Технічний опис JANTX2N2857 MOTOROLA
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-72-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 500MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: TO-72, Grade: Military, Part Status: Obsolete, Qualification: MIL-PRF-19500/343.
Інші пропозиції JANTX2N2857
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N2857 | Microsemi Corporation |
 Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72Packaging: Bulk Package / Case: TO-72-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: TO-72 Grade: Military Part Status: Obsolete Qualification: MIL-PRF-19500/343 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N2857 | Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTX2N2857 | Semicoa Semiconductors |
NPN, silicon, low power, encapsulated and unencapsulated, radiation hardness assurance |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTX2N2857 |
|
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-72-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
Grade: Military
Part Status: Obsolete
Qualification: MIL-PRF-19500/343
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-72-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
Grade: Military
Part Status: Obsolete
Qualification: MIL-PRF-19500/343
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX2N2857 |
|
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX2N2857 |
|
Виробник: Semicoa Semiconductors
NPN, silicon, low power, encapsulated and unencapsulated, radiation hardness assurance
NPN, silicon, low power, encapsulated and unencapsulated, radiation hardness assurance
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.