
KBL610G GeneSiC Semiconductor
на замовлення 5901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.59 грн |
10+ | 87.44 грн |
25+ | 57.89 грн |
100+ | 52.24 грн |
250+ | 44.87 грн |
500+ | 42.01 грн |
1000+ | 37.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBL610G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції KBL610G за ціною від 44.34 грн до 113.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KBL610G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
KBL610G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |