Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N2857UB

JANTXV2N2857UB Microsemi


124246-lds-0223-1-datasheet Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N2857UB Microsemi

Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: UB, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції JANTXV2N2857UB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTXV2N2857UB JANTXV2N2857UB Виробник : Semicoa prf19500ss343.pdf RF Transistor, NPN, Silicon, Low Power
товар відсутній
JANTXV2N2857UB Виробник : MICROSEMI 124246-lds-0223-1-datasheet UB/NPN Transistor 2N2857
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
JANTXV2N2857UB JANTXV2N2857UB Виробник : Microsemi Corporation 124246-lds-0223-1-datasheet Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: UB
Part Status: Obsolete
товар відсутній