JANTX2N6798 MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
M°/100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Tr 2N6798
кількість в упаковці: 1 шт
M°/100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Tr 2N6798
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTX2N6798 MICROSEMI
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AF Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39), Grade: Military, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V, Qualification: MIL-PRF-19500/557.
Інші пропозиції JANTX2N6798
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX2N6798 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 |
товару немає в наявності |