IXTK160N20
Виробник:
MOSFET 200V 160A 13mOm TO-264 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK160N20
Description: MOSFET N-CH 200V 160A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 730W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 415 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK160N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK160N20 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 160A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 730W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 415 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTK160N20 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 160 Amps 200V 0.013 Rds |
товару немає в наявності |