Продукція > JAN > JANTXV2N6770

JANTXV2N6770


77270-lds-0101-datasheet
Виробник:

на замовлення 223 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N6770

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE, Qualification: MIL-PRF-19500/543, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AE, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JANTXV2N6770

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTXV2N6770 Виробник : Microsemi Corporation 77270-lds-0101-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N6770 JANTXV2N6770 Виробник : Infineon / IR 77270-lds-0101-datasheet MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N6770 Виробник : Microchip / Microsemi 77270-lds-0101-datasheet MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.