Продукція > IR > JANTX2N7335

JANTX2N7335 IR

Виробник: IR

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис JANTX2N7335 IR

Description: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB, Packaging: Bulk, Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 4 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: MO-036AB.

Інші пропозиції JANTX2N7335

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	JANTX2N7335	Microsemi Corporation	Description: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MO-036AB	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

JANTX2N7335

Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MO-036AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.