Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXT-1-1N100S1IXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1 T/RIxys Corporation- 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-705ATPlanetDescription: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24425.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.21 грн
10+1188.52 грн
25+1176.83 грн
50+1071.48 грн
100+856.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSMOSFETs SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.59 грн
10+543.34 грн
500+462.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSIXTA02N250HV SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1015.34 грн
2+709.08 грн
5+670.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.20 грн
50+522.58 грн
100+504.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.22 грн
5+759.91 грн
10+646.80 грн
50+496.31 грн
100+451.30 грн
250+443.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+159.69 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.75 грн
50+193.38 грн
100+176.59 грн
500+138.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.74 грн
3+278.60 грн
10+236.69 грн
50+184.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+381.28 грн
3+347.18 грн
10+284.03 грн
50+221.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.31 грн
10+270.88 грн
100+190.49 грн
500+169.32 грн
1000+157.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.37 грн
10+325.85 грн
50+224.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.34 грн
10+360.84 грн
25+292.33 грн
50+208.58 грн
100+174.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.01 грн
50+196.91 грн
100+179.63 грн
500+140.18 грн
1000+133.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.71 грн
1600+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.47 грн
10+233.07 грн
100+167.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSMOSFETs IXTA06N120P TRL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
1+331.37 грн
10+274.03 грн
25+224.63 грн
100+193.22 грн
250+182.30 грн
500+171.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.85 грн
50+126.66 грн
100+114.82 грн
500+88.28 грн
1000+82.03 грн
2000+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.62 грн
10+142.90 грн
100+116.07 грн
500+112.66 грн
1000+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSIXTA08N100D2 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+354.73 грн
8+159.77 грн
21+151.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.27 грн
10+262.86 грн
25+216.66 грн
50+159.03 грн
100+136.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSDescription: IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+241.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.79 грн
10+243.74 грн
100+238.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.38 грн
10+227.70 грн
100+171.37 грн
500+148.84 грн
1000+142.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.66 грн
50+215.64 грн
100+184.83 грн
500+154.19 грн
1000+132.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.88 грн
10+298.37 грн
50+149.52 грн
100+140.65 грн
500+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.31 грн
50+126.07 грн
100+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2
Код товару: 118357
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.26 грн
10+110.71 грн
100+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA100N04T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.13 грн
10+231.63 грн
100+178.88 грн
500+170.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.82 грн
50+226.32 грн
100+202.51 грн
500+164.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA102N15T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+156.67 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSMOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA10P15T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.94 грн
5+477.13 грн
10+386.33 грн
50+329.89 грн
100+277.20 грн
250+250.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSIXTA10P50P SMD P channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+451.38 грн
4+387.58 грн
9+365.88 грн
10+365.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.52 грн
10+537.53 грн
25+537.34 грн
50+508.38 грн
100+470.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.86 грн
10+332.13 грн
500+268.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+533.55 грн
29+458.34 грн
50+433.63 грн
100+401.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+692.55 грн
25+660.58 грн
50+633.99 грн
100+589.80 грн
250+529.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.12 грн
10+529.45 грн
25+524.19 грн
50+501.10 грн
100+459.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+575.05 грн
27+489.24 грн
50+467.69 грн
100+428.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.39 грн
10+514.21 грн
25+476.41 грн
100+406.21 грн
250+366.46 грн
500+279.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 56532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.73 грн
10+346.31 грн
100+267.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+331.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.50 грн
10+424.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+323.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+226.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+564.10 грн
27+479.93 грн
30+444.65 грн
100+379.13 грн
250+342.03 грн
500+261.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSMOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.59 грн
10+376.10 грн
100+259.45 грн
500+244.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.20 грн
10+164.10 грн
100+119.48 грн
500+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA110N055T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055T7IXYSMOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+129.22 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSMOSFETs 120 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Mounting: SMD
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 50ns
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.01 грн
5+430.14 грн
10+354.47 грн
50+259.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+606.09 грн
50+467.25 грн
100+441.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.32 грн
10+286.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+424.83 грн
10+326.27 грн
50+269.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+393.85 грн
35+376.93 грн
50+362.57 грн
100+337.75 грн
250+303.25 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO263
Technology: TrenchP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+509.79 грн
10+406.58 грн
50+323.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.63 грн
50+295.42 грн
100+271.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSMOSFETs IXTA120P065T TRL
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.94 грн
10+362.75 грн
100+262.86 грн
500+258.08 грн
800+231.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSMOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.72 грн
10+175.09 грн
100+137.92 грн
500+129.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.98 грн
50+164.01 грн
100+149.33 грн
500+116.01 грн
1000+108.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N70X2IXYSMOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N065T2IXYSMOSFETs 130 Amps 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.39 грн
50+184.99 грн
100+168.83 грн
500+131.86 грн
1000+126.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA130N10T TRL
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.03 грн
10+250.47 грн
100+193.90 грн
500+168.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+164.29 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N10TTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.61 грн
50+488.04 грн
100+452.04 грн
500+395.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.20 грн
50+557.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+648.34 грн
100+558.61 грн
250+525.76 грн
500+462.56 грн
1250+416.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA130N15X4-7IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+849.12 грн
10+737.28 грн
50+544.16 грн
100+533.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2IXYSMOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSIXTA140N12T2 SMD N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+428.01 грн
4+311.64 грн
11+294.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+369.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2IXYSMOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.57 грн
10+534.70 грн
50+322.26 грн
100+296.32 грн
250+290.17 грн
500+286.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.32 грн
50+350.94 грн
100+323.24 грн
500+267.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLIXYSDescription: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140P05T-TRLLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.30 грн
50+189.32 грн
100+172.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.90 грн
50+519.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+690.61 грн
50+638.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA150N15X4-7IXYSMOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA152N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.16 грн
50+553.31 грн
100+514.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSMOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1044.28 грн
10+650.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA15N50L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15P15T-A2IXYSMOSFET -150V -15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSMOSFETs 160Amps 40V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.92 грн
10+189.23 грн
100+138.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7IXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N075T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+184.21 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7IXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.92 грн
10+269.31 грн
100+157.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXTA16N50P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO263
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSMOSFET 170 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2IXYSIXTA170N075T2 SMD N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+328.18 грн
6+207.10 грн
16+195.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.53 грн
10+319.70 грн
25+249.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.41 грн
10+229.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+531.03 грн
10+398.39 грн
25+298.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.36 грн
50+226.36 грн
100+207.33 грн
500+163.31 грн
1000+161.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.36 грн
10+285.51 грн
100+210.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA180N10T TRL
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.80 грн
10+334.48 грн
100+234.87 грн
500+208.92 грн
800+195.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7IXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.97 грн
10+339.19 грн
100+237.60 грн
500+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+192.43 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRLIXYSMOSFETs IXTA180N10T7 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T7-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055T7IXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA182N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+100.58 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA18P10TIXYSMOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970-TRLLittelfuseLittelfuse IXTA1970 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1970TRLIxys CorporationTRENCHT2 POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.23 грн
10+274.04 грн
100+224.51 грн
500+179.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N100PIXYSMOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 684-693 дні (днів)
2+207.10 грн
10+157.03 грн
100+113.34 грн
250+96.27 грн
500+93.54 грн
1000+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.02 грн
50+205.62 грн
100+187.93 грн
500+147.31 грн
1000+142.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120PIXYSMOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.72 грн
10+208.07 грн
100+168.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSMOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 238-247 дні (днів)
1+1694.27 грн
10+1666.92 грн
25+1354.59 грн
50+1074.66 грн
100+1022.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1554.64 грн
50+905.20 грн
100+883.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV-TRLLittelfuseLittelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.41 грн
50+419.81 грн
100+382.19 грн
500+345.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+673.09 грн
10+662.69 грн
50+408.97 грн
100+372.10 грн
250+368.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.10 грн
5+666.71 грн
10+571.13 грн
50+440.83 грн
100+385.76 грн
250+364.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+648.28 грн
10+447.71 грн
100+344.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+349.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.87 грн
25+618.12 грн
100+419.78 грн
250+372.05 грн
500+326.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.97 грн
50+140.39 грн
100+127.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.69 грн
10+133.48 грн
100+105.83 грн
500+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N100PTRLIXYSMOSFETs TO263 1KV 1A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.16 грн
10+419.28 грн
50+288.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.47 грн
50+314.95 грн
100+269.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+343.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+225.24 грн
100+184.57 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.94 грн
10+171.95 грн
100+136.55 грн
500+132.46 грн
1000+123.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA1R6N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+399.87 грн
10+227.81 грн
100+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.09 грн
10+231.63 грн
100+182.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.23 грн
10+238.69 грн
50+195.95 грн
100+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.81 грн
50+170.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSMOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.04 грн
50+170.88 грн
100+155.68 грн
500+121.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-7IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA200N055T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085TIXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N085T7IXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X-TRLIXYSMOSFETs IXTA20N65X TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+443.94 грн
3+385.08 грн
10+327.42 грн
50+293.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+369.95 грн
3+309.01 грн
10+272.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+246.72 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA220N04T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2IXYSMOSFETs 230 Amps 75V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
10+457.76 грн
50+312.02 грн
100+284.03 грн
500+251.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.85 грн
50+261.41 грн
100+242.07 грн
500+210.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2-7IXYSMOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA230N075T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA240N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.76 грн
50+217.52 грн
100+199.03 грн
500+167.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TIXYSMOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.12 грн
10+229.27 грн
50+110.61 грн
100+108.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2IXYSMOSFETs TO263 N CHAN 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7IXYSMOSFETs 260 Amps 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA260N055T2-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P
Код товару: 162385
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.56 грн
5+493.86 грн
10+468.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.42 грн
10+312.50 грн
100+263.54 грн
500+245.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.46 грн
50+276.07 грн
100+253.68 грн
500+204.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PIXYSIXTA26P20P SMD P channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+685.03 грн
3+411.25 грн
8+388.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P TRLIxys CorporationIXTA26P20P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+226.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.46 грн
10+345.71 грн
100+266.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRLIXYSMOSFETs IXTA26P20P TRL
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.03 грн
10+369.03 грн
100+247.84 грн
500+247.16 грн
800+244.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA270N04T4-7IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA27N20TIXYSMOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSIXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+332.43 грн
8+150.89 грн
22+142.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSMOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.07 грн
10+168.81 грн
100+98.32 грн
500+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100IXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100PIXYSIXTA2N100P SMD N channel transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.14 грн
7+181.46 грн
18+171.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA2N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.82 грн
10+426.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120PIXYSMOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.56 грн
10+337.62 грн
500+284.03 грн
1000+277.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2IXYSMOSFETs 300 Amps 40V 0.025 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+270.17 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA300N04T2-7IXYSMOSFETs 300 Amps 40V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.78 грн
10+336.05 грн
100+203.46 грн
500+197.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA30N25L2IXYSMOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+897.71 грн
10+691.74 грн
100+464.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA30N65X2IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20TIXYSMOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TIXYSMOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.73 грн
10+180.59 грн
50+135.87 грн
100+116.75 грн
250+113.34 грн
500+103.78 грн
1000+101.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TIXYSIXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
9+144.97 грн
23+137.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.33 грн
50+148.11 грн
100+126.95 грн
500+105.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P05T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05TTRLIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220
на замовлення 794 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.58 грн
50+347.83 грн
100+320.97 грн
500+270.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.75 грн
10+553.55 грн
50+413.07 грн
100+375.52 грн
250+359.81 грн
500+357.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.49 грн
5+601.40 грн
10+540.06 грн
50+471.90 грн
100+407.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTA34N65X2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA34N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.43 грн
50+242.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.18 грн
50+213.09 грн
100+211.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSIXTA36N30P SMD N channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+459.88 грн
5+276.14 грн
12+261.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIXYSMOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.62 грн
10+187.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+228.83 грн
58+226.40 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P
Код товару: 52904
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.14 грн
50+191.39 грн
100+180.56 грн
500+158.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+401.12 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLIXYSMOSFETs IXTA36N30P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.46 грн
50+276.39 грн
100+253.98 грн
500+204.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.06 грн
10+294.44 грн
100+246.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P TRLIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.46 грн
10+346.08 грн
100+267.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.88 грн
10+419.78 грн
25+395.89 грн
50+346.16 грн
100+299.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+226.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSMOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA380N036T4-7-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.76 грн
50+264.80 грн
100+245.14 грн
500+212.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.35 грн
10+277.17 грн
100+226.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.21 грн
10+372.79 грн
100+305.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.27 грн
10+285.80 грн
100+211.66 грн
500+210.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100D2HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSDescription: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120
Код товару: 190833
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.57 грн
50+322.61 грн
100+297.33 грн
500+247.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.56 грн
10+344.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.63 грн
5+544.04 грн
10+448.46 грн
50+327.67 грн
100+278.57 грн
250+275.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+280.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.31 грн
10+431.84 грн
100+340.70 грн
500+303.83 грн
800+299.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+728.84 грн
10+499.44 грн
25+466.78 грн
50+403.85 грн
100+344.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.40 грн
10+410.58 грн
100+330.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXTA3N120 TRR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.52 грн
10+333.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.86 грн
50+298.78 грн
100+294.53 грн
500+245.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.16 грн
5+581.48 грн
10+551.21 грн
50+468.20 грн
100+390.54 грн
250+383.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.11 грн
10+456.19 грн
100+330.46 грн
500+294.95 грн
800+290.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HVTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+933.56 грн
3+829.55 грн
5+748.53 грн
10+669.63 грн
15+627.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSMOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.36 грн
10+516.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.33 грн
5+665.92 грн
10+578.30 грн
50+454.89 грн
100+374.83 грн
250+367.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.97 грн
3+665.69 грн
5+623.78 грн
10+558.03 грн
15+522.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N150HV TRL
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+870.63 грн
10+626.57 грн
100+471.10 грн
800+449.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.09 грн
10+558.51 грн
100+485.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+412.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.09 грн
10+209.64 грн
100+167.96 грн
500+165.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.66 грн
50+197.77 грн
100+180.70 грн
500+141.52 грн
1000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA3N50D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P
Код товару: 131345
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSIXTA3N50P SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.34 грн
35+87.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N15TIXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.58 грн
10+204.93 грн
50+150.89 грн
100+137.23 грн
250+129.72 грн
500+122.21 грн
1000+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N25PIXYSMOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA42N28PIXYS09+
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.57 грн
50+261.14 грн
100+239.77 грн
500+191.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TIXYSIXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+454.57 грн
4+363.91 грн
9+343.20 грн
100+343.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSMOSFET MOSFET 150 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.59 грн
10+410.65 грн
25+335.23 грн
100+295.63 грн
250+289.49 грн
500+254.67 грн
800+231.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.07 грн
5+414.21 грн
10+382.34 грн
50+325.45 грн
100+273.10 грн
250+267.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 23540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.57 грн
10+327.59 грн
100+250.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+382.34 грн
50+325.45 грн
100+273.10 грн
250+267.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15T-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.56 грн
10+467.58 грн
25+440.49 грн
50+383.88 грн
100+331.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA44P15TTRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.83 грн
10+365.89 грн
50+308.61 грн
100+272.42 грн
250+261.50 грн
500+254.67 грн
1000+237.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.17 грн
10+246.45 грн
100+199.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.18 грн
50+154.23 грн
100+151.23 грн
500+128.35 грн
1000+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.81 грн
50+178.23 грн
100+145.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HVIXYSMOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.08 грн
10+630.49 грн
100+508.66 грн
500+460.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA4N150HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N60PIXYSMOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.47 грн
10+152.32 грн
100+113.34 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+146.92 грн
10+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.30 грн
10+143.38 грн
50+113.41 грн
100+102.57 грн
250+87.77 грн
500+76.92 грн
1000+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+214.54 грн
3+186.39 грн
10+157.79 грн
50+143.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSMOSFETs TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.57 грн
10+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSMOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N80P-TRLIXYSMOSFETs IXTA4N80P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.33 грн
10+201.00 грн
100+164.54 грн
500+163.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N20P-TRLIXYSMOSFETs IXTA50N20P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25TIXYSMOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.65 грн
10+335.27 грн
50+274.47 грн
100+230.77 грн
250+187.76 грн
500+180.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA50N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA50N25T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PIXYSIXTA52P10P SMD P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+676.54 грн
3+411.25 грн
8+388.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.38 грн
50+274.78 грн
100+252.50 грн
500+203.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.50 грн
25+467.58 грн
100+311.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.86 грн
10+294.44 грн
100+244.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.08 грн
10+342.39 грн
100+264.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+224.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA52P10P TRL
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.42 грн
10+371.39 грн
100+268.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO263
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+203.74 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N50PIXYSMOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PIXYSMOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA5N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.84 грн
50+113.00 грн
100+103.25 грн
500+80.61 грн
1000+76.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T
Код товару: 148376
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10TIXYSMOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.52 грн
10+145.26 грн
100+106.51 грн
500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.62 грн
10+163.54 грн
100+114.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA60N10T TRL
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.34 грн
10+141.33 грн
100+95.59 грн
500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSMOSFETs 60 Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T
Код товару: 108659
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 118ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20T-TRLIXYSMOSFETs IXTA60N20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.25 грн
50+420.72 грн
100+389.50 грн
500+339.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.32 грн
10+449.12 грн
100+363.91 грн
500+352.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.26 грн
50+267.46 грн
100+229.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.65 грн
10+273.24 грн
50+204.14 грн
100+182.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.35 грн
10+374.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+211.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N15P-TRLIXYSMOSFETs IXTA62N15P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.11 грн
50+570.78 грн
100+555.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2IXYSMOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.84 грн
10+805.59 грн
25+652.03 грн
50+623.36 грн
100+597.41 грн
250+567.37 грн
500+559.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2-TRLIXYSMOSFET IXTA64N10L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA64N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 64A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.56 грн
10+533.13 грн
100+391.90 грн
500+349.57 грн
1000+345.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA6N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1131.90 грн
10+926.50 грн
100+627.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.77 грн
50+364.96 грн
100+337.05 грн
500+286.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSIXTA6N50D2 SMD N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+890.01 грн
3+579.89 грн
6+548.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 720 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
1+790.18 грн
50+515.07 грн
100+408.97 грн
500+379.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.69 грн
25+615.73 грн
100+417.39 грн
250+369.83 грн
500+324.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+272.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSMOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 472-481 дні (днів)
1+685.03 грн
10+484.45 грн
100+406.24 грн
800+405.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.77 грн
10+451.78 грн
100+373.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+317.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSMOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA70N075T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA72N20TIXYSMOSFET 72 Amps 200V 33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.41 грн
10+226.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.91 грн
50+205.12 грн
100+189.23 грн
500+158.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA75N10P-TRLIXYSMOSFETs IXTA75N10P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76N25T-TRLIXYSMOSFETs IXTA76N25T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.85 грн
10+502.93 грн
25+497.48 грн
50+441.94 грн
100+327.03 грн
1000+270.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.31 грн
5+486.69 грн
10+398.28 грн
50+288.47 грн
100+244.43 грн
250+239.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T
Код товару: 198462
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.94 грн
10+281.88 грн
100+224.63 грн
500+210.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+532.79 грн
28+464.32 грн
50+412.47 грн
100+305.23 грн
1000+252.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.72 грн
50+264.13 грн
100+242.52 грн
500+193.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10TIXYSIXTA76P10T SMD P channel transistors
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+677.60 грн
4+355.03 грн
10+335.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+306.86 грн
4000+303.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSMOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.62 грн
10+302.29 грн
100+230.09 грн
500+229.41 грн
800+223.94 грн
2400+210.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+214.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+286.40 грн
4000+283.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.64 грн
10+424.02 грн
25+398.43 грн
100+353.99 грн
250+318.28 грн
500+276.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+442.07 грн
33+395.76 грн
35+371.87 грн
100+330.39 грн
250+297.07 грн
500+258.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.72 грн
10+331.29 грн
100+252.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.87 грн
50+546.31 грн
100+508.06 грн
500+462.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1059.41 грн
5+853.07 грн
10+751.98 грн
25+659.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1271.30 грн
5+1063.06 грн
10+902.38 грн
25+790.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2IXYSMOSFETs MOSFET N CHANNEL
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.67 грн
10+877.82 грн
100+635.65 грн
500+566.69 грн
1000+559.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.71 грн
5+1040.30 грн
10+904.09 грн
25+713.77 грн
100+542.11 грн
500+525.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N075L2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.08 грн
50+154.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRLIXYSMOSFETs IXTA80N10T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2IXYSMOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20T-TRLIXYSMOSFET IXTA86N20T TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 16622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.09 грн
50+486.46 грн
100+451.33 грн
500+401.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.21 грн
10+546.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA86N20X4-TRLLittelfuseLittelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA88N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PIXYSMOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N50P
Код товару: 99415
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+208.17 грн
10+154.64 грн
50+115.39 грн
250+95.66 грн
300+93.69 грн
500+90.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
50+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSMOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.81 грн
10+137.41 грн
500+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.47 грн
10+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.40 грн
50+150.80 грн
100+137.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8PN50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2IXYSMOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2IXYSMOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.10 грн
10+139.76 грн
100+109.92 грн
500+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA90N075T2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.93 грн
50+520.63 грн
100+483.59 грн
500+435.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4IXYSMOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.68 грн
10+592.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA94N20X4-TRLLittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.63 грн
10+368.25 грн
50+241.01 грн
100+233.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.79 грн
50+265.95 грн
100+244.18 грн
500+195.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+458.62 грн
50+382.99 грн
100+344.18 грн
500+306.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+426.47 грн
50+366.18 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.09 грн
5+317.03 грн
10+286.76 грн
50+237.43 грн
100+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSIXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+537.41 грн
4+355.03 грн
10+335.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+507.52 грн
27+485.72 грн
50+467.21 грн
100+435.24 грн
250+390.78 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.27 грн
50+393.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.38 грн
50+410.35 грн
100+368.77 грн
500+328.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+261.10 грн
250+236.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.79 грн
10+333.58 грн
100+254.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.98 грн
10+382.44 грн
25+369.32 грн
100+329.05 грн
250+296.75 грн
500+264.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSMOSFETs IXTA96P085T TRL
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.27 грн
10+380.02 грн
25+313.39 грн
100+277.20 грн
250+268.32 грн
500+233.50 грн
800+217.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.61 грн
10+354.47 грн
50+317.82 грн
100+261.10 грн
250+236.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+216.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+288.13 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB1909IXYSDescription: POWER MOSFET 500V 100AMP
на замовлення 19470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1789.68 грн
10+1589.81 грн
100+1357.56 грн
500+1156.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LIXYSMOSFETs 30 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3758.33 грн
25+2669.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 550nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3976.39 грн
3+3391.94 грн
10+2934.95 грн
25+2733.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSMOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4186.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 550nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3313.66 грн
3+2721.93 грн
10+2445.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088/6E/2C
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH ISOPLUS-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD1R4N60P 11IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD2N60P-1JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N50P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N60P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD4N80P-3JIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Packaging: Tube
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
Power Dissipation (Max): 730W
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSMOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSMOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2952.82 грн
10+2657.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3089.82 грн
5+2831.74 грн
10+2573.66 грн
50+2341.75 грн
100+2117.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450
Код товару: 147768
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2856.58 грн
25+2295.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF03N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSMOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSMOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6518.98 грн
10+5471.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6200.13 грн
25+4888.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSMOSFETs ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6058.57 грн
10+5571.58 грн
25+4433.83 грн
250+4413.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 160A I4PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSMOSFET DISC MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1581.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.67 грн
10+790.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1380.79 грн
20+1343.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1394.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1222.71 грн
5+1005.25 грн
10+786.99 грн
50+715.25 грн
100+646.57 грн
250+632.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.07 грн
30+763.03 грн
120+677.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1993.77 грн
5+1816.14 грн
10+1640.10 грн
25+1358.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1970.19 грн
30+1255.29 грн
120+1199.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVIXYSMOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1711.79 грн
10+1218.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV .4A N-CH POLAR
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1769.14 грн
10+1162.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSMOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSMOSFETs 102 Amps 200V 22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1446.54 грн
5+1350.95 грн
10+1254.57 грн
50+1076.20 грн
100+910.80 грн
250+828.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1228.20 грн
30+829.67 грн
120+790.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1565.95 грн
10+1523.52 грн
25+1013.80 грн
100+918.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSMOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1276.87 грн
10+975.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1694.71 грн
5+1677.80 грн
10+1632.34 грн
25+1086.22 грн
100+983.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1103.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1181.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIXYSIXTH10P50P THT P channel transistors
на замовлення 270 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+827.35 грн
3+505.92 грн
7+478.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.06 грн
30+359.84 грн
120+304.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.94 грн
10+391.80 грн
120+301.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.37 грн
25+564.76 грн
100+430.14 грн
250+346.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+846.36 грн
25+713.55 грн
30+703.89 грн
120+615.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1219.67 грн
12+1122.58 грн
25+1077.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1412.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.02 грн
5+798.94 грн
10+678.66 грн
50+517.76 грн
100+465.64 грн
250+453.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.72 грн
10+809.66 грн
25+809.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1011.18 грн
25+964.49 грн
50+925.68 грн
100+861.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.09 грн
30+516.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.90 грн
10+546.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1578.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1315.76 грн
30+797.08 грн
120+718.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 230ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1412.29 грн
10+1154.99 грн
120+812.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1510.26 грн
5+1429.81 грн
10+1350.16 грн
25+1179.75 грн
100+1021.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.89 грн
30+542.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIXYSMOSFETs 110 Amps 250V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.44 грн
10+383.95 грн
120+330.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIXYSIXTH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+926.12 грн
3+556.22 грн
6+525.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808.94 грн
3+685.41 грн
10+577.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1323.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+970.73 грн
3+854.13 грн
10+693.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50Ixys CorporationTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1153.03 грн
13+996.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.01 грн
30+545.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSMOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.68 грн
10+537.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+625.56 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N20X4IXYSMOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.39 грн
10+394.16 грн
120+327.72 грн
1020+321.58 грн
2520+318.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N20X4IXYSDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.96 грн
30+369.33 грн
120+354.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+872.92 грн
20+650.77 грн
30+627.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.61 грн
30+344.70 грн
120+296.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.37 грн
10+435.57 грн
30+379.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.58 грн
10+343.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+698.84 грн
10+542.79 грн
30+455.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100IXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1613.02 грн
10+1133.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100QIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120
Код товару: 62244
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.300 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120Ixys Semiconductor GmbH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1425.18 грн
30+935.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150IXYSMOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
1+1172.52 грн
10+1052.92 грн
30+896.46 грн
120+746.94 грн
270+744.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1330.17 грн
30+872.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.40 грн
30+224.36 грн
120+186.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2IXYSMOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N90IXYSMOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.43 грн
30+276.16 грн
120+231.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TIXYSMOSFETs 130 Amps 150V 12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.10 грн
10+822.08 грн
120+633.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TIXYSMOSFETs 130Amps 200V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.75 грн
10+523.71 грн
30+333.87 грн
120+333.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N110IXYSMOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N80IXYSMOSFETs 13 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 140A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1742.86 грн
10+1405.46 грн
120+1170.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TIXYSIXTH140P05T THT P channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+909.13 грн
2+605.53 грн
6+572.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.94 грн
30+527.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.50 грн
30+397.07 грн
120+343.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.32 грн
10+704.30 грн
30+407.61 грн
120+378.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+707.75 грн
30+494.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1282.45 грн
5+1191.64 грн
10+1100.83 грн
50+937.14 грн
100+787.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSIXTH140P10T THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1177.53 грн
3+1112.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1458.63 грн
10+1290.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1309.53 грн
10+869.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N100IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.82 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.74 грн
30+628.41 грн
120+591.45 грн
510+503.01 грн
1020+461.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N15X4IXYSMOSFETs TO247 150V 150A N-CH HIPER
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+887.36 грн
10+768.68 грн
30+493.63 грн
120+464.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+790.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+924.41 грн
16+834.84 грн
100+721.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+876.21 грн
30+565.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.23 грн
10+662.69 грн
120+479.98 грн
510+427.41 грн
1020+385.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1045.66 грн
50+697.47 грн
100+671.52 грн
200+619.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.45 грн
30+459.70 грн
120+392.97 грн
510+350.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1022.81 грн
15+916.90 грн
25+768.92 грн
50+734.05 грн
100+599.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2
Код товару: 193930
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 570ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.17 грн
30+453.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.98 грн
10+321.92 грн
120+251.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH160N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 430
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.12 грн
30+335.56 грн
120+282.55 грн
510+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSMOSFETs 160Amps 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSTO-247
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N10D2 - MOSFET, N-CH, 100V, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2
Код товару: 79258
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2IXYSMOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2IXYSMOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1366.88 грн
10+975.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.98 грн
30+933.27 грн
120+846.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1560.44 грн
5+1272.09 грн
10+983.74 грн
50+905.34 грн
100+828.87 грн
250+821.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.92 грн
10+799.05 грн
30+737.90 грн
120+641.31 грн
270+619.40 грн
510+605.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSMOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.14 грн
10+782.03 грн
120+671.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYS10+ DO-214AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.72 грн
10+676.82 грн
30+548.26 грн
60+524.36 грн
120+501.83 грн
270+477.25 грн
510+456.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.61 грн
30+516.94 грн
120+465.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.17 грн
5+849.92 грн
10+768.67 грн
25+636.84 грн
100+518.21 грн
500+457.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.50 грн
30+310.21 грн
120+261.60 грн
510+218.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.89 грн
10+335.27 грн
120+263.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.31 грн
30+791.11 грн
120+711.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSMOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.68 грн
10+925.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N200P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 40
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+750.35 грн
5+713.71 грн
10+677.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO247HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.12 грн
10+489.16 грн
120+360.50 грн
510+333.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+828.03 грн
25+789.80 грн
50+758.02 грн
100+705.18 грн
250+632.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2610.02 грн
30+1900.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250IXYSMOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 1.5 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3208.51 грн
5+2909.01 грн
10+2578.44 грн
50+2250.77 грн
100+1941.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3472.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2567.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV 1A N-CH POLAR
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2395.23 грн
10+1736.80 грн
120+1480.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSIXTH1N450HV THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3121.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3131.24 грн
5+2877.14 грн
10+2623.04 грн
50+2355.06 грн
100+2098.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2857.34 грн
30+1903.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVLittelfusePower MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3694.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3314.45 грн
10+2838.40 грн
120+2158.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1R4N250P3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 1.4A 2500V P3 TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchMV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.61 грн
10+624.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.70 грн
10+566.89 грн
30+446.52 грн
120+410.34 грн
270+385.76 грн
510+380.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.16 грн
30+385.21 грн
120+327.08 грн
510+282.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N50DIXYSMOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYSMOSFETs 20 Amps 600V 0.35 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.44 грн
10+530.91 грн
30+490.64 грн
120+438.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+772.12 грн
10+661.59 грн
30+588.77 грн
120+525.65 грн
270+487.19 грн
510+479.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781.42 грн
10+584.17 грн
120+422.63 грн
510+376.88 грн
1020+357.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.04 грн
30+278.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+965.03 грн
17+795.65 грн
25+582.12 грн
100+496.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH20P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 20 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.52 грн
5+794.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.81 грн
5+1033.96 грн
10+852.48 грн
25+623.70 грн
100+532.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PIXYSMOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.68 грн
10+557.47 грн
120+462.91 грн
510+428.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PIXYSIXTH20P50P THT P channel transistors
на замовлення 419 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1115.17 грн
2+690.34 грн
5+652.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.48 грн
30+531.29 грн
120+463.34 грн
510+422.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.76 грн
5+880.19 грн
10+781.42 грн
25+633.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH21N50IXYSMOSFETs 21 Amps 500V 0.25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.