JAN2N2221AL Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Grade: Military
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2221AL Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Qualification: MIL-PRF-19500/255, Grade: Military.
Інші пропозиції JAN2N2221AL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N2221AL | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N2221AL |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.


