Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXT-1-1N100S1IXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1 T/RIxys Corporation- 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-705ATPlanetDescription: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25967.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1267.03 грн
10+1137.20 грн
25+1126.02 грн
50+1025.21 грн
100+819.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 450Ω
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO263
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+936.94 грн
2+706.52 грн
5+642.61 грн
50+618.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.29 грн
5+807.88 грн
10+687.63 грн
50+527.64 грн
100+479.79 грн
250+471.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSMOSFETs SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+871.91 грн
10+600.75 грн
500+511.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.97 грн
50+555.57 грн
100+536.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 450Ω
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO263
Kind of package: tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.79 грн
2+566.96 грн
5+535.50 грн
50+515.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.20 грн
3+208.38 грн
10+184.01 грн
50+176.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.11 грн
10+265.65 грн
100+206.09 грн
500+176.65 грн
1000+174.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+197.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.64 грн
3+259.68 грн
10+220.81 грн
50+212.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.80 грн
50+209.34 грн
100+190.97 грн
500+149.03 грн
1000+141.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.12 грн
10+366.68 грн
25+298.09 грн
50+212.31 грн
100+178.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.38 грн
10+360.27 грн
50+248.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSMOSFETs IXTA06N120P TRL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
1+366.38 грн
10+302.98 грн
25+248.36 грн
100+213.64 грн
250+201.56 грн
500+189.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.17 грн
10+247.78 грн
100+177.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.41 грн
1600+140.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+319.09 грн
8+159.73 грн
20+145.32 грн
100+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.91 грн
8+128.18 грн
20+121.10 грн
100+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.19 грн
10+271.84 грн
25+219.33 грн
50+154.12 грн
100+128.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.32 грн
10+158.00 грн
100+128.33 грн
500+124.56 грн
1000+117.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.01 грн
50+135.33 грн
100+122.68 грн
500+94.32 грн
1000+87.64 грн
2000+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSDescription: IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.16 грн
10+210.09 грн
100+175.89 грн
500+162.30 грн
1000+159.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+257.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.39 грн
10+259.13 грн
100+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+140.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.19 грн
10+329.89 грн
50+165.32 грн
100+155.51 грн
500+147.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.51 грн
50+229.25 грн
100+196.50 грн
500+163.92 грн
1000+140.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.71 грн
50+96.96 грн
100+96.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2
Код товару: 118357
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA100N04T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.77 грн
50+240.61 грн
100+215.29 грн
500+175.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.06 грн
10+256.10 грн
100+197.78 грн
500+187.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA102N15T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSMOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA10P15T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.51 грн
10+514.32 грн
25+514.14 грн
50+486.43 грн
100+450.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSIXTA10P50P SMD P channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+408.52 грн
4+368.96 грн
9+349.14 грн
50+348.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+510.51 грн
29+438.55 грн
50+414.90 грн
100+384.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+662.64 грн
25+632.06 грн
50+606.62 грн
100+564.34 грн
250+506.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.52 грн
10+506.59 грн
25+501.55 грн
50+479.46 грн
100+439.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.56 грн
10+367.22 грн
500+296.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+550.22 грн
27+468.11 грн
50+447.50 грн
100+410.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.80 грн
5+507.26 грн
10+410.72 грн
50+350.71 грн
100+294.70 грн
250+266.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.29 грн
10+492.00 грн
25+455.84 грн
100+388.67 грн
250+350.64 грн
500+267.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSMOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.54 грн
10+415.83 грн
100+286.86 грн
500+270.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+317.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.81 грн
10+446.28 грн
25+420.88 грн
50+368.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 56532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.15 грн
10+368.17 грн
100+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+309.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+539.74 грн
27+459.20 грн
30+425.45 грн
100+362.76 грн
250+327.26 грн
500+249.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.32 грн
50+151.92 грн
100+126.07 грн
500+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA110N055T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSMOSFETs 120 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.90 грн
5+457.29 грн
10+376.84 грн
50+276.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+262.45 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+579.92 грн
50+447.07 грн
100+422.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+376.84 грн
35+360.65 грн
50+346.91 грн
100+323.17 грн
250+290.15 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+526.40 грн
4+352.77 грн
9+321.77 грн
50+317.06 грн
100+309.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.66 грн
4+283.09 грн
9+268.15 грн
50+264.21 грн
100+257.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.11 грн
10+316.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.46 грн
50+314.07 грн
100+288.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSMOSFETs IXTA120P065T TRL
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.99 грн
10+401.08 грн
100+290.64 грн
500+285.35 грн
800+255.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TTRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSMOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.64 грн
50+191.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N70X2IXYSMOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSMOSFETs 130 Amps 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Technology: TrenchMV™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.60 грн
50+198.81 грн
100+181.43 грн
500+141.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA130N10T TRL
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.04 грн
10+256.10 грн
100+209.11 грн
500+186.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Technology: TrenchMV™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+174.66 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 77ns
Technology: TrenchMV™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.26 грн
50+616.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+952.15 грн
50+518.85 грн
100+480.58 грн
500+420.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+689.27 грн
100+593.88 грн
250+558.95 грн
500+491.77 грн
1250+442.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.84 грн
10+815.18 грн
50+601.65 грн
100+589.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSMOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSMOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Gate charge: 174nC
Reverse recovery time: 65ns
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 577W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+409.53 грн
3+355.71 грн
4+299.13 грн
11+283.09 грн
50+271.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+392.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Gate charge: 174nC
Reverse recovery time: 65ns
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 577W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.28 грн
3+285.45 грн
4+249.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.36 грн
50+373.09 грн
100+343.64 грн
500+284.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.86 грн
10+591.20 грн
50+356.31 грн
100+327.63 грн
250+320.83 грн
500+317.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLIXYSDescription: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.40 грн
50+204.42 грн
100+186.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PTRLLittelfuseIXTA14N60PTRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.58 грн
50+705.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.49 грн
50+552.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.29 грн
50+732.99 грн
100+679.82 грн
500+629.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSMOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1109.70 грн
10+718.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA15N50L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15T-A2IXYSMOSFET -150V -15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSMOSFETs 160Amps 40V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.21 грн
10+188.38 грн
100+153.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7IXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+195.84 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7IXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+227.26 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.95 грн
10+297.77 грн
100+209.86 грн
500+205.33 грн
1000+198.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXTA16N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSMOSFET 170 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO263
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Reverse recovery time: 63ns
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.97 грн
3+207.60 грн
6+165.13 грн
16+156.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.76 грн
3+258.70 грн
6+198.16 грн
16+187.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.92 грн
50+266.89 грн
100+244.70 грн
500+196.10 грн
1000+193.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+387.85 грн
10+305.89 грн
25+253.20 грн
50+238.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+465.42 грн
10+381.19 грн
25+303.85 грн
50+285.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.53 грн
10+252.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.42 грн
10+297.95 грн
100+227.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA180N10T TRL
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.86 грн
10+326.42 грн
100+219.67 грн
500+217.41 грн
800+215.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+192.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+216.98 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7IXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.62 грн
10+375.03 грн
100+218.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRLIXYSMOSFETs IXTA180N10T7 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055T7IXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TIXYSMOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970-TRLLittelfuseLittelfuse IXTA1970 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970TRLIxys CorporationTRENCHT2 POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.25 грн
10+291.34 грн
100+238.69 грн
500+190.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PIXYSMOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 684-693 дні (днів)
2+228.99 грн
10+173.63 грн
100+125.31 грн
250+106.44 грн
500+103.42 грн
1000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PIXYSMOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.46 грн
10+346.38 грн
50+255.91 грн
100+227.22 грн
250+221.94 грн
500+220.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.21 грн
50+220.05 грн
100+202.94 грн
500+168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Drain-source voltage: 1.7kV
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSMOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 238-247 дні (днів)
1+1873.28 грн
10+1843.04 грн
25+1497.71 грн
50+1188.21 грн
100+1130.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.36 грн
50+955.78 грн
100+932.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV-TRLLittelfuseLittelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVTRLLittelfuseIXTA1N170DHVTRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.04 грн
50+446.32 грн
100+406.32 грн
500+367.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+811.27 грн
5+708.80 грн
10+607.18 грн
50+468.66 грн
100+410.11 грн
250+387.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.20 грн
10+732.70 грн
50+452.18 грн
100+411.42 грн
250+406.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+371.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.21 грн
10+475.98 грн
100+365.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 19317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+829.90 грн
25+628.35 грн
100+427.65 грн
250+378.23 грн
500+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.91 грн
50+149.23 грн
100+136.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.32 грн
10+213.56 грн
50+141.17 грн
100+129.84 грн
250+126.82 грн
500+113.23 грн
1000+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PTRLIXYSMOSFETs TO263 1KV 1A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.51 грн
50+334.83 грн
100+286.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.18 грн
10+463.58 грн
50+319.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+328.78 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.14 грн
10+190.12 грн
100+164.57 грн
500+161.55 грн
1000+153.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+215.52 грн
100+176.60 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA1R6N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.83 грн
10+301.24 грн
100+212.88 грн
500+201.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.11 грн
10+242.20 грн
100+240.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV-TRLLittelfuseIXTA1R6N100D2HV-TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.68 грн
10+263.91 грн
50+216.66 грн
100+187.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.38 грн
50+180.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSMOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 49ns
Gate charge: 109nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.67 грн
50+179.27 грн
100+163.32 грн
500+147.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-7IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA200N055T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085TIXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085T7IXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X-TRLIXYSMOSFETs IXTA20N65X TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+424.77 грн
3+368.45 грн
10+313.28 грн
50+281.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 27nC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.98 грн
3+295.67 грн
10+261.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSMOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7TRLLittelfuseIXTA220N04T2-7TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA220N04T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.57 грн
50+277.91 грн
100+257.36 грн
500+223.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2IXYSMOSFETs 230 Amps 75V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
10+506.12 грн
50+344.99 грн
100+314.04 грн
500+277.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2-7IXYSMOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA240N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.58 грн
50+231.25 грн
100+211.60 грн
500+177.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2TRLLittelfuseIXTA24N65X2TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TIXYSMOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.54 грн
10+253.49 грн
50+122.29 грн
100+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2IXYSMOSFETs TO263 N CHAN 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7IXYSMOSFETs 260 Amps 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.57 грн
3+328.69 грн
8+310.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.29 грн
5+525.04 грн
10+497.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+619.89 грн
3+409.60 грн
8+372.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.63 грн
50+294.02 грн
100+270.17 грн
500+217.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P
Код товару: 162385
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.93 грн
10+348.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P TRLIxys CorporationIXTA26P20P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSMOSFETs IXTA26P20P TRL
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.88 грн
10+408.02 грн
100+280.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.63 грн
10+368.17 грн
100+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4-7IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA27N20TIXYSMOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSIXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.55 грн
8+144.37 грн
22+136.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSMOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.75 грн
10+186.65 грн
100+117.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100IXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.42 грн
7+144.69 грн
18+136.82 грн
50+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.76 грн
3+199.90 грн
7+173.63 грн
18+164.19 грн
50+162.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA2N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PIXYSMOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.38 грн
10+373.30 грн
500+314.04 грн
1000+307.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.80 грн
10+453.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2IXYSMOSFETs 300 Amps 40V 0.025 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2-7IXYSMOSFETs 300 Amps 40V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.98 грн
10+372.43 грн
100+218.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+287.23 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA30N25L2IXYSMOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+909.78 грн
10+801.28 грн
50+591.08 грн
250+551.83 грн
500+538.24 грн
1000+522.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA30N65X2IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20TIXYSMOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TIXYSIXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.12 грн
9+137.77 грн
23+130.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.60 грн
50+157.46 грн
100+134.96 грн
500+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TIXYSMOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.94 грн
10+199.67 грн
50+150.22 грн
100+129.09 грн
250+125.31 грн
500+114.74 грн
1000+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P05T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TTRLIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220
на замовлення 794 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.35 грн
10+612.03 грн
50+456.71 грн
100+415.19 грн
250+397.83 грн
500+394.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.01 грн
50+373.80 грн
100+344.93 грн
500+290.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+713.89 грн
5+639.36 грн
10+574.16 грн
50+501.69 грн
100+433.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+406.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7TRLLittelfuseIXTA340N04T4-7TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTA34N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.95 грн
50+203.48 грн
100+191.96 грн
500+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.83 грн
50+232.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSMOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.25 грн
10+207.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.05 грн
5+220.18 грн
10+200.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.93 грн
50+203.89 грн
100+202.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+204.33 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P
Код товару: 52904
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+417.66 грн
5+274.38 грн
10+240.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+218.95 грн
58+216.62 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+383.80 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLIXYSMOSFETs IXTA36N30P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.94 грн
50+383.82 грн
100+343.42 грн
500+284.37 грн
1000+255.93 грн
2000+239.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.40 грн
50+367.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P TRLIXYSMOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.99 грн
10+565.15 грн
25+468.79 грн
100+406.89 грн
500+354.80 грн
800+301.20 грн
2400+290.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.81 грн
10+446.28 грн
25+420.88 грн
50+368.01 грн
100+318.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.63 грн
10+368.17 грн
100+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSMOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.92 грн
50+281.51 грн
100+260.62 грн
500+225.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.36 грн
10+396.32 грн
100+324.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSDescription: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120
Код товару: 190833
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.91 грн
10+450.56 грн
500+363.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.10 грн
5+522.50 грн
10+442.05 грн
50+336.56 грн
100+296.15 грн
250+290.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+741.83 грн
10+508.10 грн
25+475.08 грн
50+410.48 грн
100+350.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+328.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRL
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+654.37 грн
10+472.26 грн
100+376.69 грн
500+335.93 грн
800+331.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.40 грн
10+481.25 грн
100+356.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.13 грн
50+451.77 грн
100+404.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.68 грн
5+618.19 грн
10+586.01 грн
50+497.76 грн
100+415.19 грн
250+407.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.11 грн
10+436.67 грн
500+352.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.84 грн
10+504.38 грн
100+365.37 грн
500+352.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSMOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.71 грн
10+571.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+699.15 грн
5+623.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+801.96 грн
5+707.96 грн
10+614.81 грн
50+483.61 грн
100+398.50 грн
250+390.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.63 грн
5+500.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.17 грн
10+600.54 грн
100+522.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N150HV TRL
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.62 грн
10+692.77 грн
100+520.88 грн
800+496.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+559.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+443.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.49 грн
10+252.63 грн
500+215.90 грн
1000+200.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N50D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P
Код товару: 131345
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSIXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.38 грн
35+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N15TIXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.57 грн
10+226.58 грн
50+166.83 грн
100+151.73 грн
250+143.43 грн
500+135.13 грн
1000+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSMOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N28PIXYS09+
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSIXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+588.38 грн
4+346.31 грн
9+327.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.44 грн
50+301.96 грн
100+277.24 грн
500+221.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.23 грн
5+440.36 грн
10+406.48 грн
50+345.99 грн
100+290.34 грн
250+284.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 24545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.17 грн
10+352.21 грн
100+272.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSMOSFET MOSFET 150 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.57 грн
10+454.03 грн
25+370.65 грн
100+326.87 грн
250+320.08 грн
500+281.58 грн
800+255.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+406.48 грн
50+345.99 грн
100+290.34 грн
250+284.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLittelfuseP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.29 грн
10+497.09 грн
25+468.30 грн
50+408.12 грн
100+352.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TTRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.92 грн
10+404.55 грн
50+341.21 грн
100+301.20 грн
250+289.13 грн
500+281.58 грн
1000+262.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.37 грн
10+262.01 грн
100+211.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.88 грн
50+197.07 грн
100+160.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.76 грн
50+163.97 грн
100+160.78 грн
500+136.45 грн
1000+129.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVIXYSMOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1051.57 грн
10+767.43 грн
100+663.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA4N150HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N60PIXYSMOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.69 грн
10+137.19 грн
50+108.52 грн
100+98.14 грн
250+83.98 грн
500+73.60 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.23 грн
10+184.91 грн
100+125.31 грн
500+96.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.58 грн
10+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2TRLLittelfuseIXTA4N65X2TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.27 грн
3+178.34 грн
10+150.98 грн
50+136.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSMOSFETs TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.12 грн
10+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSMOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P-TRLIXYSMOSFETs IXTA4N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.37 грн
10+250.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLIXYSMOSFETs IXTA50N20P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSMOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.40 грн
10+370.69 грн
50+303.47 грн
100+255.16 грн
250+207.60 грн
500+200.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA50N25T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.55 грн
50+292.13 грн
100+268.44 грн
500+216.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.00 грн
10+325.55 грн
100+270.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.90 грн
3+328.69 грн
8+310.61 грн
50+298.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.49 грн
3+409.60 грн
8+372.73 грн
50+358.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.74 грн
25+473.38 грн
100+315.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA52P10P TRL
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.57 грн
10+410.63 грн
100+296.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.63 грн
10+368.17 грн
100+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA56N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO263
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+216.61 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N50PIXYSMOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PIXYSMOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.46 грн
50+120.14 грн
100+109.77 грн
500+85.70 грн
1000+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T
Код товару: 148376
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TIXYSMOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.96 грн
10+132.82 грн
100+110.21 грн
500+86.06 грн
1000+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA60N10T TRL
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.61 грн
10+164.08 грн
100+104.18 грн
500+88.32 грн
800+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.01 грн
10+173.86 грн
100+121.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.24 грн
3+339.05 грн
10+287.80 грн
60+259.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSMOSFETs 60 Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T
Код товару: 108659
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.03 грн
3+272.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRLIXYSMOSFETs IXTA60N20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.97 грн
50+400.94 грн
100+386.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.34 грн
10+447.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.44 грн
10+302.11 грн
50+225.71 грн
100+202.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.37 грн
50+284.34 грн
100+243.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.29 грн
10+358.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLIXYSMOSFETs IXTA62N15P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+224.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2IXYSMOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1113.22 грн
10+890.70 грн
25+720.93 грн
50+689.22 грн
100+660.53 грн
250+627.32 грн
500+619.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.36 грн
50+606.81 грн
100+590.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 64A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2-TRLIXYSMOSFET IXTA64N10L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.79 грн
10+589.46 грн
100+452.18 грн
500+419.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA6N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.49 грн
10+987.06 грн
100+777.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+845.48 грн
2+578.15 грн
6+525.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 720 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
1+873.67 грн
50+569.49 грн
100+452.18 грн
500+419.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.57 грн
2+463.95 грн
6+438.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+820.59 грн
25+621.58 грн
100+423.42 грн
250+375.09 грн
500+329.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+260.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSMOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 472-481 дні (днів)
1+757.41 грн
10+535.64 грн
100+449.16 грн
800+448.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSMOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA70N075T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA72N20TIXYSMOSFET 72 Amps 200V 33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.13 грн
10+250.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.76 грн
50+218.07 грн
100+201.17 грн
500+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA75N10P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA76N25T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T
Код товару: 198462
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.03 грн
10+326.42 грн
100+268.74 грн
500+232.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.57 грн
5+517.42 грн
10+423.42 грн
50+306.68 грн
100+259.86 грн
250+254.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.20 грн
10+481.22 грн
25+476.00 грн
50+422.85 грн
100+312.91 грн
1000+258.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+553.83 грн
3+476.24 грн
5+423.69 грн
10+371.79 грн
50+309.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+509.78 грн
28+444.27 грн
50+394.66 грн
100+292.05 грн
1000+241.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.77 грн
50+280.81 грн
100+257.83 грн
500+206.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.53 грн
3+382.17 грн
5+353.07 грн
10+309.82 грн
50+257.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.77 грн
10+352.21 грн
100+268.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+293.61 грн
4000+290.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+228.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+274.04 грн
4000+271.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.19 грн
10+405.71 грн
25+381.22 грн
100+338.71 грн
250+304.54 грн
500+265.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.25 грн
10+334.23 грн
100+254.40 грн
500+253.65 грн
800+247.61 грн
2400+232.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+422.98 грн
33+378.67 грн
35+355.81 грн
100+316.13 грн
250+284.24 грн
500+247.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSMOSFETs MOSFET N CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.23 грн
5+1176.26 грн
10+1022.98 грн
25+807.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N075L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.21 грн
50+168.69 грн
100+154.92 грн
500+122.46 грн
1000+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N10T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2IXYSMOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20T-TRLIXYSMOSFET IXTA86N20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.50 грн
50+573.20 грн
100+531.82 грн
500+473.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.33 грн
10+637.21 грн
100+525.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4-TRLLittelfuseLittelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4-TRLLittelfuseIXTA86N20X4-TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50P
Код товару: 99415
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PIXYSMOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.18 грн
10+147.97 грн
50+110.40 грн
250+91.53 грн
300+89.64 грн
500+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.23 грн
10+141.51 грн
100+121.54 грн
500+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.21 грн
50+128.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.98 грн
10+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2TRLLittelfuseIXTA8N65X2TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.55 грн
50+160.32 грн
100+145.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2TRLLittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8PN50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2IXYSMOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2IXYSMOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.10 грн
10+193.59 грн
50+163.81 грн
100+138.15 грн
250+135.13 грн
500+129.09 грн
1000+120.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA90N075T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.91 грн
10+654.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 94A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.10 грн
50+556.67 грн
100+546.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4-TRLLittelfuseDiscrete MOSFET 94A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4-TRLLittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.16 грн
50+392.63 грн
100+352.84 грн
500+313.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+438.82 грн
50+366.45 грн
100+329.32 грн
500+293.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 6762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.93 грн
50+353.18 грн
100+315.99 грн
500+261.66 грн
1000+235.50 грн
2000+220.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+408.06 грн
50+350.37 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.05 грн
5+392.09 грн
10+342.12 грн
50+271.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.77 грн
10+407.15 грн
50+266.48 грн
100+258.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+485.61 грн
27+464.75 грн
50+447.04 грн
100+416.45 грн
250+373.90 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSIXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+414.61 грн
4+339.70 грн
10+321.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.48 грн
50+376.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSMOSFETs IXTA96P085T TRL
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.32 грн
10+420.18 грн
25+346.50 грн
100+306.49 грн
250+296.67 грн
500+258.17 грн
800+240.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.49 грн
10+330.82 грн
100+268.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.02 грн
10+365.93 грн
25+353.37 грн
100+314.84 грн
250+283.94 грн
500+253.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.08 грн
10+407.33 грн
50+373.46 грн
100+315.33 грн
250+285.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+228.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+275.69 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+315.33 грн
250+285.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB1909IXYSDescription: POWER MOSFET 500V 100AMP
на замовлення 19470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1902.67 грн
10+1690.18 грн
100+1443.27 грн
500+1229.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LIXYSMOSFETs 30 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSMOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4629.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSIXTB62N50L THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2743.11 грн
2+2593.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4505.97 грн
25+3199.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088/6E/2C
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH ISOPLUS-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD1R4N60P 11IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD2N60P-1JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N50P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N60P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD4N80P-3JIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Packaging: Tube
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
Power Dissipation (Max): 730W
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSMOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3284.89 грн
5+3010.51 грн
10+2736.14 грн
50+2489.59 грн
100+2251.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450
Код товару: 147768
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSMOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3264.80 грн
10+2937.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 78W; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 78W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
On-state resistance: 625Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3036.92 грн
25+2440.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF03N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSMOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.9A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSMOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7372.45 грн
10+6386.84 грн
100+5506.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSMOSFETs ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6698.70 грн
10+6160.26 грн
25+4902.30 грн
250+4879.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 160A I4PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSMOSFET DISC MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1513.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1321.16 грн
20+1285.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 450Ω
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1232.24 грн
30+811.20 грн
120+720.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1334.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1214.50 грн
10+861.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1299.90 грн
5+1068.71 грн
10+836.68 грн
50+760.40 грн
100+687.39 грн
250+672.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2094.57 грн
30+1334.54 грн
120+1274.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVIXYSMOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1862.71 грн
10+1418.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2119.64 грн
5+1930.79 грн
10+1743.64 грн
25+1443.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH03N400LittelfuseTrans MOSFET N-CH 4KV 0.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247HV
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 104W
On-state resistance: 190Ω
Drain-source voltage: 3kV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVLittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV .4A N-CH POLAR
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1949.02 грн
10+1413.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH06N220P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.2kV; 0.38A; Idm: 1.2A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.4nC
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 2.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSMOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSMOSFETs 102 Amps 200V 22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSMOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1586.16 грн
10+1333.45 грн
120+1002.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1498.33 грн
10+1457.73 грн
25+970.03 грн
100+878.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1305.74 грн
30+882.05 грн
120+840.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1621.53 грн
5+1605.35 грн
10+1561.85 грн
25+1039.31 грн
100+941.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.86 грн
5+1436.24 грн
10+1333.77 грн
50+1144.14 грн
100+968.30 грн
250+881.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1055.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1130.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIXYSIXTH10P50P THT P channel transistors
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+744.88 грн
3+484.08 грн
7+457.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+744.37 грн
25+591.09 грн
100+437.82 грн
250+352.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.06 грн
30+382.56 грн
120+323.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.91 грн
10+433.20 грн
120+332.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+809.81 грн
25+682.74 грн
30+673.50 грн
120+589.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1167.00 грн
12+1074.10 грн
25+1030.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.90 грн
5+750.30 грн
10+576.70 грн
50+530.79 грн
100+486.33 грн
250+481.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1351.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.37 грн
30+545.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+996.09 грн
10+604.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.