грн
100+230.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA180N10T TRL
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.24 грн
10+315.92 грн
100+229.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+192.70 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7IXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.92 грн
10+346.39 грн
100+223.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRLIXYSMOSFETs IXTA180N10T7 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055T7IXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+102.72 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TIXYSMOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970-TRLLittelfuseLittelfuse IXTA1970 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970TRLIxys CorporationTRENCHT2 POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.95 грн
10+279.85 грн
100+229.28 грн
500+183.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PIXYSMOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 684-693 дні (днів)
2+211.49 грн
10+160.36 грн
100+115.74 грн
250+98.31 грн
500+95.52 грн
1000+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PIXYSMOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.96 грн
10+212.48 грн
100+172.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.59 грн
50+209.98 грн
100+191.92 грн
500+150.43 грн
1000+145.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSMOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1753.78 грн
10+1323.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV-TRLLittelfuseLittelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV-TRLLittelfuseMOSFETs TO263 1700V 1A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+779.28 грн
5+680.85 грн
10+583.24 грн
50+450.18 грн
100+393.94 грн
250+372.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.74 грн
50+428.71 грн
100+390.30 грн
500+352.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.36 грн
10+676.74 грн
50+417.64 грн
100+379.99 грн
250+375.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+356.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.02 грн
10+457.21 грн
100+351.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.15 грн
25+631.23 грн
100+428.68 грн
250+379.94 грн
500+333.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.01 грн
50+143.36 грн
100+130.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.31 грн
10+161.17 грн
100+116.44 грн
500+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PTRLIXYSMOSFETs TO263 1KV 1A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.22 грн
50+321.62 грн
100+275.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.19 грн
10+428.17 грн
50+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+224.73 грн
100+184.15 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+342.84 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.17 грн
10+168.38 грн
100+145.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA1R6N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.37 грн
10+253.38 грн
100+214.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 970ns
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.35 грн
10+232.64 грн
100+231.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.05 грн
50+173.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.94 грн
10+243.75 грн
50+200.11 грн
100+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 49ns
Gate charge: 109nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSMOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.27 грн
50+174.50 грн
100+158.98 грн
500+123.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-7IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA200N055T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085TIXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085T7IXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X-TRLIXYSMOSFETs IXTA20N65X TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.80 грн
3+315.56 грн
10+278.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+251.95 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA220N04T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2IXYSMOSFETs 230 Amps 75V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.54 грн
10+467.46 грн
50+318.64 грн
100+290.05 грн
500+256.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.83 грн
50+266.95 грн
100+247.21 грн
500+214.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2-7IXYSMOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA240N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.77 грн
50+222.13 грн
100+203.25 грн
500+170.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TIXYSMOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.62 грн
10+121.07 грн
100+94.13 грн
500+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.54 грн
50+134.16 грн
100+121.51 грн
500+93.25 грн
1000+86.57 грн
2000+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2IXYSMOSFETs TO263 N CHAN 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7IXYSMOSFETs 260 Amps 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 70ns
Kind of package: tube
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.55 грн
5+504.33 грн
10+478.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.09 грн
10+331.15 грн
100+268.44 грн
500+249.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.92 грн
50+336.26 грн
100+309.62 грн
500+246.81 грн
1000+238.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P
Код товару: 162385
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: -200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Drain current: -26A
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+512.47 грн
5+318.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P TRLIxys CorporationIXTA26P20P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.66 грн
10+353.05 грн
100+272.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSMOSFETs IXTA26P20P TRL
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.27 грн
10+376.86 грн
100+253.10 грн
500+252.40 грн
800+249.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
Drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4-7IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA27N20TIXYSMOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSMOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.62 грн
10+172.39 грн
100+100.40 грн
500+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100IXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA2N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.23 грн
10+435.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PIXYSMOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.56 грн
10+344.78 грн
500+290.05 грн
1000+283.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2IXYSMOSFETs 300 Amps 40V 0.025 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2-7IXYSMOSFETs 300 Amps 40V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.68 грн
10+343.18 грн
100+207.78 грн
500+201.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+275.90 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA30N25L2IXYSMOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA30N65X2IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20TIXYSMOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TIXYSMOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.99 грн
10+184.42 грн
50+138.75 грн
100+119.23 грн
250+115.74 грн
500+105.98 грн
1000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.45 грн
50+151.25 грн
100+129.64 грн
500+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P05T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 32A; 83W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: 15V
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TTRLIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 32 А, Ptot, Вт = 83, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25, Qg, нКл = 46 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 О
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 791 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+21.14 грн
100+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.01 грн
50+380.87 грн
100+351.46 грн
500+281.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.72 грн
10+565.28 грн
50+421.83 грн
100+383.48 грн
250+367.44 грн
500+364.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.73 грн
5+614.15 грн
10+551.51 грн
50+481.91 грн
100+416.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTA34N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.14 грн
50+195.45 грн
100+184.39 грн
500+162.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+228.31 грн
58+225.88 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+400.21 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.88 грн
50+242.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P
Код товару: 52904
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.70 грн
50+212.61 грн
100+210.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+344.36 грн
10+214.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSMOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.37 грн
10+191.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLIXYSMOSFETs IXTA36N30P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.66 грн
50+282.25 грн
100+259.36 грн
500+209.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.51 грн
10+300.68 грн
100+251.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P TRLIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.27 грн
10+428.68 грн
25+404.28 грн
50+353.50 грн
100+306.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.66 грн
10+353.42 грн
100+272.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSMOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.36 грн
10+283.04 грн
100+231.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.89 грн
50+270.41 грн
100+250.34 грн
500+216.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.71 грн
10+291.86 грн
100+216.14 грн
500+214.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.99 грн
10+380.69 грн
100+311.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSDescription: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120
Код товару: 190833
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.45 грн
5+558.02 грн
10+460.41 грн
50+336.13 грн
100+285.87 грн
250+284.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.55 грн
10+352.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.45 грн
50+329.45 грн
100+303.64 грн
500+252.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.48 грн
10+441.00 грн
100+347.92 грн
500+310.27 грн
800+306.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+286.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.57 грн
10+419.29 грн
100+337.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+744.30 грн
10+510.03 грн
25+476.68 грн
50+412.41 грн
100+352.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.88 грн
50+305.11 грн
100+300.78 грн
500+250.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.68 грн
10+340.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.10 грн
5+593.81 грн
10+562.90 грн
50+478.13 грн
100+398.82 грн
250+391.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.30 грн
10+465.86 грн
100+337.46 грн
500+301.21 грн
800+296.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120TRLMOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+770.33 грн
5+680.04 грн
10+590.56 грн
50+464.53 грн
100+382.78 грн
250+375.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSMOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.05 грн
10+575.71 грн
100+458.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+818.86 грн
3+694.07 грн
5+644.56 грн
10+566.50 грн
15+533.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N150HV TRL
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+889.09 грн
10+614.19 грн
100+465.06 грн
500+458.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.66 грн
10+619.23 грн
100+503.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.90 грн
50+201.96 грн
100+184.53 грн
500+144.52 грн
1000+139.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.47 грн
10+214.09 грн
100+171.52 грн
500+168.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N50D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P
Код товару: 131345
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N15TIXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.59 грн
10+209.28 грн
50+154.09 грн
100+140.14 грн
250+132.47 грн
500+124.81 грн
1000+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSMOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N28PIXYS09+
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.21 грн
50+266.68 грн
100+244.86 грн
500+195.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+216.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSMOSFET MOSFET 150 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.42 грн
10+419.35 грн
25+342.34 грн
100+301.90 грн
250+295.63 грн
500+260.07 грн
800+236.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 23540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.21 грн
10+334.54 грн
100+255.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+390.45 грн
50+332.35 грн
100+278.89 грн
250+273.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.53 грн
5+422.99 грн
10+390.45 грн
50+332.35 грн
100+278.89 грн
250+273.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.55 грн
10+477.49 грн
25+449.83 грн
50+392.02 грн
100+338.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TTRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.48 грн
10+373.65 грн
50+315.15 грн
100+278.20 грн
250+267.04 грн
500+260.07 грн
1000+242.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.62 грн
10+251.68 грн
100+203.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.72 грн
10+210.08 грн
100+170.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.42 грн
50+157.50 грн
100+154.44 грн
500+131.07 грн
1000+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TMOSFET P-CH 50V 48A TO263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 48A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRLIXYSMOSFETs IXTA48P05T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVIXYSMOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.25 грн
10+643.86 грн
100+519.44 грн
500+470.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA4N150HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N60PIXYSMOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.89 грн
10+166.78 грн
100+115.74 грн
500+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.75 грн
10+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSMOSFETs TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSMOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P-TRLIXYSMOSFETs IXTA4N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.52 грн
10+205.27 грн
100+168.03 грн
500+166.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLIXYSMOSFETs IXTA50N20P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TVdss=250V, Id25=50A, TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSMOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA50N25T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.52 грн
50+280.61 грн
100+257.85 грн
500+208.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.74 грн
25+477.49 грн
100+318.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.33 грн
10+300.68 грн
100+249.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.17 грн
10+349.65 грн
100+269.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA52P10P TRL
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.09 грн
10+379.26 грн
100+274.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+229.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO263
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+208.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N50PIXYSMOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PIXYSMOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.41 грн
50+115.40 грн
100+105.44 грн
500+82.32 грн
1000+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T
Код товару: 148376
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TIXYSMOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.79 грн
10+148.34 грн
100+108.77 грн
500+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA60N10T TRL
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.55 грн
10+144.33 грн
100+97.61 грн
500+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.12 грн
10+167.01 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T
Код товару: 108659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSMOSFETs 60 Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRLIXYSMOSFETs IXTA60N20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.40 грн
10+458.64 грн
100+371.63 грн
500+359.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.66 грн
50+429.64 грн
100+397.76 грн
500+346.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.40 грн
10+373.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.24 грн
10+279.03 грн
50+208.47 грн
100+186.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.68 грн
50+273.13 грн
100+234.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLIXYSMOSFETs IXTA62N15P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+216.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2IXYSMOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1028.19 грн
10+822.67 грн
25+665.86 грн
50+636.58 грн
100+610.08 грн
250+579.40 грн
500+571.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.68 грн
50+582.88 грн
100+567.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2-TRLIXYSMOSFET IXTA64N10L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 64A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.48 грн
10+465.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.80 грн
50+404.66 грн
100+373.73 грн
500+299.92 грн
1000+297.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA6N100D2 TRL
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.96 грн
10+554.06 грн
100+405.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+597.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.70 грн
10+958.98 грн
100+736.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 720 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
1+806.93 грн
50+525.99 грн
100+417.64 грн
500+387.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.39 грн
50+399.63 грн
100+369.08 грн
500+296.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+271.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSMOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 472-481 дні (днів)
1+699.56 грн
10+494.72 грн
100+414.86 грн
800+414.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+704.38 грн
10+468.16 грн
100+387.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.90 грн
25+628.79 грн
100+426.24 грн
250+377.67 грн
500+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSMOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA70N075T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N085TГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.18 грн
10+231.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.92 грн
50+209.47 грн
100+193.24 грн
500+162.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA75N10P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 148ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA76N25T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.49 грн
5+497.01 грн
10+406.72 грн
50+294.58 грн
100+249.61 грн
250+244.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T
Код товару: 198462
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+531.58 грн
28+463.26 грн
50+411.54 грн
100+304.53 грн
1000+251.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.67 грн
10+287.85 грн
100+247.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.55 грн
10+501.79 грн
25+496.35 грн
50+440.93 грн
100+326.29 грн
1000+269.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Kind of package: tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+479.03 грн
3+416.28 грн
5+394.45 грн
10+354.17 грн
25+293.74 грн
50+275.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.07 грн
50+285.96 грн
100+262.56 грн
500+207.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.24 грн
10+360.82 грн
100+247.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.57 грн
10+423.06 грн
25+397.52 грн
100+353.19 грн
250+317.56 грн
500+276.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 6277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.07 грн
10+358.71 грн
100+262.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+441.06 грн
33+394.86 грн
35+371.02 грн
100+329.64 грн
250+296.39 грн
500+257.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 100V; 76A; 298W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+306.16 грн
4000+303.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+220.60 грн
1600+209.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+285.75 грн
4000+282.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1081.88 грн
5+871.16 грн
10+767.93 грн
25+673.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.67 грн
50+557.89 грн
100+518.83 грн
500+472.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSMOSFETs MOSFET N CHANNEL
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1060.73 грн
10+756.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1200.64 грн
5+1062.35 грн
10+923.26 грн
25+728.90 грн
100+553.60 грн
500+536.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N075L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TN-Ch, 100V, 80A, TO-263AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N10T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2IXYSMOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20T-TRLIXYSMOSFET IXTA86N20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 16622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.83 грн
50+496.77 грн
100+460.90 грн
500+410.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+846.79 грн
10+558.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4-TRLLittelfuseLittelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50P
Код товару: 99415
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PIXYSMOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PN-CH 500V 8A 0.8Om TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.15 грн
10+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.52 грн
50+140.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.16 грн
10+151.54 грн
100+129.69 грн
500+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.83 грн
50+154.00 грн
100+140.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8PN50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2IXYSMOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2IXYSMOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.48 грн
10+142.72 грн
100+112.25 грн
500+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA90N075T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+876.89 грн
10+604.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.88 грн
50+531.67 грн
100+493.85 грн
500+444.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4-TRLLittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.97 грн
5+479.93 грн
10+393.71 грн
50+284.76 грн
100+241.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+506.37 грн
27+484.62 грн
50+466.15 грн
100+434.25 грн
250+389.89 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.13 грн
50+289.55 грн
100+265.86 грн
500+210.57 грн
1000+198.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.23 грн
50+392.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.27 грн
50+409.42 грн
100+367.93 грн
500+327.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TP-Channel 85 V 96A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+457.58 грн
50+382.12 грн
100+343.40 грн
500+305.58 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+425.50 грн
50+365.35 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.15 грн
10+268.61 грн
100+226.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.04 грн
10+381.57 грн
25+368.48 грн
100+328.30 грн
250+296.08 грн
500+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+287.47 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.77 грн
10+375.81 грн
50+331.88 грн
100+266.63 грн
250+241.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSMOSFETs TO263 P CHAN 85V 96A
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.99 грн
10+360.82 грн
100+239.15 грн
500+234.27 грн
800+223.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.13 грн
10+363.24 грн
100+265.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+375.81 грн
50+331.88 грн
100+266.63 грн
250+241.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+223.38 грн
1600+211.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB1909IXYSDescription: POWER MOSFET 500V 100AMP
на замовлення 19470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1827.63 грн
10+1623.52 грн
100+1386.35 грн
500+1181.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LIXYSMOSFETs 30 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3838.02 грн
25+2725.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSMOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4275.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088/6E/2C
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH ISOPLUS-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD1R4N60P 11IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD2N60P-1JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N50P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N60P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD4N80P-3JIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Packaging: Tube
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSMOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
Power Dissipation (Max): 730W
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3155.34 грн
5+2891.78 грн
10+2628.23 грн
50+2391.40 грн
100+2162.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450
Код товару: 147768
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSMOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3015.43 грн
10+2713.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2917.15 грн
25+2344.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF03N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSMOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N400Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSMOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6657.20 грн
10+5587.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6331.59 грн
25+4991.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSMOSFETs ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6187.03 грн
10+5689.72 грн
25+4527.85 грн
250+4506.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 160A I4PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSMOSFET DISC MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1116.85 грн
10+807.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.64 грн
30+779.21 грн
120+692.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1577.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.63 грн
5+1026.56 грн
10+803.68 грн
50+730.41 грн
100+660.28 грн
250+645.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1377.65 грн
20+1340.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1391.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2036.04 грн
5+1854.65 грн
10+1674.88 грн
25+1386.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVIXYSMOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1748.09 грн
10+1244.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2011.96 грн
30+1281.91 грн
120+1224.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV .4A N-CH POLAR
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1806.65 грн
10+1187.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSMOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSMOSFETs 102 Amps 200V 22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1254.24 грн
30+847.26 грн
120+807.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1690.86 грн
5+1673.99 грн
10+1628.63 грн
25+1083.75 грн
100+981.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSMOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1303.95 грн
10+995.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1562.39 грн
10+1520.05 грн
25+1011.50 грн
100+916.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1477.21 грн
5+1379.60 грн
10+1281.17 грн
50+1099.02 грн
100+930.11 грн
250+846.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1100.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1179.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.98 грн
10+400.11 грн
120+307.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+844.44 грн
25+711.93 грн
30+702.29 грн
120+614.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.20 грн
25+576.73 грн
100+439.26 грн
250+353.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.49 грн
30+367.47 грн
120+311.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PTO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.52 грн
5+815.88 грн
10+693.05 грн
50+528.74 грн
100+475.51 грн
250+462.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.23 грн
30+562.37 грн
120+482.38 грн
510+408.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.38 грн
10+807.81 грн
25+807.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1008.88 грн
25+962.30 грн
50+923.58 грн
100+859.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1216.89 грн
12+1120.03 грн
25+1074.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1408.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.00 грн
10+558.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1503.24 грн
10+1096.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1343.66 грн
30+813.98 грн
120+733.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1574.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH110N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1542.28 грн
5+1460.13 грн
10+1378.78 грн
25+1204.76 грн
100+1043.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+720.85 грн
30+553.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+689.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIXYSMOSFETs 110 Amps 250V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.22 грн
10+475.48 грн
120+386.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+826.09 грн
3+699.95 грн
10+590.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+624.14 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSMOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.85 грн
10+611.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1320.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50TO-247AD Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.69 грн
30+557.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50Ixys CorporationTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1150.41 грн
13+993.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N20X4IXYSMOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.23 грн
10+402.51 грн
120+334.67 грн
1020+328.40 грн
2520+325.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N20X4IXYSDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.50 грн
30+377.17 грн
120+361.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.86 грн
30+352.01 грн
120+302.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+870.94 грн
20+649.29 грн
30+626.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+594.72 грн
10+444.81 грн
30+387.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.40 грн
10+350.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100IXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1678.59 грн
30+1030.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1646.40 грн
10+1188.30 грн
120+1011.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100QIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.300 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1019.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120
Код товару: 62244
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N140Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150MOSFET 1500В 12А TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1327.14 грн
30+870.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150IXYSMOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
1+1197.39 грн
10+1075.24 грн
30+915.47 грн
120+762.78 грн
270+760.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1421.94 грн
30+933.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.94 грн
30+227.41 грн
120+194.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2IXYSMOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N90IXYSMOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.93 грн
30+282.02 грн
120+236.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TIXYSMOSFETs 130 Amps 150V 12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TMOSFET, N-CH, 150V, 130A, TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.18 грн
10+839.51 грн
120+647.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TIXYSMOSFETs 130Amps 200V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.72 грн
10+534.81 грн
30+340.95 грн
120+340.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N110IXYSMOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N80IXYSMOSFETs 13 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 140A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1779.81 грн
10+1435.26 грн
120+1195.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+706.15 грн
30+493.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+774.40 грн
10+719.23 грн
30+416.25 грн
120+386.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.44 грн
30+405.49 грн
120+350.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.23 грн
30+526.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1489.56 грн
10+1318.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1309.64 грн
5+1216.91 грн
10+1124.18 грн
50+957.01 грн
100+803.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1431.66 грн
10+1021.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N100IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.82 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N15X4IXYSMOSFETs TO247 150V 150A N-CH HIPER
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.17 грн
10+784.98 грн
30+504.10 грн
120+474.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.82 грн
30+641.74 грн
120+603.99 грн
510+513.68 грн
1020+471.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1020.48 грн
15+914.82 грн
25+767.17 грн
50+732.39 грн
100+597.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2
Код товару: 193930
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+922.31 грн
16+832.94 грн
100+719.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+807.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1043.28 грн
50+695.88 грн
100+669.99 грн
200+618.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.24 грн
10+352.00 грн
120+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH160N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 430
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.82 грн
30+342.67 грн
120+288.55 грн
510+238.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSTO-247
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSMOSFETs 160Amps 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2
Код товару: 79258
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2IXYSMOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N10D2 - MOSFET, N-CH, 100V, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2IXYSMOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1395.87 грн
10+995.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1593.53 грн
5+1299.07 грн
10+1004.60 грн
50+924.53 грн
100+846.44 грн
250+838.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1569.56 грн
30+953.06 грн
120+863.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.30 грн
10+831.93 грн
30+768.28 грн
120+667.71 грн
270+644.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2MOSFET 500В 16А TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSMOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1181.93 грн
10+896.44 грн
120+707.69 грн
510+676.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYS10+ DO-214AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.91 грн
5+867.94 грн
10+784.97 грн
25+650.35 грн
100+529.20 грн
500+467.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.48 грн
30+527.91 грн
120+475.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+868.76 грн
10+691.17 грн
30+559.88 грн
60+535.48 грн
120+512.47 грн
270+487.37 грн
510+465.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.19 грн
10+356.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.96 грн
30+345.59 грн
120+291.44 грн
510+236.28 грн
1020+227.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSMOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1501.61 грн
10+1087.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1597.02 грн
30+976.00 грн
120+853.14 грн
510+786.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N200P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 40
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+766.26 грн
5+728.84 грн
10+691.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+826.15 грн
25+788.01 грн
50+756.30 грн
100+703.58 грн
250+631.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+727.22 грн
10+499.53 грн
120+368.14 грн
510+340.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.13 грн
30+391.97 грн
120+332.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250IXYSMOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2665.36 грн
30+1940.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 1.5 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3276.54 грн
5+2970.69 грн
10+2633.11 грн
50+2298.49 грн
100+1982.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3464.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250MOSFET, N-CH, 2500V, 1.5A, TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV 1A N-CH POLAR
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2446.02 грн
10+1773.63 грн
120+1511.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2622.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVLittelfusePower MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3685.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3384.73 грн
10+2898.58 грн
120+2203.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2917.93 грн
30+1943.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3197.64 грн
5+2938.15 грн
10+2678.66 грн
50+2405.00 грн
100+2143.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1R4N250P3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 1.4A 2500V P3 TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.48 грн
30+393.38 грн
120+334.01 грн
510+288.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.76 грн
10+451.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchMV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+705.25 грн
10+637.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N50DIXYSMOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYSMOSFETs 20 Amps 600V 0.35 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.99 грн
10+596.55 грн
120+431.59 грн
510+384.87 грн
1020+365.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+657.08 грн
10+542.16 грн
30+501.04 грн
120+447.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.01 грн
30+301.68 грн
120+253.30 грн
510+204.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.13 грн
30+542.56 грн
120+473.17 грн
510+431.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH20P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 20 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1009.48 грн
5+811.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.41 грн
5+1031.61 грн
10+850.54 грн
25+622.28 грн
100+531.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PIXYSMOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+876.89 грн
10+569.29 грн
120+472.73 грн
510+437.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+962.83 грн
17+793.84 грн
25+580.80 грн
100+495.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PTO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.53 грн
5+898.85 грн
10+797.99 грн
25+646.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.