JTDB75 MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI55AW-1/75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz JTDB75
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JTDB75 MICROSEMI
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7dB ~ 8.2dB, Power - Max: 220W, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Supplier Device Package: 55AW.
Інші пропозиції JTDB75
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JTDB75 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW Packaging: Bulk Package / Case: 55AW Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7dB ~ 8.2dB Power - Max: 220W Current - Collector (Ic) (Max): 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz Supplier Device Package: 55AW |
товар відсутній |
||
| JTDB75 | Виробник : Microsemi |
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor |
товар відсутній |