Продукція > IXT > IXTK20N150

IXTK20N150

238_DS100424BIXTKTX20N150.pdf
Виробник:
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK20N150

Description: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK20N150

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS 238_DS100424BIXTKTX20N150.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_20N150_Datasheet.PDF MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS IXTK(X)20N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 238_DS100424BIXTKTX20N150.pdf
IXTK20N150
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_20N150_Datasheet.PDF
IXTK20N150
Виробник: IXYS
MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 IXTK(X)20N150.pdf
IXTK20N150
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.