JANSP2N2221AL Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANSP2N2221AL Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/255.
Інші пропозиції JANSP2N2221AL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANSP2N2221AL | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead RH Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSP2N2221AL |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead RH Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.