Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXT-1-1N100S1IXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1 T/RIxys Corporation- 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-705ATPlanetDescription: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24696.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.14 грн
50+528.38 грн
100+510.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.91 грн
5+768.35 грн
10+653.98 грн
50+501.82 грн
100+456.32 грн
250+448.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSMOSFETs SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.34 грн
10+549.37 грн
500+468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1354.31 грн
10+1215.53 грн
25+1203.58 грн
50+1095.83 грн
100+875.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.26 грн
3+281.70 грн
10+239.32 грн
50+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.60 грн
10+250.87 грн
100+198.82 грн
500+196.75 грн
1000+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.02 грн
50+199.10 грн
100+181.63 грн
500+141.73 грн
1000+134.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.63 грн
10+236.58 грн
100+181.56 грн
500+172.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSMOSFETs IXTA06N120P TRL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
1+335.05 грн
10+277.07 грн
25+227.12 грн
100+195.37 грн
250+184.32 грн
500+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.46 грн
10+235.65 грн
100+168.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.24 грн
1600+133.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA06N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.11 грн
10+364.85 грн
25+295.58 грн
50+210.90 грн
100+176.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.65 грн
50+153.67 грн
100+139.57 грн
500+107.82 грн
1000+100.38 грн
2000+94.13 грн
5000+90.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
10+144.49 грн
100+117.36 грн
500+113.91 грн
1000+107.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.69 грн
10+265.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
10+230.23 грн
100+173.28 грн
500+150.49 грн
1000+144.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.89 грн
10+246.45 грн
100+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.66 грн
50+192.97 грн
100+175.94 грн
500+137.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLMOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263HV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.80 грн
50+218.03 грн
100+186.89 грн
500+155.90 грн
1000+133.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.27 грн
10+301.68 грн
50+151.18 грн
100+142.21 грн
500+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.76 грн
50+154.90 грн
100+140.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.19 грн
10+164.34 грн
100+129.78 грн
500+110.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2
Код товару: 118357
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA100N04T2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.51 грн
50+228.83 грн
100+204.76 грн
500+166.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.16 грн
10+246.90 грн
100+194.68 грн
500+178.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA102N15T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+158.41 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSMOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA10P15T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.65 грн
29+502.24 грн
50+475.16 грн
100+439.88 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+758.88 грн
25+723.85 грн
50+694.72 грн
100+646.29 грн
250+579.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.13 грн
10+541.48 грн
25+536.10 грн
50+512.49 грн
100+469.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+630.13 грн
27+536.10 грн
50+512.49 грн
100+469.72 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.25 грн
5+482.43 грн
10+390.62 грн
50+333.55 грн
100+280.28 грн
250+253.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.82 грн
10+335.82 грн
500+271.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.74 грн
10+549.74 грн
25+549.56 грн
50+519.93 грн
100+481.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.12 грн
10+525.89 грн
25+487.24 грн
100+415.44 грн
250+374.79 грн
500+286.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+229.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+363.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSMOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.26 грн
10+380.27 грн
100+262.33 грн
500+247.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+330.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+618.12 грн
27+525.89 грн
30+487.24 грн
100+415.44 грн
250+374.79 грн
500+286.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 56532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.26 грн
10+350.15 грн
100+270.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL. - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.43 грн
10+429.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]