KBL610G GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.14 грн |
| 10+ | 87.40 грн |
| 25+ | 66.21 грн |
| 100+ | 53.66 грн |
| 250+ | 46.72 грн |
| 500+ | 42.93 грн |
| 1000+ | 38.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBL610G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції KBL610G за ціною від 83.66 грн до 136.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KBL610G | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBLPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| KBL610G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBL |
товару немає в наявності |
