KBL610G GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.65 грн |
| 10+ | 76.67 грн |
| 25+ | 58.08 грн |
| 100+ | 47.07 грн |
| 250+ | 40.98 грн |
| 500+ | 37.66 грн |
| 1000+ | 33.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBL610G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції KBL610G за ціною від 75.97 грн до 123.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KBL610G | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBLPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|