
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 10V 10MA SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 200mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10mA
Supplier Device Package: SL2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 500 mV
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.76 грн |
17+ | 18.65 грн |
100+ | 10.07 грн |
500+ | 7.75 грн |
1000+ | 6.46 грн |
2000+ | 6.07 грн |
5000+ | 5.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 10MA SL2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 200mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10mA, Supplier Device Package: SL2, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 500 mV.
Інші пропозиції JDH2S02SL,L3F за ціною від 4.55 грн до 34.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
JDH2S02SL,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 125-134 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
JDH2S02SL,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 200mV, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10mA Supplier Device Package: SL2 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 500 mV |
товару немає в наявності |