Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N2857UB

JANTXV2N2857UB Microsemi

Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N2857UB Microsemi

Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: UB, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції JANTXV2N2857UB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
JANTXV2N2857UB	Виробник : Semicoa	RF Transistor, NPN, Silicon, Low Power	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JANTXV2N2857UB	Виробник : MICROSEMI	UB/NPN Transistor 2N2857 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JANTXV2N2857UB	Виробник : Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.