JANTXV2N6770
Виробник: на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N6770
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3), Grade: Military, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Qualification: MIL-PRF-19500/543.
Інші пропозиції JANTXV2N6770
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N6770 | Виробник : Microsemi |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
товару немає в наявності |
||
| JANTXV2N6770 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTXV2N6770 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| JANTXV2N6770 | Виробник : Microchip / Microsemi |
MOSFET |
товару немає в наявності |