Продукція > IXYS > IXTQ480P2

IXTQ480P2 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq480p2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXTQ480P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ480P2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ480P2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ480P2 IXTQ480P2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq480p2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ480P2 IXTQ480P2 Виробник : IXYS media-3323661.pdf MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.