Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXT-1-1N100S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1IXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1 T/RIxys Corporation- 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-1-1N100S1-TRIXYSMOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXT-705ATPlanetDescription: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24925.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSMOSFETs SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.65 грн
50+533.27 грн
100+515.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1351.30 грн
10+1212.83 грн
25+1200.91 грн
50+1093.40 грн
100+873.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Reverse recovery time: 1.5µs
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 2.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 450Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+162.96 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.42 грн
50+242.32 грн
100+221.72 грн
500+174.24 грн
1000+163.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.23 грн
3+284.30 грн
10+241.53 грн
50+188.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV-TRLIXYSMOSFETs IXTA05N100HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PIXYSMOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.13 грн
50+229.00 грн
100+209.32 грн
500+164.11 грн
1000+153.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSMOSFETs IXTA06N120P TRL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.53 грн
1600+134.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.83 грн
10+237.83 грн
100+170.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA06N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.53 грн
50+155.09 грн
100+140.87 грн
500+108.82 грн
1000+101.31 грн
2000+95.00 грн
5000+91.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2-TRLIXYSMOSFETs IXTA08N100D2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.20 грн
50+194.75 грн
100+177.57 грн
500+138.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HVIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLMOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263HV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSMOSFETs TO263 1KV .8A N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
50+220.05 грн
100+188.61 грн
500+157.34 грн
1000+134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 25Ω
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 50W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N120P-TRLIXYSMOSFETs IXTA08N120P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2
Код товару: 118357
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
50+159.94 грн
100+145.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSMOSFETs 100 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRLIXYSMOSFETs IXTA100N04T2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N15X4IXYSMOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
50+230.95 грн
100+206.65 грн
500+168.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA102N15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA102N15T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+159.87 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSMOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK,TO263AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 32nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15TIXYSMOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P15T-TRLIXYSMOSFETs IXTA10P15T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+628.73 грн
27+534.91 грн
50+511.35 грн
100+468.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.32 грн
10+548.52 грн
25+548.33 грн
50+518.78 грн
100+480.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+583.35 грн
29+501.12 грн
50+474.11 грн
100+438.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+757.20 грн
25+722.24 грн
50+693.17 грн
100+644.86 грн
250+578.56 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.73 грн
10+540.28 грн
25+534.91 грн
50+511.35 грн
100+468.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+330.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 56532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.91 грн
10+353.39 грн
100+272.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+616.75 грн
27+524.72 грн
30+486.16 грн
100+414.52 грн
250+373.96 грн
500+285.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLIXYSMOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.75 грн
10+524.72 грн
25+486.16 грн
100+414.52 грн
250+373.96 грн
500+285.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+362.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL. - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P. - DISC MOSFET P CHANNEL-POLAR TO-263D2 TUBE 03AH1274
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]