
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 335.59 грн |
10+ | 263.12 грн |
25+ | 208.20 грн |
100+ | 181.71 грн |
250+ | 165.53 грн |
500+ | 154.49 грн |
1000+ | 150.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBPC3510T GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-T, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, KBPC-T, Mounting Type: QC Terminal, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBPC-T, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції KBPC3510T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
KBPC3510T | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
KBPC3510T | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, KBPC-T Mounting Type: QC Terminal Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBPC-T Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |