Продукція > TOSHIBA > JDH2S02SL,L3F
JDH2S02SL,L3F

JDH2S02SL,L3F Toshiba


0BD9940E57F025D808CA06C1A480CEE1B24A1F5C0405A50347F1B1F8DED61CB6.pdf
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers High Freq Schottky .01A 10V
на замовлення 3981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.62 грн
19+17.23 грн
100+10.20 грн
500+7.60 грн
1000+5.91 грн
2500+5.77 грн
5000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JDH2S02SL,L3F Toshiba

Description: DIODE SCHOTTKY 10V 10MA SL2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 500 mV, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Supplier Device Package: SL2, Current - Average Rectified (Io): 10mA, Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 200mV, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 2-SMD, No Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції JDH2S02SL,L3F за ціною від 5.56 грн до 31.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JDH2S02SL,L3F JDH2S02SL,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL_datasheet_en_20151113.pdf?did=30457&prodName=JDH2S02SL Description: DIODE SCHOTTKY 10V 10MA SL2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SL2
Current - Average Rectified (Io): 10mA
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 200mV, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 500 mV
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.65 грн
17+18.59 грн
100+10.03 грн
500+7.73 грн
1000+6.44 грн
2000+6.04 грн
5000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.