Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXT-1-1N100S1 | IXYS | MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXT-1-1N100S1 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC Packaging: Tube Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXT-1-1N100S1 T/R | Ixys Corporation | - 8-Pin SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXT-705AT | Planet | Description: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 SFP/XFP Ports: 1 (SFP) Distance: 300M Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA02N250 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA02N250HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA02N250HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA02N250HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA02N250HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA02N250HV | IXYS | IXTA02N250HV SMD N channel transistors | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA02N250HV-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA02N250HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA02N450HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA02N450HV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263 On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 710ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263 On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 710ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100 | IXYS | MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA05N100 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100HV | IXYS | MOSFETs High Voltage Power MOSFET | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA05N100HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263HV On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 710ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA05N100HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA05N100HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263HV On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 710ns | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA05N100HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100HV-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100HV-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA05N100HV TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA05N100HV-TRL | Littelfuse | High Voltage Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA06N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA06N120P | IXYS | MOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA06N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA06N120P | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA06N120P | IXYS | IXTA06N120P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA06N120P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA06N120P TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA06N120P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V | на замовлення 6891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA06N120P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA06N120P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA06N120P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA06N120P TRL | на замовлення 800 шт: термін постачання 266-275 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA06N120P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC On-state resistance: 21Ω Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Case: TO263 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC On-state resistance: 21Ω Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA08N100D2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2-TRL | IXYS | Description: IXTA08N100D2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC On-state resistance: 21Ω Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Case: TO263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC On-state resistance: 21Ω Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Case: TO263HV кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV-TRL | IXYS | MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2HV-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100D2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 750ns On-state resistance: 20Ω Drain current: 0.8A Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 750ns On-state resistance: 20Ω Drain current: 0.8A Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N100P | IXYS | MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N120P | IXYS | IXTA08N120P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N120P | IXYS | MOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N120P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N120P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N50D2 Код товару: 118357
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA08N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA08N50D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N50D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA08N50D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA100N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N04T2 | IXYS | IXTA100N04T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N04T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N04T2 | IXYS | MOSFETs 100 Amps 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N04T2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N04T2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA100N04T2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N15X4 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA100N15X4 | IXYS | MOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA102N15T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA102N15T | IXYS | MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA102N15T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA102N15T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA102N15T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA102N15T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10N60P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10N60P | IXYS | MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P15T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263 Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P15T | IXYS | MOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P15T-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P15T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA10P15T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P15T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P50P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263 Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | IXYS | MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Drain-source voltage: -500V Drain current: -10A Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 414ns On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Drain-source voltage: -500V Drain current: -10A Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 414ns On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | IXYS | MOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | на замовлення 61864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA10P50P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | на замовлення 61600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA110N055P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T2 | IXYS | IXTA110N055T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T2 | IXYS | MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA110N055T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA110N055T2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N055T7 | IXYS | MOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N12T2 | IXYS | IXTA110N12T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA110N12T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120N04T2 | IXYS | MOSFET 120 Amps 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120N04T2 | IXYS | IXTA120N04T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120N075T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Gate charge: 78nC Reverse recovery time: 50ns On-state resistance: 7.7mΩ Power dissipation: 250W | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120N075T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120N075T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Gate charge: 78nC Reverse recovery time: 50ns On-state resistance: 7.7mΩ Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120N075T2 | IXYS | MOSFETs 120 Amps 75V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | IXYS | MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds | на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO263 Technology: TrenchP™ Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 53ns On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 298W | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO263 Technology: TrenchP™ Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 53ns On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 298W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120P065T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA120P065T TRL | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA120P065T-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120P065T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120P065T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA120P065TTRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N50P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 29nC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 0.5Ω Kind of channel: enhancement Technology: Polar™ Drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N50P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 29nC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 0.5Ω Kind of channel: enhancement Technology: Polar™ Drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N50P | IXYS | MOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA12N50P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA12N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 180W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 270ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 12A N-CH X2CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N65X2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 180W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 270ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA12N70X2 | IXYS | MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N065T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N065T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N065T2 | IXYS | MOSFETs 130 Amps 65V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | IXYS | MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 77ns Technology: TrenchMV™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 77ns Technology: TrenchMV™ кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 130 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMV Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T-TRL | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 77ns Technology: TrenchMV™ кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA130N10T TRL | на замовлення 783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA130N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T-TRL | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 77ns Technology: TrenchMV™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T7 | IXYS | MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA130N10T7 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 77ns Technology: TrenchMV™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10T7 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 77ns Technology: TrenchMV™ кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N10TTRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA130N15X4 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA130N15X4 | IXYS | MOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA130N15X4-7 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA130N15X4-7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA140N055T2 | IXYS | MOSFETs TO263 55V 140A N-CH TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140N12T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 140A Power dissipation: 577W Case: TO263 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 174nC Kind of package: tube Reverse recovery time: 65ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of channel: enhancement | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA140N12T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 140A Power dissipation: 577W Case: TO263 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 174nC Kind of package: tube Reverse recovery time: 65ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA140N12T2 | IXYS | MOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140N12T2 | Littelfuse | Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140N12T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 577W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA140P05T | IXYS | IXTA140P05T SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140P05T | IXYS | MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA140P05T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140P05T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA140P05T-TRL | IXYS | Description: IXTA140P05T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA140P05T-TRL | Littelfuse | MOSFET MOSFET DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA14N60P | IXYS | MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA14N60P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 36nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 300 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA14N60P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA14N60P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 36nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA14N60PTRL | Littelfuse | IXTA14N60PTRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA150N15X4 | IXYS | MOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA150N15X4 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA150N15X4 | Littelfuse | X4-Class Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA150N15X4-7 | Littelfuse | X4-Class Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA150N15X4-7 | IXYS | MOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA150N15X4-7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA152N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA152N085T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.48Ω Mounting: SMD Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 570ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2 | IXYS | MOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA15N50L2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.48Ω Mounting: SMD Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 570ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA15N50L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15N50L2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA15N50L2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15P15T | IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15P15T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15P15T | IXYS | IXTA15P15T SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA15P15T-A2 | IXYS | MOSFET -150V -15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N04T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 250W Case: TO263 On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 40ns кількість в упаковці: 300 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N04T2 | IXYS | MOSFETs 160Amps 40V | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA160N04T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 250W Case: TO263 On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 40ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N075T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N075T | IXYS | MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N075T7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N075T7 | IXYS | MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 160A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N10T | IXYS | MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA160N10T7 | IXYS | MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA160N10T7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA16N50P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA16N50P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA16N50P | IXYS | MOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA16N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA16N50P-TRL | IXYS | MOSFET IXTA16N50P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA16N50P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA16N50PTRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA170N075T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO263 On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 109nC Reverse recovery time: 63ns | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA170N075T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO263 | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA170N075T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO263 On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 109nC Reverse recovery time: 63ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA170N075T2 | IXYS | MOSFET 170 Amps 75V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N085T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 151nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 72ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T | IXYS | MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V | на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 180 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 480 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 480 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Trench Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 151nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 72ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA180N10T TRL | на замовлення 3364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T7 | IXYS | MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA180N10T7 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T7-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA180N10T7 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10T7-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA180N10TTRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA182N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA182N055T | IXYS | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA182N055T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA182N055T7 | IXYS | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA18P10T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA18P10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA18P10T | IXYS | IXTA18P10T SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA18P10T | IXYS | MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1970-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1970-TRL | Littelfuse | Littelfuse IXTA1970 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1970TRL | Ixys Corporation | TRENCHT2 POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N100P | IXYS | MOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds | на замовлення 300 шт: термін постачання 684-693 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N100P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns Mounting: SMD Case: TO263 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 750ns Drain current: 1A On-state resistance: 15Ω Kind of channel: enhancement Power dissipation: 50W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns Mounting: SMD Case: TO263 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 750ns Drain current: 1A On-state resistance: 15Ω Kind of channel: enhancement Power dissipation: 50W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N100P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N120P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N120P | IXYS | MOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds | на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N120P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns Kind of package: tube Case: TO263 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 900ns On-state resistance: 20Ω Drain current: 1A Power dissipation: 63W Drain-source voltage: 1.2kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N120P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns Kind of package: tube Case: TO263 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 900ns On-state resistance: 20Ω Drain current: 1A Power dissipation: 63W Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N120P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1.7 Dauer-Drainstrom Id: 1 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 290 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 290 Bauform - Transistor: TO-263HV Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 16 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV | IXYS | MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL | на замовлення 2400 шт: термін постачання 238-247 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV | IXYS | IXTA1N170DHV SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N170DHV-TRL | Littelfuse | Littelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N170DHVTRL | Littelfuse | IXTA1N170DHVTRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO263HV Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 2.3µs Drain current: 1A On-state resistance: 40Ω Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 2kV кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO263HV Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 2.3µs Drain current: 1A On-state resistance: 40Ω Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 2kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV | IXYS | MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV | на замовлення 657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V | на замовлення 2067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HV. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 25517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HVTRL | IXYS | Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N200P3HVTRL | IXYS | Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1N80 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N100P | IXYS | MOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R4N100P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R4N100P | IXYS | IXTA1R4N100P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N100P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N100PTRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N100PTRL | IXYS | MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH POLAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N120P | IXYS | MOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R4N120P | IXYS | IXTA1R4N120P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R4N120P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R4N120P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 11ns Gate charge: 645nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 11ns Gate charge: 645nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2-TRL | IXYS | MOSFET IXTA1R6N100D2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | IXYS | MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | Littelfuse | High Voltage Depletion Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | Littelfuse | High Voltage Depletion Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 970ns Gate charge: 27nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 970ns Gate charge: 27nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | Littelfuse | High Voltage Depletion Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV-TRL | Littelfuse | IXTA1R6N100D2HV-TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N50D2 | IXYS | IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA1R6N50D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA200N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA200N055T2 | IXYS | MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 49ns Gate charge: 109nC On-state resistance: 4.2mΩ Drain-source voltage: 55V Drain current: 200A Power dissipation: 360W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 49ns Gate charge: 109nC On-state resistance: 4.2mΩ Drain-source voltage: 55V Drain current: 200A Power dissipation: 360W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2-7 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA200N055T2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N055T2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N075T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N085T | IXYS | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N085T7 | IXYS | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA200N085T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X | IXYS | MOSFETs 650V/9A Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 35nC Reverse recovery time: 0.35µs кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 35nC Reverse recovery time: 0.35µs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA20N65X TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 27nC | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA20N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 27nC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA220N04T2 | IXYS | MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2 | IXYS | IXTA220N04T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2 TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-7 | IXYS | IXTA220N04T2-7 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-7 | IXYS | MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-7TRL | Littelfuse | IXTA220N04T2-7TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA220N04T2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N04T2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N055T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA220N075T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N04T4 | IXYS | IXTA230N04T4 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N04T4 | IXYS | MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N075T2 | IXYS | IXTA230N075T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N075T2 | IXYS | MOSFETs 230 Amps 75V | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA230N075T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N075T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA230N075T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N075T2-7 | IXYS | IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA230N075T2-7 | IXYS | MOSFET | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA240N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA240N055T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA24N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24N65X2TRL | Littelfuse | IXTA24N65X2TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24P085T | IXYS | IXTA24P085T SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA24P085T | IXYS | MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA24P085T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA260N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA260N055T2 | IXYS | IXTA260N055T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA260N055T2 | IXYS | MOSFETs TO263 N CHAN 55V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | IXYS | IXTA260N055T2-7 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | IXYS | MOSFETs 260 Amps 55V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA260N055T2-7 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P10T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P10T | IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P20P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns On-state resistance: 0.17Ω Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Kind of channel: enhancement | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns On-state resistance: 0.17Ω Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS | MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 26 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarP Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P20P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P20P Код товару: 162385
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA26P20P TRL | Ixys Corporation | IXTA26P20P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA26P20P TRL | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA26P20P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA270N04T4 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO263 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 182nC Reverse recovery time: 48ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA270N04T4 | IXYS | MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA270N04T4 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO263 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 182nC Reverse recovery time: 48ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA270N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 270A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA270N04T4-7 | IXYS | MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA270N04T4-7 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 182nC Reverse recovery time: 48ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA270N04T4-7 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 182nC Reverse recovery time: 48ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA27N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA27N20T | IXYS | MOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA28P065T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -28A Power dissipation: 83W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 31ns | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA28P065T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA28P065T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -28A Power dissipation: 83W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 31ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA28P065T | IXYS | MOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA2N100 | IXYS | MOSFETs 2 Amps 1000V 7 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N100 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N100P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 86W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA2N100P | IXYS | MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N100P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N100P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 86W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA2N100P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA2N100P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N80 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263 Packaging: Box Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N80P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2N80P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2R4N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA2R4N120P | IXYS | MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA2R4N120P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2R4N120P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA2R4N120P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 53ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2 | IXYS | MOSFETs 300 Amps 40V 0.025 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA300N04T2-7 | IXYS | MOSFETs 300 Amps 40V | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA300N04T2-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA30N25L2 | IXYS | MOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA30N65X2 | IXYS | MOSFET MOSFET DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32N20T | IXYS | IXTA32N20T SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32N20T | IXYS | MOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P05T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA32P05T | IXYS | MOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds | на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA32P05T | IXYS | IXTA32P05T SMD P channel transistors | на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA32P05T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P05T-TRL | IXYS | MOSFET IXTA32P05T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P05T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P05TTRL | IXYS/Littelfuse | P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220 | на замовлення 794 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P20T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA32P20T | IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA32P20T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA32P20T | IXYS | IXTA32P20T SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P20T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P20T-TRL | IXYS | MOSFET IXTA32P20T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P20T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA32P20T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA340N04T4 | IXYS | IXTA340N04T4 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4 | IXYS | MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4-7 | IXYS | MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4-7 | IXYS | IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4-7TRL | Littelfuse | IXTA340N04T4-7TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA340N04T4-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO263 On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO263 On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA34N65X2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA34N65X2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N20T | IXYS | MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P Код товару: 52904
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA36N30P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Technology: PolarHT™ | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P | IXYS | MOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A | на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36N30P-PDP | IXYS | Description: MOSFET N-CH TO263 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA36N30P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30PTRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36N30T | IXYS | MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36P15P | IXYS | MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P | IXYS | IXTA36P15P SMD P channel transistors | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P TRL | IXYS | MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA36P15P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA36P15P-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA380N036T4-7 | IXYS | IXTA380N036T4-7 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA380N036T4-7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA380N036T4-7 | IXYS | MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA380N036T4-7-TR | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA380N036T4-7-TR | IXYS | MOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA38N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2 TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N100D2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | IXYS | MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-263HV Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2HV-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N100D2HV TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100D2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | IXYS | IXTA3N100P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | IXYS | MOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N100P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N100P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N110 | IXYS | MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N110 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N110-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N110 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N110-TRL | IXYS | Description: IXTA3N110 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | IXYS | MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds | на замовлення 3325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120 | IXYS | IXTA3N120 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120 Код товару: 190833
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | Littelfuse | High Voltage Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N120 TRL | на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRR | IXYS | MOSFETs IXTA3N120 TRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120-TRR | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 3 hazardous: false Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-263 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120HV | IXYS | IXTA3N120HV SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HV | IXYS | MOSFETs MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE | на замовлення 300 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120HV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HV-TRL | IXYS | MOSFETs MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE | на замовлення 800 шт: термін постачання 719-728 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N120HV-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N120HVTRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N150HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N150HV | IXYS | MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N150HV | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N150HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N150HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N150HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N150HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N150HV-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N150HV TRL | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N150HV-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N150HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N150HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50D2 | IXYS | IXTA3N50D2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A | на замовлення 1639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N50D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50D2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA3N50D2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50D2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50P | IXYS | MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N50P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 70W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N50P Код товару: 131345
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA3N50P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 70W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Kind of package: tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA3N60P | IXYS | MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA3N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA42N15T | IXYS | MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1 | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA42N25P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA42N25P | IXYS | IXTA42N25P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA42N25P | IXYS | MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA42N25P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA42N28P | IXYS | 09+ | на замовлення 322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44N25T | IXYS | MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44N30T | IXYS | MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T | IXYS | MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T | IXYS | IXTA44P15T SMD P channel transistors | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V | на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V | на замовлення 30400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | IXYS | MOSFET MOSFET 150 V | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V | на замовлення 31181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | Littelfuse | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15T-TRL. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 298W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: No Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA44P15TTRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA460P2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA460P2 | IXYS | IXTA460P2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA460P2 | IXYS | MOSFETs PolarP2 Power MOSFET | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA48N20T | IXYS | IXTA48N20T SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA48N20T | IXYS | MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA48N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA48P05T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V | на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA48P05T | IXYS | IXTA48P05T SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA48P05T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA48P05T | IXYS | MOSFETs TenchP Power MOSFET | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA48P05T-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV | IXYS | MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA4N150HV | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA4N150HV TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HV-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N150HVTRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N60P | IXYS | MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA4N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA4N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA4N65X2TRL | Littelfuse | IXTA4N65X2TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N70X2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N70X2 | IXYS | MOSFETs TO263 700V 4A N-CH X2CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N70X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA4N70X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA4N80P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 560ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N80P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 560ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N80P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N80P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N80P | IXYS | MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N80P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA4N80P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA4N80P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P | IXYS | MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA50N20P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA50N20P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N20P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N25T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N25T | IXYS | MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA50N25T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 166ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N25T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 166ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N25T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N25T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA50N25T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA50N25T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA52P10P | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA52P10P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA52P10P | IXYS | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA52P10P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA52P10P | IXYS | IXTA52P10P SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA52P10P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA52P10P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA52P10P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA52P10P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA52P10P-TRL | IXYS | MOSFET IXTA52P10P TRL | на замовлення 800 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA54N30T | IXYS | MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA54N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA56N15T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA56N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO263 | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA5N50P | IXYS | MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA5N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA5N60P | IXYS | MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA5N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA5N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N10T Код товару: 148376
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA60N10T | IXYS | MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N10T | IXYS | IXTA60N10T SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N10T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA60N10T TRL | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N10TTRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N20T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Case: TO263 Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N20T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N20T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N20T | IXYS | MOSFETs 60 Amps 200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N20T Код товару: 108659
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA60N20T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Case: TO263 Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N20T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA60N20T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N20T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA60N20X4 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA60N20X4 | IXYS | MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA62N15P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N15P | IXYS | MOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA62N15P | IXYS | IXTA62N15P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N15P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N15P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA62N15P | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 62 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 350 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarHT Series Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N15P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA62N15P-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N15P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA62N15P-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA62N15P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA62N25T | IXYS | MOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA64N10L2 | IXYS | IXTA64N10L2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA64N10L2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 64 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: LinearL2 Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA64N10L2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA64N10L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA64N10L2 | IXYS | MOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA64N10L2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA64N10L2-TRL | IXYS | MOSFET IXTA64N10L2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2 | IXYS | IXTA6N100D2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA6N100D2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2HV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2HV | IXYS | MOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA6N100D2HV | Littelfuse | High Voltage MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N100D2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | IXYS | IXTA6N50D2 SMD N channel transistors | на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A | на замовлення 720 шт: термін постачання 441-450 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA6N50D2 TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK ) Код товару: 84036
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA6N50D2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50D2-TRL | IXYS | MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2 | на замовлення 800 шт: термін постачання 472-481 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA6N50D2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50P | IXYS | MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA6N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 46nC Reverse recovery time: 48ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2 | IXYS | MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 46nC Reverse recovery time: 48ns кількість в упаковці: 300 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2-TRL | IXYS | MOSFET IXTA70N075T2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N075T2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA70N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 70A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA72N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA72N20T | IXYS | MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA74N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA75N10P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA75N10P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA75N10P | IXYS | MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA75N10P | IXYS | IXTA75N10P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA75N10P-TRL | IXYS | MOSFET IXTA75N10P TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA75N10P-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 76A Power dissipation: 460W Case: TO263 On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 148ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 76A Power dissipation: 460W Case: TO263 On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 148ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T | IXYS | MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA76N25T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76N25T-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76P10T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76P10T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76P10T | IXYS | MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T Код товару: 198462
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA76P10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V | на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | IXYS | MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds | на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA76P10T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA7N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | IXYS | MOSFETs MOSFET N CHANNEL | на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | IXYS | IXTA80N075L2 SMD N channel transistors | на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N075L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N075L2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N075L2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA80N075L2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N075L2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | IXYS | MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO263 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V | на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA80N10T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO263 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA80N10T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA80N10T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N10T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N12T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N12T2 | IXYS | MOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA80N12T2 | IXYS | IXTA80N12T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T | IXYS | MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T | IXYS | IXTA86N20T SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20T-TRL | IXYS | MOSFET IXTA86N20T TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20X4 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA86N20X4 | IXYS | MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA86N20X4 | Littelfuse | Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20X4 | Littelfuse | Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20X4-TRL | Littelfuse | Littelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA86N20X4-TRL | Littelfuse | IXTA86N20X4-TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA88N085T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA88N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA88N085T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N50P | IXYS | MOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N50P Код товару: 99415
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IXTA8N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA8N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA8N65X2TRL | Littelfuse | IXTA8N65X2TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N70X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA8N70X2 | IXYS | IXTA8N70X2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N70X2 | IXYS | MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8N70X2TRL | Littelfuse | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA8PN50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N055T2 | IXYS | MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N055T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N055T2 | IXYS | IXTA90N055T2 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N075T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N075T2 | IXYS | MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA90N075T2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N075T2-TRL | IXYS | MOSFET IXTA90N075T2 TRL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N075T2TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N20X3 | Littelfuse | Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N20X3 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N20X3 | IXYS | IXTA90N20X3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N20X3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N20X3 | IXYS | MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA90N20X3-TRL | Littelfuse | MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA94N20X4 | IXYS | MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA94N20X4 | Littelfuse | Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA94N20X4 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V | на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA94N20X4-TRL | Littelfuse | MOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA94N20X4-TRL | Littelfuse | Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS | IXTA96P085T SMD P channel transistors | на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS | MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds | на замовлення 7380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 6762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 298W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 7711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA96P085T TRL | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTA98N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTA98N075T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTB1909 | IXYS | Description: POWER MOSFET 500V 100AMP | на замовлення 19470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTB30N100L | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTB30N100L | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us Drain-source voltage: 1kV Drain current: 30A Case: PLUS264™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 800W Kind of channel: enhancement Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 1µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: linear power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTB30N100L | IXYS | MOSFETs 30 Amps 1000V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTB30N100L | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us Drain-source voltage: 1kV Drain current: 30A Case: PLUS264™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 800W Kind of channel: enhancement Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 1µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTB30N100L | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS264™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTB62N50L | IXYS | MOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTB62N50L | IXYS | IXTB62N50L THT N channel transistors | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTB62N50L | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IXTC102N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC102N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC1088 | на замовлення 2928 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IXTC1088/6E/2C | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IXTC110N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC130N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC13N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC160N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC160N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC180N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC180N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC180N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC200N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC200N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC220N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC220N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC230N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC240N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC250N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC26N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC280N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC36P15P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC62N15P | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC72N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC75N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTD1R4N60P 11 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |