Продукція > LITTELFUSE > IXTK20N150

IXTK20N150 Littelfuse

Name: IXTK20N150
Brand: IXYS
SKU: 459857491-1
Price: 3748.44 UAH
Availability: BackOrder

rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_20n150_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTK20N150 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK20N150

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTK20N150	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1.1µs Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 20A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK20N150	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK20N150	Виробник : IXYS	MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK20N150	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1.1µs Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 20A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.